1 序文
2 調査範囲と方法論
2.1 調査の目的
2.2 ステークホルダー
2.3 データソース
2.3.1 一次情報源
2.3.2 二次情報源
2.4 市場推定
2.4.1 ボトムアップアプローチ
2.4.2 トップダウンアプローチ
2.5 予測方法
3 エグゼクティブ・サマリー
4 はじめに
4.1 概要
4.2 主要産業動向
5 磁気抵抗RAM（MRAM）の世界市場
5.1 市場概要
5.2 市場パフォーマンス
5.3 COVID-19の影響
5.4 市場予測
6 タイプ別市場
6.1 トグルMRAM
6.1.1 市場動向
6.1.2 市場予測
6.2 スピントランスファートルクMRAM（STT-MRAM）
6.2.1 市場動向
6.2.2 市場予測
7 オファリング別市場内訳
7.1 スタンドアロン
7.1.1 市場動向
7.1.2 市場予測
7.2 組み込み型
7.2.1 市場動向
7.2.2 市場予測
8 アプリケーション別市場
8.1 コンシューマー・エレクトロニクス
8.1.1 市場動向
8.1.2 市場予測
8.2 ロボット
8.2.1 市場動向
8.2.2 市場予測
8.3 企業向けストレージ
8.3.1 市場動向
8.3.2 市場予測
8.4 自動車
8.4.1 市場動向
8.4.2 市場予測
8.5 航空宇宙・防衛
8.5.1 市場動向
8.5.2 市場予測
8.6 その他
8.6.1 市場動向
8.6.2 市場予測
9 地域別市場内訳
9.1 北米
9.1.1 米国
9.1.1.1 市場動向
9.1.1.2 市場予測
9.1.2 カナダ
9.1.2.1 市場動向
9.1.2.2 市場予測
9.2 アジア太平洋
9.2.1 中国
9.2.1.1 市場動向
9.2.1.2 市場予測
9.2.2 日本
9.2.2.1 市場動向
9.2.2.2 市場予測
9.2.3 インド
9.2.3.1 市場動向
9.2.3.2 市場予測
9.2.4 韓国
9.2.4.1 市場動向
9.2.4.2 市場予測
9.2.5 オーストラリア
9.2.5.1 市場動向
9.2.5.2 市場予測
9.2.6 インドネシア
9.2.6.1 市場動向
9.2.6.2 市場予測
9.2.7 その他
9.2.7.1 市場動向
9.2.7.2 市場予測
9.3 欧州
9.3.1 ドイツ
9.3.1.1 市場動向
9.3.1.2 市場予測
9.3.2 フランス
9.3.2.1 市場動向
9.3.2.2 市場予測
9.3.3 イギリス
9.3.3.1 市場動向
9.3.3.2 市場予測
9.3.4 イタリア
9.3.4.1 市場動向
9.3.4.2 市場予測
9.3.5 スペイン
9.3.5.1 市場動向
9.3.5.2 市場予測
9.3.6 ロシア
9.3.6.1 市場動向
9.3.6.2 市場予測
9.3.7 その他
9.3.7.1 市場動向
9.3.7.2 市場予測
9.4 中南米
9.4.1 ブラジル
9.4.1.1 市場動向
9.4.1.2 市場予測
9.4.2 メキシコ
9.4.2.1 市場動向
9.4.2.2 市場予測
9.4.3 その他
9.4.3.1 市場動向
9.4.3.2 市場予測
9.5 中東・アフリカ
9.5.1 市場動向
9.5.2 国別市場内訳
9.5.3 市場予測
10 SWOT分析
10.1 概要
10.2 長所
10.3 弱点
10.4 機会
10.5 脅威
11 バリューチェーン分析
12 ポーターズファイブフォース分析
12.1 概要
12.2 買い手の交渉力
12.3 供給者の交渉力
12.4 競争の程度
12.5 新規参入の脅威
12.6 代替品の脅威
13 価格分析
14 競争環境
14.1 市場構造
14.2 主要プレーヤー
14.3 主要プレーヤーのプロフィール
14.3.1 アバランチ・テクノロジー社
14.3.1.1 会社概要
14.3.1.2 製品ポートフォリオ
14.3.2 クロッカス・ナノ・エレクトロニクス LLC
14.3.2.1 会社概要
14.3.2.2 製品ポートフォリオ
14.3.3 Everspin Technologies Inc.
14.3.3.1 会社概要
14.3.3.2 製品ポートフォリオ
14.3.3.3 財務
14.3.4 ハネウェル・インターナショナル・インク
14.3.4.1 会社概要
14.3.4.2 製品ポートフォリオ
14.3.4.3 財務
14.3.4.4 SWOT分析
14.3.5 インフィニオン・テクノロジーズAG
14.3.5.1 会社概要
14.3.5.2 製品ポートフォリオ
14.3.5.3 財務
14.3.5.4 SWOT分析
14.3.6 インテル コーポレーション
14.3.6.1 会社概要
14.3.6.2 製品ポートフォリオ
14.3.6.3 財務
14.3.6.4 SWOT分析
14.3.7 NVE株式会社
14.3.7.1 会社概要
14.3.7.2 製品ポートフォリオ
14.3.7.3 財務
14.3.8 クアルコム・インコーポレイテッド
14.3.8.1 会社概要
14.3.8.2 製品ポートフォリオ
14.3.8.3 財務
14.3.8.4 SWOT分析
14.3.9 Samsung Electronics Co. Ltd.
14.3.9.1 会社概要
14.3.9.2 製品ポートフォリオ
14.3.9.3 財務
14.3.9.4 SWOT分析
14.3.10 スピンメモリー
14.3.10.1 会社概要
14.3.10.2 製品ポートフォリオ
14.3.11 株式会社東芝
14.3.11.1 会社概要
14.3.11.2 製品ポートフォリオ
14.3.11.3 財務
14.3.11.4 SWOT分析
14.3.12 タワーセミコンダクター
14.3.12.1 会社概要
14.3.12.2 製品ポートフォリオ
14.3.12.3 財務
| ※参考情報 磁気抵抗RAM（MRAM）は、情報を保存するために磁気的な性質を利用する革新的なメモリ技術です。MRAMは、データを保持するために電荷の蓄積ではなく、磁気的な状態変化を利用します。これにより、高速なデータアクセスや低消費電力を実現し、従来のフラッシュメモリやDRAMと比較して多くのメリットを提供します。 MRAMの基本的な動作原理は、磁気トンネル接合（MTJ：Magnetic Tunnel Junction）に基づいています。MTJは2つのフェリ磁性層で構成されており、その間に絶縁体が挟まれています。一方のフェリ磁性層の磁化状態が固定され、もう一方の層は外部磁場によってその磁化を変えることができます。データは、これらの層の磁化方向によって表現され、パラレル（同じ向き）またはアンチパラレル（反対向き）で保存されます。このように保存されたデータは、電源を切っても保持されるため、不揮発性と呼ばれます。 MRAMにはいくつかの種類があります。代表的なものには、静電容量型MRAM（STT-MRAM：Spin-Transfer Torque MRAM）があり、これはスピンの転送トルクを利用して磁化を制御する技術です。STT-MRAMは、低消費電力で高速な書き込みと読み取りが可能で、いくつかの用途で実用化が進んでいます。また、従来のMRAMであるSOT-MRAM（Spin-Orbit Torque MRAM）も存在し、こちらはスピン軌道トルクを用いています。これらの技術は、次世代のポータブルデバイスや大型のデータセンターに適した高性能メモリソリューションとして期待されています。 MRAMの用途は多岐にわたります。主に、エンベデッドシステムや自動車、IoTデバイス、さらには大規模なポイントオブセール（POS）システムなどに使用されています。特に自動車分野においては、MRAMの耐久性と高速性が重要であり、運転手の安全性やデータの整合性を確保するために採用が進んでいます。さらに、MRAMはゲーム機やスマートフォンなどの高性能な記憶媒体としても利用される可能性があります。 MRAMは、従来の半導体メモリ技術と比べていくつかの重要なメリットを持っています。一つは、高い耐障害性です。MRAMは太陽光や放射線に対しても耐性があり、厳しい環境下での使用が可能です。さらに、非常に少ないエネルギーで動作できるため、バッテリー駆動のデバイスに特に有効です。また、MRAMの読み書き速度は、従来のフラッシュメモリよりも速く、データアクセスが迅速です。 MRAMの発展には、半導体技術やナノテクノロジーの進歩が大きく寄与しています。特に、製造プロセスの向上により、トンネル接合技術が進化し、生産コストを削減できるようになっています。これにより、MRAMは商業化が進み、次世代のメモリ選択肢としてますます重要視されるようになっています。 今後、MRAMはさらに多くの分野で活用されるようになるでしょう。情報技術の進化と共に、メモリの重要性が増す中で、MRAMの特性が求められる場面が増加することは間違いありません。全体として、MRAMは従来のメモリ技術の限界を克服し、将来のデジタルデータ管理において重要な役割を果たすことが期待されています。 |
❖ 世界の磁気抵抗RAM（MRAM）市場に関するよくある質問(FAQ) ❖
・磁気抵抗RAM（MRAM）の世界市場規模は？
→IMARC社は2023年の磁気抵抗RAM（MRAM）の世界市場規模を6億1720万米ドルと推定しています。
・磁気抵抗RAM（MRAM）の世界市場予測は？
→IMARC社は2032年の磁気抵抗RAM（MRAM）の世界市場規模を110億7,630万米ドルと予測しています。
・磁気抵抗RAM（MRAM）市場の成長率は？
→IMARC社は磁気抵抗RAM（MRAM）の世界市場が2024年～2032年に年平均37.1%成長すると予測しています。
・世界の磁気抵抗RAM（MRAM）市場における主要企業は？
→IMARC社は「Avalanche Technology Inc.、Crocus Nano Electronics LLC、Everspin Technologies Inc.、Honeywell International Inc.、Infineon Technologies AG、Intel Corporation、NVE Corporation、Qualcomm Incorporated、Samsung Electronics Co. Ltd.、Spin Memory Inc.、Toshiba Corporation and Tower Semiconductor Ltd.など ...」をグローバル磁気抵抗RAM（MRAM）市場の主要企業として認識しています。
※上記FAQの市場規模、市場予測、成長率、主要企業に関する情報は本レポートの概要を作成した時点での情報であり、納品レポートの情報と少し異なる場合があります。
