目次
第1章 エグゼクティブサマリー
市場見通し
レポートの範囲
市場概要
市場動向と成長要因
新興技術
セグメント別分析
地域別分析
結論
第2章 市場概観
現在の市場概観
将来展望
マクロ経済要因分析
GDP成長率
インフレ率
金利
地政学的リスク
貿易政策
政府のインセンティブ
米中貿易戦争の影響
サプライチェーンの混乱
イノベーションと研究開発の課題
主要企業の戦略的対応
バリューチェーン分析
部品開発
製造と組立
流通と物流
アプリケーションと導入
継続的なサポートとパフォーマンス最適化
ポーターの5つの力分析
供給者の交渉力
消費者の交渉力
新規参入の可能性
競争の激化度
代替品の脅威
第3章 市場動向
主なポイント
市場推進要因
AIおよびHPCアプリケーションにおける先進ノードの需要急増
EVおよびADASエコシステムの拡大
世界的なファブ生産能力の増加と政府のインセンティブ
市場制約要因／課題
ウェハー生産設備への高額資本投資
地政学的リスクとサプライチェーン混乱
市場機会
パワー／自動車用途におけるシリコンウェハー需要急増
第4章 規制環境
概要
半導体シリコンウェハーの規制シナリオ
第5章 新興技術と特許分析
概要
新興技術
次世代AI・HPCチップ
フォトニックおよび量子コンピューティングチップ
3D チップ積層およびウェーハレベルパッケージング
特許分析
地域別パターン
主な調査結果
第 6 章 市場セグメント分析
セグメント別内訳
ウェーハサイズ別市場内訳
主なポイント
300 mm
200 mm
100 mm
その他
結晶成長法別市場内訳
主なポイント
CZ 法
ブリッジマン法
FZ法
ウェーハボンディング法別市場内訳
主なポイント
ダイレクトボンディング
表面活性化ボンディング
陽極ボンディング
プラズマボンディング
エンドユーザー別市場内訳
主なポイント
民生用電子機器
ITおよび通信
自動車
航空宇宙および防衛
産業用
ヘルスケア
その他
地域別内訳
地域別市場内訳
主なポイント
北米
欧州
アジア太平洋
その他の地域
第 7 章 競争環境
主なポイント
市場エコシステム分析
部品サプライヤー
半導体シリコンウェーハメーカー
OEM
半導体シリコンウェーハ販売業者
サービスプロバイダー
主要企業の分析
信越半導体株式会社
SUMCO株式会社
グローバルウェーハーズジャパン株式会社
Siltronic AG
SK Siltron Co. Ltd.
戦略的分析
最近の動向
第8章 環境・社会・ガバナンス（ESG）の視点
主なポイント
環境への影響
社会への影響
ガバナンスへの影響
半導体シリコンウェーハ市場におけるESGの現状
BCCからの総括
第9章 付録
調査方法論
参考文献
略語一覧
企業プロファイル
EPISIL-PRECISION INC.
フェローテック（米国）株式会社
グローバルウェーハーズジャパン株式会社
オクメティック
アールエス・テクノロジーズ株式会社
上海新貴科技股份有限公司
信越化学工業株式会社
シリコンマテリアルズ株式会社
シルトロニックAG
SK株式会社
ソイテック
SUMCO株式会社
ウェーバープロ
ウェーバーワークス株式会社
中環領先半導體技術有限公司
要約表：2030年までの地域別半導体シリコンウェーハ世界市場
表1：ポーターの5つの力：評価尺度
表2：国別半導体シリコンウェーハ規制シナリオ
表3：2025年1月～2025年5月の半導体シリコンウェーハ主要公開特許
表4：2030年までの半導体シリコンウェーハの世界市場（ウェーハサイズ別）
表5：2030年までの300mm半導体シリコンウェーハの世界市場（地域別）
表6：2030年までの200mm半導体シリコンウェーハの世界市場（地域別）
表7：地域別100mm半導体シリコンウェーハ世界市場（2030年まで）
表8：地域別その他半導体シリコンウェーハサイズ世界市場（2030年まで）
表9：結晶成長法別半導体シリコンウェーハ世界市場（2030年まで）
表 10：2030 年までの地域別半導体シリコンウェーハの CZ 法の世界市場
表 11：2030 年までの地域別半導体シリコンウェーハのブリッジマン法の世界市場
表 12：2030 年までの地域別半導体シリコンウェーハの FZ 法の世界市場
表 13：2030 年までの半導体シリコンウェーハの世界市場（ウェーハボンディング法別）
表 14：2030 年までの半導体シリコンウェーハの直接ボンディングの世界市場（地域別）
表 15：2030 年までの半導体シリコンウェーハの表面活性化ボンディングの世界市場（地域別）
表 16：2030 年までの半導体シリコンウェーハの陽極ボンディングの世界市場（地域別）
表 17：2030 年までの半導体シリコンウェーハのプラズマボンディングの世界市場（地域別）
表 18：2030 年までの半導体シリコンウェーハの世界市場（エンドユーザー別）
表 19：2030 年までの、地域別、民生用電子機器に使用される半導体シリコンウェーハの世界市場
表 20：2030 年までの、地域別、IT および通信に使用される半導体シリコンウェーハの世界市場
表 21：2030 年までの、地域別、自動車に使用される半導体シリコンウェーハの世界市場
表22：航空宇宙・防衛分野向け半導体シリコンウェーハの世界市場（地域別、2030年まで）
表23：産業用最終用途向け半導体シリコンウェーハの世界市場（地域別、2030年まで）
表24：医療分野向け半導体シリコンウェーハの世界市場（地域別、2030年まで）
表25：その他の最終用途別半導体シリコンウェーハの世界市場（地域別、2030年まで）
表26：半導体シリコンウェーハの世界市場（地域別、2030年まで）
表27：半導体シリコンウェーハの北米市場（国別、2030年まで）
表 28：2030 年までの北米における半導体シリコンウェーハの市場（ウェーハサイズ別）
表 29：2030 年までの北米における半導体シリコンウェーハの市場（結晶成長法別）
表 30：2030 年までの北米における半導体シリコンウェーハの市場（ウェーハボンディング法別）
表 31：2030 年までのエンドユーザー別北米半導体シリコンウェーハ市場
表 32：2030 年までの国別欧州半導体シリコンウェーハ市場
表 33：2030 年までのウェーハサイズ別欧州半導体シリコンウェーハ市場
表 34：2030 年までの、ウェハーボンディング法別の欧州の半導体シリコンウェーハ市場
表 35：2030 年までの、結晶成長法別の欧州の半導体シリコンウェーハ市場
表 36：2030 年までの、エンドユーザー別の欧州の半導体シリコンウェーハ市場
表 37：2030 年までの国別アジア太平洋地域の半導体シリコンウェーハ市場
表 38：2030 年までのウェーハサイズ別アジア太平洋地域の半導体シリコンウェーハ市場
表 39：2030 年までの結晶成長法別アジア太平洋地域の半導体シリコンウェーハ市場
表 40：2030 年までの、ウェハーボンディング方法別、アジア太平洋地域の半導体シリコンウェーハ市場
表 41：2030 年までの、エンドユーザー別、アジア太平洋地域の半導体シリコンウェーハ市場
表 42：2030 年までの、サブ地域別、その他の地域における半導体シリコンウェーハ市場
表 43：2030 年までの、ウェーハサイズ別の、その他の地域における半導体シリコンウェーハ市場
表 44：2030 年までの、結晶成長法別の、その他の地域における半導体シリコンウェーハ市場
表 45：2030 年までの、ウェーハボンディング法別の、その他の地域における半導体シリコンウェーハ市場
表 46：2030 年までの、エンドユーザー別、その他の地域における半導体シリコンウェーハの市場
表 47：2024 年の、半導体シリコンウェーハの世界市場における主要プロバイダー
表 48：2024 年から 2025 年にかけての世界の半導体シリコンウェーハ市場における最近の動向
表 49：企業別 ESG リスク評価、2025 年
表 50：本報告書で使用される略語
表 51：Episil-Precision Inc.：会社概要
表 52：Episil-Precision Inc.：2023 年度および 2024 年度の財務実績
表53：エピシル・プレシジョン社：製品ポートフォリオ
表54：エピシル・プレシジョン社：ニュース／主要動向、2024年
表55：フェローテック（米国）社：企業概要
表56：フェローテック（米国）社：財務実績、2023年度および2024年度
表57：フェローテック（米国）社：製品ポートフォリオ
表58：グローバルウェーハーズジャパン株式会社：会社概要
表59：グローバルウェーハーズジャパン株式会社：財務実績、2023年度および2024年度
表60：グローバルウェーハーズジャパン株式会社：製品ポートフォリオ
表61：オクメティック：会社概要
表62：オクメティック：製品ポートフォリオ
表63：オクメティック：ニュース／主要動向、2025年
表64：RSテクノロジーズ株式会社：会社概要
表65：RSテクノロジーズ株式会社：財務実績、2023年度および2024年度
表66：RSテクノロジーズ株式会社：製品ポートフォリオ
表67：RSテクノロジーズ株式会社：ニュース／主要動向、2024-2025年
表68：上海シングイテクノロジー株式会社：会社概要
表69：上海シングイテクノロジー株式会社：製品ポートフォリオ
表70：信越化学工業株式会社：会社概要
表71：信越化学工業株式会社：財務実績、2023年度および2024年度
表72：信越化学工業株式会社：製品ポートフォリオ
表73：信越化学工業株式会社：ニュース／主要動向、2024年
表74：シリコン・マテリアルズ社：会社概要
表75：シリコン・マテリアルズ社：製品ポートフォリオ
表76：シルトロニック社：会社概要
表77：シルトロニック社：財務実績（2023年度および2024年度）
表78：シルトロニック社：製品ポートフォリオ
表79：Siltronic AG：ニュース／主要動向、2024年
表80：SK Inc.：会社概要
表81：SK Inc.：財務実績、2023年度および2024年度
表82：SK Inc.：製品ポートフォリオ
表83：SK Inc.：ニュース／主要動向、2024-2025年
表84：ソイテック：会社概要
表85：ソイテック：財務実績、2023年度および2024年度
表86：ソイテック：製品ポートフォリオ
表87：ソイテック：ニュース／主要動向、2024年
表88：SUMCO株式会社：会社概要
表89：SUMCO株式会社： 財務実績、2023年度および2024年度
表90：SUMCO株式会社：製品ポートフォリオ
表91：SUMCO株式会社：ニュース／主要動向、2025年
表92：WaferPro：会社概要
表93：WaferPro：製品ポートフォリオ
表94：WaferPro：ニュース／主要動向、2024年
表95：Wafer Works Corp.：会社概要
表96：Wafer Works Corp.：財務実績、2023年度および2024年度
表97：Wafer Works Corp.：製品ポートフォリオ
表98：Zhonghuan Leading Semiconductor Technology Co. Ltd.：会社概要
表99：Zhonghuan Leading Semiconductor Technology Co. Ltd.：製品ポートフォリオ
図表一覧
要約図：2024年地域別半導体シリコンウェーハ世界市場シェア
図1：半導体シリコンウェーハ市場：バリューチェーン分析
図2：ポーターの5つの力分析
図3：半導体シリコンウェーハ市場：供給者の交渉力
図4：半導体シリコンウェーハ市場：消費者の交渉力
図5：半導体シリコンウェーハ市場：新規参入の可能性
図6：半導体シリコンウェーハ市場：競争の激しさ
図7：半導体シリコンウェーハ市場：代替品の脅威
図8：半導体シリコンウェーハの市場動向
図9：半導体シリコンウェーハにおける新興技術
図10：半導体シリコンウェーハに関する公開特許及び特許出願のシェア（国/組織別、2024年1月～2025年5月）
図11：半導体シリコンウェーハの世界市場シェア（ウェーハサイズ別、2024年）
図12：300mm半導体シリコンウェーハの世界市場シェア（地域別、2024年）
図13：200mm半導体シリコンウェーハの世界市場シェア（地域別、2024年）
図14：地域別100mm半導体シリコンウェーハの世界市場シェア、2024年
図15：地域別その他半導体シリコンウェーハサイズの世界市場シェア、2024年
図16：結晶成長法別半導体シリコンウェーハの世界市場シェア、2024年
図 17：2024 年の半導体シリコンウェーハにおける CZ 法の世界市場シェア（地域別）
図 18：2024 年の半導体シリコンウェーハにおけるブリッジマン法の世界市場シェア（地域別）
図 19：2024 年の半導体シリコンウェーハにおける FZ 法の世界市場シェア（地域別）
図 20：2024 年の半導体シリコンウェーハの世界市場シェア（ウェーハボンディング法別）
図 21：2024 年の半導体シリコンウェーハのダイレクトボンディングの世界市場シェア（地域別）
図 22：2024 年の半導体シリコンウェーハの表面活性化ボンディングの世界市場シェア（地域別）
図 23：2024 年の半導体シリコンウェーハの陽極ボンディングの世界市場シェア（地域別）
図 24：2024 年の半導体シリコンウェーハのプラズマボンディングの世界市場シェア（地域別）
図 25：2024 年の半導体シリコンウェーハのエンドユーザー別世界市場シェア
図 26：2024 年の地域別、民生用電子機器に使用される半導体シリコンウェーハの世界市場シェア
図 27：2024 年の地域別、IT および通信に使用される半導体シリコンウェーハの世界市場シェア
図 28：2024 年の地域別、自動車に使用される半導体シリコンウェーハの世界市場シェア
図29：航空宇宙・防衛分野向け半導体シリコンウェーハの世界市場シェア（地域別、2024年）
図30：産業用最終用途向け半導体シリコンウェーハの世界市場シェア（地域別、2024年）
図31：医療分野向け半導体シリコンウェーハの世界市場シェア（地域別、2024年）
図32：その他最終用途別半導体シリコンウェーハの世界市場シェア（地域別、2024年）
図33：半導体シリコンウェーハの世界市場シェア（地域別、2024年）
図34：エピシル・プレシジョン株式会社：売上高シェア（国・地域別、2024年度）
図35：グローバルウェーハーズジャパン株式会社：事業部門別売上高シェア、2024年度
図36：グローバルウェーハーズジャパン株式会社：国・地域別売上高シェア、2024年度
図37：RSテクノロジーズ株式会社：事業部門別売上高シェア、2024年度
図38：信越化学工業株式会社：事業部門別売上高構成比、2024年度
図39：信越化学工業株式会社：国・地域別売上高構成比、2024年度
図40：Siltronic AG：国・地域別売上高構成比、2024年度
図41：ソイテック：事業部門別売上高比率、2024年度
図42：ソイテック：国・地域別売上高比率、2024年度
図43：SUMCO株式会社：国・地域別売上高比率、2024年度
図44：ウエハーワークス株式会社：国・地域別売上高比率、2024年度
Table of Contents
Chapter 1 Executive Summary
Market Outlook
Scope of Report
Market Summary
Market Dynamics and Growth Factors
Emerging Technologies
Segmental Analysis
Regional Analysis
Conclusion
Chapter 2 Market Overview
Current Market Overview
Future Outlook
Macroeconomic Factors Analysis
GDP Growth
Inflation
Interest Rates
Geopolitical Risks
Trade Policies
Government Incentives
Impact of the U.S.-China Trade War
Supply Chain Disruptions
Innovation and R&D Challenges
Strategic Response by Key Companies
Value Chain Analysis
Component Development
Manufacturing and Assembly
Distribution and Logistics
Application and Deployment
Ongoing Support and Performance Optimization
Porter’s Five Forces Analysis
Bargaining Power of Suppliers
Bargaining Power of Consumers
Potential for New Entrants
Level of Competition
Threat of Substitutes
Chapter 3 Market Dynamics
Key Takeaways
Market Drivers
Surging Demand for Advanced Nodes in AI and HPC Applications
Expansion of EV and ADAS Ecosystems
Rise of Global Fab Capacity and Government Incentives
Market Restraints/Challenges
High Capital Investment for Wafer Production Facilities
Geopolitical Risks and Supply Chain Disruptions
Market Opportunities
Surge in Expansion of Silicon Wafers in Power and Automotive Applications
Chapter 4 Regulatory Landscape
Overview
Regulatory Scenario for Semiconductor Silicon Wafers
Chapter 5 Emerging Technologies and Patent Analysis
Overview
Emerging Technologies
Next-Generation AI and HPC Chips
Photonic and Quantum Computing Chips
3D Chip Stacking and Wafer-Level Packaging
Patent Analysis
Regional Patterns
Key Findings
Chapter 6 Market Segment Analysis
Segmentation Breakdown
Market Breakdown by Wafer Size
Key Takeaways
300 mm
200-mm
100-mm
Others
Market Breakdown by Crystal Growth Method
Key Takeaways
CZ Method
Bridgman Method
FZ Method
Market Breakdown by Wafer-Bonding Method
Key Takeaways
Direct Bonding
Surface-activated Bonding
Anodic Bonding
Plasma Bonding
Market Breakdown by End User
Key Takeaways
Consumer Electronics
IT and Telecommunications
Automotive
Aerospace and Defense
Industrial
Healthcare
Others
Geographic Breakdown
Market Breakdown by Region
Key Takeaways
North America
Europe
Asia-Pacific
Rest of the World
Chapter 7 Competitive Landscape
Key Takeaways
Market Ecosystem Analysis
Component Suppliers
Semiconductor Silicon Wafer Manufacturers
OEMs
Semiconductor Silicon Wafer Distributors
Service Providers
Analysis of Key Companies
Shin-Etsu Handotai Co. Ltd.
Sumco Corp.
GlobalWafers Japan Co. Ltd.
Siltronic AG
SK Siltron Co. Ltd.
Strategic Analysis
Recent Developments
Chapter 8 Environmental, Social and Governance Perspective
Key Takeaways
Environmental Impact
Social Impact
Governance Impact
Status of ESG in the Semiconductor Silicon Wafer Market
Concluding Remarks from BCC
Chapter 9 Appendix
Research Methodology
References
Abbreviations
Company Profiles
EPISIL-PRECISION INC.
FERROTEC (USA) CORP.
GLOBALWAFERS JAPAN CO. LTD.
OKMETIC
RS TECHNOLOGIES CO. LTD.
SHANGHAI SIMGUI TECHNOLOGY CO. LTD.
SHIN-ETSU CHEMICAL CO. LTD.
SILICON MATERIALS INC.
SILTRONIC AG
SK INC.
SOITEC
SUMCO CORP.
WAFERPRO
WAFER WORKS CORP.
ZHONGHUAN LEADING SEMICONDUCTOR TECHNOLOGY CO. LTD.
| ※参考情報 半導体シリコンウェーハは、現代のエレクトロニクス産業において最も基礎的かつ不可欠な材料の一つです。これは、高純度のシリコン単結晶を薄い円盤状にスライスし、表面を鏡面研磨した基板のことを指します。このウェーハ上に、集積回路（IC）や各種半導体デバイスが作製されます。シリコンは、その安定した電気的特性と、地球上に豊富に存在するケイ素を原料とすることから、半導体材料として最も広く利用されています。 半導体シリコンウェーハの製造工程は、まず高純度な多結晶シリコンを溶融し、そこからチョクラルスキー法（CZ法）やフローティングゾーン法（FZ法）といった単結晶成長技術を用いて、巨大な単結晶インゴット（塊）を引き上げるところから始まります。CZ法は大量生産に適しており、一般的なIC製造に用いられますが、FZ法は不純物濃度を極限まで低くできるため、高電力デバイスやセンサーなどに使用されます。引き上げられたインゴットは、デバイス設計に応じて特定の結晶方位（例えば、<100>、<111>）を持つように加工されます。その後、インゴットは薄くスライスされ、研削、エッチング、そして最終的な鏡面研磨を経て、ウェーハが完成します。近年では、SOI（Silicon-On-Insulator）ウェーハのように、シリコン層と埋め込み酸化膜層を持つ多層構造のウェーハも、高性能・低消費電力デバイス向けに利用されています。 ウェーハの種類は、直径によって分類されることが一般的です。過去には2インチ、4インチ、6インチといったサイズが主流でしたが、生産効率の向上とコストダウンを目的として、現在は8インチ（200mm）や12インチ（300mm）が標準となっています。特に12インチウェーハは、最先端のIC製造ラインで広く採用されており、一枚あたりのチップ取れ高を大幅に増加させています。さらに、次世代に向けて18インチ（450mm）ウェーハの研究開発も進められていますが、製造装置や取り扱いの難しさから、普及には時間を要しています。また、ウェーハの表面状態やドーピング（不純物添加）の種類によってもP型やN型といった電気的特性が異なり、用途に応じて使い分けられます。 用途について言えば、シリコンウェーハは文字通り現代社会の電子機器の根幹を担っています。スマートフォン、パソコン、サーバーといった情報通信機器の頭脳であるマイクロプロセッサやメモリチップ（DRAM、NANDフラッシュ）はすべてシリコンウェーハから作られています。また、自動車の電子制御ユニット（ECU）、IoTデバイス、医療機器、さらには太陽光発電パネル（ソーラーセル）にも利用されています。特に、近年注目されているパワー半導体（例えば、電気自動車のインバータや産業機器の電力制御）においても、高い電力効率と信頼性が求められるため、シリコンウェーハの品質は極めて重要です。 関連技術としては、微細加工技術であるリソグラフィ（露光技術）が最も重要です。ウェーハ上に回路パターンを焼き付けるこの技術の進化が、半導体の集積度と性能向上を牽引してきました。また、薄膜形成技術（CVD、PVD）、不純物を導入するイオン注入技術、そして回路間の配線を形成するエッチング技術も不可欠です。さらに、ウェーハの欠陥を検出し、歩留まり（良品率）を向上させるための検査・測定技術も、高性能な半導体デバイスの安定供給を支える上で重要な役割を果たしています。ウェーハ製造においては、シリコン単結晶の品質を高めるための高度な温度制御技術や、ウェーハ表面の汚染を極限まで排除する超クリーンルーム技術も、その基盤となっています。近年では、シリコン以外の材料を用いた化合物半導体（SiCやGaNなど）も注目されていますが、コストや製造技術の成熟度から見て、当面の間はシリコンウェーハが半導体産業の中心であり続けると考えられます。高品質で大口径のウェーハを安定的に供給する能力は、国の産業競争力を左右する重要な要素となっています。 |
