1 市場概要
1.1 GaNエピタキシャルの定義
1.2 グローバルGaNエピタキシャルの市場規模と予測
1.2.1 売上別のグローバルGaNエピタキシャルの市場規模（2019-2030）
1.2.2 販売量別のグローバルGaNエピタキシャルの市場規模（2019-2030）
1.2.3 グローバルGaNエピタキシャルの平均販売価格（ASP）（2019-2030）
1.3 中国GaNエピタキシャルの市場規模・予測
1.3.1 売上別の中国GaNエピタキシャル市場規模（2019-2030）
1.3.2 販売量別の中国GaNエピタキシャル市場規模（2019-2030）
1.3.3 中国GaNエピタキシャルの平均販売価格（ASP）（2019-2030）
1.4 世界における中国GaNエピタキシャルの市場シェア
1.4.1 世界における売上別の中国GaNエピタキシャル市場シェア（2019～2030）
1.4.2 世界市場における販売量別の中国GaNエピタキシャル市場シェア（2019～2030）
1.4.3 GaNエピタキシャルの市場規模、中国VS世界（2019-2030）
1.5 GaNエピタキシャル市場ダイナミックス
1.5.1 GaNエピタキシャルの市場ドライバ
1.5.2 GaNエピタキシャル市場の制約
1.5.3 GaNエピタキシャル業界動向
1.5.4 GaNエピタキシャル産業政策
2 世界主要会社市場シェアとランキング
2.1 会社別の世界GaNエピタキシャル売上の市場シェア（2019～2024）
2.2 会社別の世界GaNエピタキシャル販売量の市場シェア（2019～2024）
2.3 会社別のGaNエピタキシャルの平均販売価格（ASP）、2019～2024
2.4 グローバルGaNエピタキシャルのトップ会社、マーケットポジション（ティア1、ティア2、ティア3）
2.5 グローバルGaNエピタキシャルの市場集中度
2.6 グローバルGaNエピタキシャルの合併と買収、拡張計画
2.7 主要会社のGaNエピタキシャル製品タイプ
2.8 主要会社の本社と生産拠点
2.9 主要会社の生産能力の推移と今後の計画
3 中国主要会社市場シェアとランキング
3.1 会社別の中国GaNエピタキシャル売上の市場シェア（2019-2024年）
3.2 GaNエピタキシャルの販売量における中国の主要会社市場シェア（2019～2024）
3.3 中国GaNエピタキシャルのトップ会社、マーケットポジション（ティア1、ティア2、ティア3）
4 世界の生産地域
4.1 グローバルGaNエピタキシャルの生産能力、生産量、稼働率（2019～2030）
4.2 地域別のグローバルGaNエピタキシャルの生産能力
4.3 地域別のグローバルGaNエピタキシャルの生産量と予測、2019年 VS 2023年 VS 2030年
4.4 地域別のグローバルGaNエピタキシャルの生産量（2019～2030）
4.5 地域別のグローバルGaNエピタキシャルの生産量市場シェアと予測（2019-2030）
5 産業チェーン分析
5.1 GaNエピタキシャル産業チェーン
5.2 上流産業分析
5.2.1 GaNエピタキシャルの主な原材料
5.2.2 主な原材料の主要サプライヤー
5.3 中流産業分析
5.4 下流産業分析
5.5 生産モード
5.6 GaNエピタキシャル調達モデル
5.7 GaNエピタキシャル業界の販売モデルと販売チャネル
5.7.1 GaNエピタキシャル販売モデル
5.7.2 GaNエピタキシャル代表的なディストリビューター
6 製品別のGaNエピタキシャル一覧
6.1 GaNエピタキシャル分類
6.1.1 GaN-on-Sapphire
6.1.2 GaN-On-Si
6.1.3 GaN-On-SiC
6.1.4 GaN-on-GaN
6.1.5 Other
6.2 製品別のグローバルGaNエピタキシャルの売上とCAGR、2019年 VS 2023年 VS 2030年
6.3 製品別のグローバルGaNエピタキシャルの売上（2019～2030）
6.4 製品別のグローバルGaNエピタキシャルの販売量（2019～2030）
6.5 製品別のグローバルGaNエピタキシャルの平均販売価格（ASP）（2019～2030）
7 アプリケーション別のGaNエピタキシャル一覧
7.1 GaNエピタキシャルアプリケーション
7.1.1 Photoelectric
7.1.2 Electronic Power
7.1.3 RF
7.2 アプリケーション別のグローバルGaNエピタキシャルの売上とCAGR、2019 VS 2023 VS 2030
7.3 アプリケーション別のグローバルGaNエピタキシャルの売上（2019～2030）
7.4 アプリケーション別のグローバルGaNエピタキシャル販売量（2019～2030）
7.5 アプリケーション別のグローバルGaNエピタキシャル価格（2019～2030）
8 地域別のGaNエピタキシャル市場規模一覧
8.1 地域別のグローバルGaNエピタキシャルの売上、2019 VS 2023 VS 2030
8.2 地域別のグローバルGaNエピタキシャルの売上（2019～2030）
8.3 地域別のグローバルGaNエピタキシャルの販売量（2019～2030）
8.4 北米
8.4.1 北米GaNエピタキシャルの市場規模・予測（2019～2030）
8.4.2 国別の北米GaNエピタキシャル市場規模シェア
8.5 ヨーロッパ
8.5.1 ヨーロッパGaNエピタキシャル市場規模・予測（2019～2030）
8.5.2 国別のヨーロッパGaNエピタキシャル市場規模シェア
8.6 アジア太平洋地域
8.6.1 アジア太平洋地域GaNエピタキシャル市場規模・予測（2019～2030）
8.6.2 国・地域別のアジア太平洋地域GaNエピタキシャル市場規模シェア
8.7 南米
8.7.1 南米GaNエピタキシャルの市場規模・予測（2019～2030）
8.7.2 国別の南米GaNエピタキシャル市場規模シェア
8.8 中東・アフリカ
9 国別のGaNエピタキシャル市場規模一覧
9.1 国別のグローバルGaNエピタキシャルの市場規模＆CAGR、2019年 VS 2023年 VS 2030年
9.2 国別のグローバルGaNエピタキシャルの売上（2019～2030）
9.3 国別のグローバルGaNエピタキシャルの販売量（2019～2030）
9.4 米国
9.4.1 米国GaNエピタキシャル市場規模（2019～2030）
9.4.2 製品別の米国販売量の市場シェア、2023年 VS 2030年
9.4.3 “アプリケーション別の米国販売量市場のシェア、2023年 VS 2030年
9.5 ヨーロッパ
9.5.1 ヨーロッパGaNエピタキシャル市場規模（2019～2030）
9.5.2 製品別のヨーロッパGaNエピタキシャル販売量の市場シェア、2023年 VS 2030年
9.5.3 アプリケーション別のヨーロッパGaNエピタキシャル販売量の市場シェア、2023年 VS 2030年
9.6 中国
9.6.1 中国GaNエピタキシャル市場規模（2019～2030）
9.6.2 製品別の中国GaNエピタキシャル販売量の市場シェア、2023年 VS 2030年
9.6.3 アプリケーション別の中国GaNエピタキシャル販売量の市場シェア、2023年 VS 2030年
9.7 日本
9.7.1 日本GaNエピタキシャル市場規模（2019～2030）
9.7.2 製品別の日本GaNエピタキシャル販売量の市場シェア、2023年 VS 2030年
9.7.3 アプリケーション別の日本GaNエピタキシャル販売量の市場シェア、2023年 VS 2030年
9.8 韓国
9.8.1 韓国GaNエピタキシャル市場規模（2019～2030）
9.8.2 製品別の韓国GaNエピタキシャル販売量の市場シェア、2023年 VS 2030年
9.8.3 アプリケーション別の韓国GaNエピタキシャル販売量の市場シェア、2023年 VS 2030年
9.9 東南アジア
9.9.1 東南アジアGaNエピタキシャル市場規模（2019～2030）
9.9.2 製品別の東南アジアGaNエピタキシャル販売量の市場シェア、2023年 VS 2030年
9.9.3 アプリケーション別の東南アジアGaNエピタキシャル販売量の市場シェア、2023年 VS 2030年
9.10 インド
9.10.1 インドGaNエピタキシャル市場規模（2019～2030）
9.10.2 製品別のインドGaNエピタキシャル販売量の市場シェア、2023 VS 2030年
9.10.3 アプリケーション別のインドGaNエピタキシャル販売量の市場シェア、2023 VS 2030年
9.11 中東・アフリカ
9.11.1 中東・アフリカGaNエピタキシャル市場規模（2019～2030）
9.11.2 製品別の中東・アフリカGaNエピタキシャル販売量の市場シェア、2023年 VS 2030年
9.11.3 アプリケーション別の中東・アフリカGaNエピタキシャル販売量の市場シェア、2023 VS 2030年
10 会社概要
10.1 NTT AT
10.1.1 NTT AT 企業情報、本社、販売地域、市場地位
10.1.2 NTT AT GaNエピタキシャル製品モデル、仕様、アプリケーション
10.1.3 NTT AT GaNエピタキシャル販売量、売上、価格、粗利益率、2019～2024
10.1.4 NTT AT 会社紹介と事業概要
10.1.5 NTT AT 最近の開発状況
10.2 Wolfspeed
10.2.1 Wolfspeed 企業情報、本社、販売地域、市場地位
10.2.2 Wolfspeed GaNエピタキシャル製品モデル、仕様、アプリケーション
10.2.3 Wolfspeed GaNエピタキシャル販売量、売上、価格、粗利益率、2019～2024
10.2.4 Wolfspeed 会社紹介と事業概要
10.2.5 Wolfspeed 最近の開発状況
10.3 SCIOCS (Sumitomo)
10.3.1 SCIOCS (Sumitomo) 企業情報、本社、販売地域、市場地位
10.3.2 SCIOCS (Sumitomo) GaNエピタキシャル製品モデル、仕様、アプリケーション
10.3.3 SCIOCS (Sumitomo) GaNエピタキシャル販売量、売上、価格、粗利益率、2019～2024
10.3.4 SCIOCS (Sumitomo) 会社紹介と事業概要
10.3.5 SCIOCS (Sumitomo) 最近の開発状況
10.4 EpiGaN (Soitec)
10.4.1 EpiGaN (Soitec) 企業情報、本社、販売地域、市場地位
10.4.2 EpiGaN (Soitec) GaNエピタキシャル製品モデル、仕様、アプリケーション
10.4.3 EpiGaN (Soitec) GaNエピタキシャル販売量、売上、価格、粗利益率、2019～2024
10.4.4 EpiGaN (Soitec) 会社紹介と事業概要
10.4.5 EpiGaN (Soitec) 最近の開発状況
10.5 DOWA Electronics Materials
10.5.1 DOWA Electronics Materials 企業情報、本社、販売地域、市場地位
10.5.2 DOWA Electronics Materials GaNエピタキシャル製品モデル、仕様、アプリケーション
10.5.3 DOWA Electronics Materials GaNエピタキシャル販売量、売上、価格、粗利益率、2019～2024
10.5.4 DOWA Electronics Materials 会社紹介と事業概要
10.5.5 DOWA Electronics Materials 最近の開発状況
10.6 IQE
10.6.1 IQE 企業情報、本社、販売地域、市場地位
10.6.2 IQE GaNエピタキシャル製品モデル、仕様、アプリケーション
10.6.3 IQE GaNエピタキシャル販売量、売上、価格、粗利益率、2019～2024
10.6.4 IQE 会社紹介と事業概要
10.6.5 IQE 最近の開発状況
10.7 Enkris Semiconductor Inc
10.7.1 Enkris Semiconductor Inc 企業情報、本社、販売地域、市場地位
10.7.2 Enkris Semiconductor Inc GaNエピタキシャル製品モデル、仕様、アプリケーション
10.7.3 Enkris Semiconductor Inc GaNエピタキシャル販売量、売上、価格、粗利益率、2019～2024
10.7.4 Enkris Semiconductor Inc 会社紹介と事業概要
10.7.5 Enkris Semiconductor Inc 最近の開発状況
10.8 CorEnergy
10.8.1 CorEnergy 企業情報、本社、販売地域、市場地位
10.8.2 CorEnergy GaNエピタキシャル製品モデル、仕様、アプリケーション
10.8.3 CorEnergy GaNエピタキシャル販売量、売上、価格、粗利益率、2019～2024
10.8.4 CorEnergy 会社紹介と事業概要
10.8.5 CorEnergy 最近の開発状況
10.9 GLC
10.9.1 GLC 企業情報、本社、販売地域、市場地位
10.9.2 GLC GaNエピタキシャル製品モデル、仕様、アプリケーション
10.9.3 GLC GaNエピタキシャル販売量、売上、価格、粗利益率、2019～2024
10.9.4 GLC 会社紹介と事業概要
10.9.5 GLC 最近の開発状況
10.10 Genettice
10.10.1 Genettice 企業情報、本社、販売地域、市場地位
10.10.2 Genettice GaNエピタキシャル製品モデル、仕様、アプリケーション
10.10.3 Genettice GaNエピタキシャル販売量、売上、価格、粗利益率、2019～2024
10.10.4 Genettice 会社紹介と事業概要
10.10.5 Genettice 最近の開発状況
10.11 Suzhou Nanowin
10.11.1 Suzhou Nanowin 企業情報、本社、販売地域、市場地位
10.11.2 Suzhou Nanowin GaNエピタキシャル製品モデル、仕様、アプリケーション
10.11.3 Suzhou Nanowin GaNエピタキシャル販売量、売上、価格、粗利益率、2019～2024
10.11.4 Suzhou Nanowin 会社紹介と事業概要
10.11.5 Suzhou Nanowin 最近の開発状況
10.12 Episil-Precision Inc
10.12.1 Episil-Precision Inc 企業情報、本社、販売地域、市場地位
10.12.2 Episil-Precision Inc GaNエピタキシャル製品モデル、仕様、アプリケーション
10.12.3 Episil-Precision Inc GaNエピタキシャル販売量、売上、価格、粗利益率、2019～2024
10.12.4 Episil-Precision Inc 会社紹介と事業概要
10.12.5 Episil-Precision Inc 最近の開発状況
10.13 Xinguan Technology
10.13.1 Xinguan Technology 企業情報、本社、販売地域、市場地位
10.13.2 Xinguan Technology GaNエピタキシャル製品モデル、仕様、アプリケーション
10.13.3 Xinguan Technology GaNエピタキシャル販売量、売上、価格、粗利益率、2019～2024
10.13.4 Xinguan Technology 会社紹介と事業概要
10.13.5 Xinguan Technology 最近の開発状況
10.14 Shanxi Yuteng
10.14.1 Shanxi Yuteng 企業情報、本社、販売地域、市場地位
10.14.2 Shanxi Yuteng GaNエピタキシャル製品モデル、仕様、アプリケーション
10.14.3 Shanxi Yuteng GaNエピタキシャル販売量、売上、価格、粗利益率、2019～2024
10.14.4 Shanxi Yuteng 会社紹介と事業概要
10.14.5 Shanxi Yuteng 最近の開発状況
11 結論
12 付録
12.1 研究方法論
12.2 データソース
12.2.1 二次資料
12.2.2 一次資料
12.3 データ クロスバリデーション
12.4 免責事項
| ※参考情報 ガリウムナイトライド（GaN）エピタキシャル材料は、半導体デバイスの製造において重要な役割を果たしています。ガリウムナイトライドの特性とエピタキシャル成長のプロセスは、近年の電子機器の進化に寄与しており、さまざまな用途において革新をもたらしています。この文では、GaNエピタキシャルの定義、特徴、種類、用途、および関連技術について詳述していきます。 まず、GaNエピタキシャルの定義ですが、エピタキシャル成長とは、基板上に薄い結晶層を形成するプロセスであり、外部の条件を制御することで特定の結晶構造を持つ層を作り出します。ガリウムナイトライドは、窒化ガリウム（GaN）のことを指し、特に高電圧と高温環境での優れた性能を発揮します。GaNエピタキシャルは、その結晶構造と物理的特性を生かして、高効率なデバイスを製造するために使用されます。 次に、GaNエピタキシャルの特徴について説明します。GaNエピタキシャル材料の最も顕著な特性の一つは、高いバンドギャップエネルギーを持つことです。これは、GaNが高温や高電圧で動作する際に、効率よく電子を移動させる能力をもたらします。また、GaNは優れた耐熱性と耐圧性を有しているため、高い出力密度と高効率化が可能です。このような特性は、主にパワーエレクトロニクスやRFデバイスにおいて重要です。 さらに、GaNエピタキシャルには複数の種類があります。主に、基板として用いられる材料によって分けられます。例えば、サファイア基板、シリコン基板、シリコンカーバイド基板などがあり、それぞれが持つ特性によって異なるアプリケーションに適しています。サファイア基板は、低コストで入手しやすく、高い透明性を持つため、光電子デバイスに広く使用されています。一方、シリコンカーバイド基板は、より高い熱伝導性と耐圧性を有し、高出力なパワーデバイスに最適です。 GaNエピタキシャルの用途は多岐にわたります。代表的なものとして、LED（発光ダイオード）やレーザーダイオードがあります。GaNの高いバンドギャップエネルギーにより、青色LEDやUVレーザーの開発が可能になりました。また、GaNはパワーエレクトロニクス市場においても重要な役割を果たしています。高効率なスイッチング素子や電源管理ICなどにおいて、GaNの特性は高い性能とエネルギー効率を提供します。 さらに、5G通信などの高周波デバイスにもGaNエピタキシャルは使用されます。GaNが持つ高い許容電圧と、高い周波数特性は、通信デバイスをより効率的かつ高速に動作させることを可能にします。これにより、データ伝送速度が向上し、通信インフラの進化が促進されています。 関連技術としては、エピタキシャル成長の方法があります。一般的には、金属有機化学気相成長（MOCVD）や分子線エピタキシー（MBE）などの技術が用いられます。MOCVDは、ガス状前駆体を使って基板上に薄膜を形成する方法で、多くの商業用GaNデバイスで採用されています。そして、MBEは、真空中で分子を蒸発させながら成長させる手法で、非常に高い純度の材料を得ることができます。 GaNエピタキシャル材料は、今後もさらなる進展が期待される分野です。特に電力エレクトロニクス、通信、エネルギー変換技術において、GaNの利点はますます重要となってくるでしょう。これにより、次世代の技術革新が進み、持続可能な社会の実現に向けた道が開かれると考えられます。 総じて、GaNエピタキシャルは、高効率で高出力なデバイスを実現するために不可欠な材料であり、その特性と用途の広さは電子機器の進化に大いに寄与しています。今後の研究開発が進むことで、GaNエピタキシャルの可能性はさらに広がり、未来の様々な技術革新に貢献することでしょう。 |
