目次

第1章 方法論と範囲
1.1 市場セグメンテーションと範囲
1.2 市場定義
1.3 情報収集
1.4 情報分析
1.4.1 市場構築とデータ可視化
1.4.2 データ検証と公開
1.5 調査範囲と前提条件
1.6. データソース一覧
第2章 エグゼクティブサマリー
2.1. 市場見通し
2.2. セグメント別見通し
2.3. 競争環境の概要
第3章 高電子移動度トランジスタ：市場変数、動向、範囲
3.1. 市場系譜の見通し
3.2. 産業バリューチェーン分析
3.3. 市場ダイナミクス
3.3.1. 市場推進要因の影響分析
3.3.1.1. 高速通信システムへの需要増加と無線デバイスの普及拡大
3.3.1.2. コスト効率の高い電力システムへの需要拡大
3.3.2. 市場課題の影響分析
3.3.2.1. HEMTトランジスタデバイスの製造・開発における従来手法の不足
3.3.3. 市場機会影響分析
3.3.3.1. 電気自動車の普及拡大と5Gネットワークの拡張
3.4. 業界分析ツール
3.4.1. ポーターの分析
3.4.2. PESTEL分析
第4章. 高電子移動度トランジスタ市場：タイプ別推定値とトレンド分析
4.1. タイプ別動向分析と市場シェア（2022年および2030年）
4.2. 高電子移動度トランジスタ市場推定値と予測（タイプ別）
4.2.1. 窒化ガリウム（GaN）
4.2.2. 炭化ケイ素（SiC）
4.2.3. 砒化ガリウム（GaAs）
4.2.4. その他
第5章. 高電子移動度トランジスタ市場：最終用途別推定値とトレンド分析
5.1. 最終用途別動向分析と市場シェア（2022年および2030年）
5.2. 高電子移動度トランジスタ市場予測：用途別
5.2.1. 民生用電子機器
5.2.2. 自動車
5.2.3. 産業用
5.2.4. 航空宇宙・防衛
5.2.5. その他
第6章 高電子移動度トランジスタ市場：地域別予測と動向分析
6.1. 高電子移動度トランジスタ市場：地域別展望
6.2. 北米
6.2.1. 北米高電子移動度トランジスタ市場規模予測（2017年～2030年、10億米ドル）
6.2.2. 米国
6.2.2.1. 米国高電子移動度トランジスタ市場規模予測（2017-2030年、10億米ドル）
6.2.3. カナダ
6.2.3.1. カナダ高電子移動度トランジスタ市場規模予測（2017-2030年、10億米ドル）
6.3. 欧州
6.3.1. 欧州高電子移動度トランジスタ市場規模予測（2017年～2030年、10億米ドル）
6.3.2. 英国
6.3.2.1. 英国高電子移動度トランジスタ市場規模予測（2017年～2030年、10億米ドル）
6.3.3. ドイツ
6.3.3.1. ドイツ高電子移動度トランジスタ市場規模予測（2017-2030年、10億米ドル）
6.3.4. フランス
6.3.4.1. フランス高電子移動度トランジスタ市場規模予測（2017-2030年、10億米ドル）
6.4. アジア太平洋地域
6.4.1. アジア太平洋地域 高電子移動度トランジスタ市場規模予測（2017年～2030年、10億米ドル）
6.4.2. 中国
6.4.2.1. 中国高電子移動度トランジスタ市場規模予測（2017-2030年、10億米ドル）
6.4.3. インド
6.4.3.1. インド高電子移動度トランジスタ市場規模予測（2017-2030年、10億米ドル）
6.4.4. 日本
6.4.4.1. 日本における高電子移動度トランジスタ（HEMT）市場規模予測（2017年～2030年、10億米ドル）
6.4.5. オーストラリア
6.4.5.1. オーストラリア高電子移動度トランジスタ市場規模予測（2017-2030年、10億米ドル）
6.4.6.韓国
6.4.6.1.韓国高電子移動度トランジスタ市場規模予測（2017-2030年、10億米ドル）
6.5. ラテンアメリカ
6.5.1. ラテンアメリカ高電子移動度トランジスタ市場規模予測（2017年～2030年、10億米ドル）
6.5.2. ブラジル
6.5.2.1. ブラジル高電子移動度トランジスタ市場規模予測（2017-2030年、10億米ドル）
6.5.3. メキシコ
6.5.3.1. メキシコ高電子移動度トランジスタ市場規模予測（2017-2030年、10億米ドル）
6.6. 中東・アフリカ
6.6.1. 中東・アフリカ高電子移動度トランジスタ市場規模予測（2017年～2030年、10億米ドル）
6.6.2. サウジアラビア王国（KSA）
6.6.2.1. サウジアラビア王国（KSA）高電子移動度トランジスタ市場規模予測（2017年～2030年、10億米ドル）
6.6.3. アラブ首長国連邦（UAE）
6.6.3.1. アラブ首長国連邦（UAE）高電子移動度トランジスタ市場規模予測（2017年～2030年、10億米ドル）
6.6.4. 南アフリカ
6.6.4.1. 南アフリカ高電子移動度トランジスタ市場規模予測（2017年～2030年、10億米ドル）
第7章 競争環境
7.1. 企業分類
7.2. 主要企業概要
7.2.1. Qorvo
7.2.2. インフィニオン・テクノロジーズAG
7.2.3. ムザー・エレクトロニクス社
7.2.4. MACOM
7.2.5. ウルフスピード
7.2.6. RFHICコーポレーション
7.2.7. STマイクロエレクトロニクス
7.2.8. テキサス・インスツルメンツ
7.2.9. 住友電気工業株式会社
7.2.10. アナログ・デバイセズ社
7.3. 財務実績
7.4. 製品ベンチマーキング
7.5. 企業の市場ポジショニング
7.6. 企業の市場シェア分析（2022年）
7.7. 企業ヒートマップ分析
7.8. 戦略マッピング
7.8.1. 事業拡大
7.8.2. 協業
7.8.3. M&A（合併・買収）
7.8.4. 新製品投入
7.8.5. パートナーシップ
7.8.6. その他

Table of Contents

Chapter 1. Methodology and Scope
1.1. Market Segmentation & Scope
1.2. Market Definitions
1.3. Information Procurement
1.4. Information Analysis
1.4.1. Market Formulation & Data Visualization
1.4.2. Data Validation & Publishing
1.5. Research Scope and Assumptions
1.6. List of Data Sources
Chapter 2. Executive Summary
2.1. Market Outlook
2.2. Segmental Outlook
2.3. Competitive Landscape Snapshot
Chapter 3. High Electron Mobility Transistor: Market Variables, Trends, & Scope
3.1. Market Lineage Outlook
3.2. Industry Value Chain Analysis
3.3. Market Dynamics
3.3.1. Market Driver Impact Analysis
3.3.1.1. Increasing demand for high-speed communication systems and the growing adoption of wireless devices
3.3.1.2. The growing demand for cost-effective power systems
3.3.2. Market Challenge Impact Analysis
3.3.2.1. The lack of conventional procedures for producing and developing HEMT transistor devices
3.3.3. Market Opportunity Impact Analysis
3.3.3.1. Rising adoption of electric vehicles and expansion of 5G networks
3.4. Industry Analysis Tools
3.4.1. Porter’s Analysis
3.4.2. PESTEL Analysis
Chapter 4. High Electron Mobility Transistor Market: Type Estimates & Trend Analysis
4.1. Type Movement Analysis & Market Share, 2022 & 2030
4.2. High Electron Mobility Transistor Market Estimates & Forecast, By Type
4.2.1. Gallium Nitride (GaN)
4.2.2. Silicon Carbide (SiC)
4.2.3. Gallium Arsenide (GaAs)
4.2.4. Others
Chapter 5. High Electron Mobility Transistor Market: End-use Estimates & Trend Analysis
5.1. End-Use Movement Analysis & Market Share, 2022 & 2030
5.2. High Electron Mobility Transistor Market Estimates & Forecast, By End-Use
5.2.1. Consumer Electronics
5.2.2. Automotive
5.2.3. Industrial
5.2.4. Aerospace & Defense
5.2.5. Others
Chapter 6. High Electron Mobility Transistor Market: Regional Estimates & Trend Analysis
6.1. High Electron Mobility Transistor Market: Regional Outlook
6.2. North America
6.2.1. North America High Electron Mobility Transistor Market Estimates & Forecasts, 2017 - 2030 (USD Billion)
6.2.2. U.S.
6.2.2.1. U.S. High Electron Mobility Transistor Market Estimates & Forecasts, 2017 - 2030 (USD Billion)
6.2.3. Canada
6.2.3.1. Canada High Electron Mobility Transistor Market Estimates & Forecasts, 2017 - 2030 (USD Billion)
6.3. Europe
6.3.1. Europe High Electron Mobility Transistor Market Estimates & Forecasts, 2017 - 2030 (USD Billion)
6.3.2. UK
6.3.2.1. UK High Electron Mobility Transistor Market Estimates & Forecasts, 2017 - 2030 (USD Billion)
6.3.3. Germany
6.3.3.1. Germany High Electron Mobility Transistor Market Estimates & Forecasts, 2017 - 2030 (USD Billion)
6.3.4. France
6.3.4.1. France High Electron Mobility Transistor Market Estimates & Forecasts, 2017 - 2030 (USD Billion)
6.4. Asia Pacific
6.4.1. Asia Pacific High Electron Mobility Transistor Market Estimates & Forecasts, 2017 - 2030 (USD Billion)
6.4.2. China
6.4.2.1. China High Electron Mobility Transistor Market Estimates & Forecasts, 2017 - 2030 (USD Billion)
6.4.3. India
6.4.3.1. India High Electron Mobility Transistor Market Estimates & Forecasts, 2017 - 2030 (USD Billion)
6.4.4. Japan
6.4.4.1. Japan High Electron Mobility Transistor Market Estimates & Forecasts, 2017 - 2030 (USD Billion)
6.4.5. Australia
6.4.5.1. Australia High Electron Mobility Transistor Market Estimates & Forecasts, 2017 - 2030 (USD Billion)
6.4.6. South Korea
6.4.6.1. South Korea High Electron Mobility Transistor Market Estimates & Forecasts, 2017 - 2030 (USD Billion)
6.5. Latin America
6.5.1. Latin America High Electron Mobility Transistor Market Estimates & Forecasts, 2017 - 2030 (USD Billion)
6.5.2. Brazil
6.5.2.1. Brazil High Electron Mobility Transistor Market Estimates & Forecasts, 2017 - 2030 (USD Billion)
6.5.3. Mexico
6.5.3.1. Mexico High Electron Mobility Transistor Market Estimates & Forecasts, 2017 - 2030 (USD Billion)
6.6. Middle East & Africa
6.6.1. Middle East & Africa High Electron Mobility Transistor Market Estimates & Forecasts, 2017 - 2030 (USD Billion)
6.6.2. The Kingdom of Saudi Arabia (KSA)
6.6.2.1. The Kingdom of Saudi Arabia (KSA) High Electron Mobility Transistor Market Estimates & Forecasts, 2017 - 2030 (USD Billion)
6.6.3. UAE
6.6.3.1. UAE High Electron Mobility Transistor Market Estimates & Forecasts, 2017 - 2030 (USD Billion)
6.6.4. South Arica
6.6.4.1. South Africa High Electron Mobility Transistor Market Estimates & Forecasts, 2017 - 2030 (USD Billion)
Chapter 7. Competitive Landscape
7.1. Company Categorization
7.2. Participant’s Overview
7.2.1. Qorvo
7.2.2. Infineon Technologies AG
7.2.3. Mouser Electronics, Inc.
7.2.4. MACOM
7.2.5. Wolfspeed
7.2.6. RFHIC Corporation
7.2.7. ST Microelectronics
7.2.8. Texas Instruments
7.2.9. Sumitomo Electric Industries, Ltd.
7.2.10. Analog Devices, Inc.
7.3. Financial Performance
7.4. Product Benchmarking
7.5. Company Market Positioning
7.6. Company Market Share Analysis, 2022
7.7. Company Heat Map Analysis
7.8. Strategy Mapping
7.8.1. Expansion
7.8.2. Collaborations
7.8.3. Mergers & Acquisitions
7.8.4. New Product Launches
7.8.5. Partnerships
7.8.6. Others

※参考情報 高電子移動度トランジスタ（HEMT）は、半導体デバイスの一種であり、高い電子移動度を持つ材料を利用して、高速動作が可能なトランジスタです。このトランジスタは、主にガリウムナイトライド（GaN）やインジウムガリウム砷（InGaAs）などのIII-V族化合物半導体を素材として使用します。従来のシリコントランジスタに比べて、HEMTはより高い周波数および出力電力を持つ、より高効率なデバイスです。 HEMTの基本的な構造は、異なるバンドギャップの材料を重ね合わせることで形成されるヘテロ接合にあります。この構造により、電子はバンドギャップが狭い層で高速に移動することができ、電子の移動度が高まり、結果として動作速度や出力特性が向上します。HEMTは特に、電子トランジスタや高周波トランジスタとしての用途が広がっています。 HEMTにはいくつかの種類がありますが、一般的には金属-絶縁体-半導体（MIS）型と金属-半導体（MS）型に分類されます。MIS型のHEMTは、ゲート絶縁膜として酸化物や窒化物を用いることで、デバイスの性能向上を図ります。一方、MS型HEMTは、金属と半導体との接触による特性を重視します。これらの違いにより、それぞれのデバイスは異なる動作特性を持ちながら、高電子移動度を活かした応用が可能です。 HEMTの主な用途には、通信、レーダー、衛星技術、パワーアンプなどがあります。特に高周波通信分野では、モバイル通信や無線通信の基盤技術として重要な役割を果たしています。また、HEMTは高出力の古典的なRF（無線周波数）アンプとしても利用され、高速データ伝送を支えるための重要なコンポーネントとなっています。最近では5G通信技術やミリ波通信、さらには量子コンピュータの応用を見込んだ研究が進められています。 さらに、HEMTはその高い耐圧性や高温動作の特性から、自動車や航空機の電力変換装置、高効率の電源装置、産業用機器にも適用されることが増えています。例えば、電気自動車のパワードライブシステムや再生可能エネルギーのインバータ回路にもHEMTが採用されています。これにより、エネルギー効率を向上させると共に、小型化や軽量化も実現しています。 HEMTの技術には、いくつかの関連技術があります。高度な成長技術やプロセス技術が不可欠であり、特に分子線エピタキシー（MBE）や金属有機化学気相成長（MOCVD）がよく用いられます。これらの技術により、高品質の薄膜を形成し、デバイスの性能を最大限に引き出すことが可能です。また、回路設計技術の進化もHEMTの性能を向上させる要因となっています。特にCMOS技術との統合や、システムトータルでの最適化が求められています。 近年、HEMTの応用範囲はますます広がっていますが、製造コストや材料供給の面から課題も残っています。特に、特殊な材料を使用することから、従来のシリコン技術に比べて製造プロセスが複雑であるため、費用対効果が重要な要素となっています。しかし、研究開発が進むことで、より低コストで効率的なHEMTの製造方法が確立されつつあります。 このように、高電子移動度トランジスタは、次世代の高性能デバイスとして重要な位置を占めており、今後も新たな技術革新と応用の拡大が期待されています。特に、通信やエネルギー分野において、その革新性と高い性能が求められているため、HEMTの進展は今後のテクノロジーの発展に大きく寄与するでしょう。