カテゴリー：世界, IT/電子, IMARC

世界の化合物半導体市場レポート：タイプ別（III-V族化合物半導体、II-VI族化合物半導体、サファイア、IV-IV族化合物半導体、その他）、製品別（パワー半導体、トランジスタ、集積回路、ダイオードおよび整流器、その他）、堆積技術（化学気相成長、分子線エピタキシー、水素化物気相エピタキシー、アンモニア熱法、原子層堆積、その他）、用途（IT・通信、航空宇宙・防衛、自動車、民生用電子機器、医療、産業・エネルギー・電力）、地域別 2025-2033年

【英語タイトル】Global Compound Semiconductor Market Report : Type (III-V Compound Semiconductor, II-VI Compound Semiconductor, Sapphire, IV-IV Compound Semiconductor, and Others), Product (Power Semiconductor, Transistor, Integrated Circuits, Diodes and Rectifiers, and Others), Deposition Technology (Chemical Vapor Deposition, Molecular Beam Epitaxy, Hydride Vapor Phase Epitaxy, Ammonothermal, Atomic Layer Deposition, and Others), Application (IT and Telecom, Aerospace and Defense, Automotive, Consumer Electronics, Healthcare, Industrial and Energy and Power), and Region 2025-2033

・商品コード：IMA25SM1041
・発行会社（調査会社）：IMARC
・発行日：2025年4月
・ページ数：139
・レポート言語：英語
・レポート形式：PDF
・納品方法：Eメール
・調査対象地域：グローバル
・産業分野：電子・半導体

◆販売価格オプション（消費税別）

Single User	USD2,999 ⇒換算￥431,856	見積依頼/購入/質問フォーム
Five User	USD3,999 ⇒換算￥575,856	見積依頼/購入/質問フォーム
Enterprisewide	USD4,999 ⇒換算￥719,856	見積依頼/購入/質問フォーム

※販売価格オプションの説明
※お支払金額：換算金額（日本円）＋消費税
※納期：即日〜2営業日（3日以上かかる場合は別途表記又はご連絡）
※お支払方法：納品日＋5日以内に請求書を発行・送付（請求書発行日より2ヶ月以内に銀行振込、振込先：三菱UFJ銀行/H&Iグローバルリサーチ株式会社、支払期限と方法は調整可能）

❖ レポートの概要 ❖

世界の化合物半導体市場規模は2024年に1,228億米ドルに達した。今後、IMARC Groupは2033年までに市場規模が1,770億米ドルに達し、2025年から2033年にかけて年平均成長率（CAGR）4.1％で成長すると予測している。高速電子機器、5G通信、省電力デバイスの需要、自動車技術の進歩、LED照明の普及、IoTや再生可能エネルギー技術を含む新興アプリケーションが市場成長を牽引している。

化合物半導体は、周期表の異なる族に属する2つ以上の元素から構成される半導体材料の一種である。単一の元素からなるシリコンやゲルマニウムなどの元素半導体とは異なり、化合物半導体は異なる元素を組み合わせて結晶構造を形成し、独特の電子特性を示す。これらの材料は、優れた電子移動度、広いエネルギーバンドギャップ、高周波デバイス、オプトエレクトロニクス、パワーアンプなどの特定用途における性能向上といった利点を提供します。代表的な化合物半導体には、調整可能な特性により特定の機能向けに設計されたガリウムヒ素（GaAs）、リン化インジウム（InP）、窒化ガリウム（GaN）などがあります。

高速・高周波通信システムへの需要高まりと5Gネットワークの急速な進化が、化合物半導体の必要性を促進し、市場の成長を主に牽引している。これに伴い、高出力・高周波アプリケーションで優れた性能を発揮する窒化ガリウム（GaN）と砒化ガリウム（GaAs）の需要増加が、市場拡大の明るい見通しを生み出している。さらに、省エネルギーソリューションの重要性が高まる中、パワーエレクトロニクス分野における化合物半導体の採用が進み、市場成長を後押ししている。加えて、発光ダイオード（LED）、レーザー、光検出器を含むオプトエレクトロニクスの応用拡大も、重要な成長促進要因として作用している。リン化インジウム（InP）などの化合物半導体は、データ通信、センシング、イメージング技術の進歩を促進し、市場の成長に寄与している。さらに、これらの材料のユニークな特性による様々な産業分野での採用拡大と、それによるイノベーションの促進が市場の成長に貢献している。

化合物半導体市場の動向・推進要因：
高周波通信および5Gネットワーク

高速・大容量通信システムへの需要急増は、化合物半導体の主要な推進要因となっている。世界が5Gネットワークの展開へと移行する中、これらの半導体は高周波数域で効率的に動作する能力を有するため不可欠であり、市場拡大に向けた有望な機会を提供している。さらに、固有の特性により高周波性能に課題を抱えるシリコンなどの従来型元素半導体に対し、窒化ガリウム（GaN）や砒化ガリウム（GaAs）といった化合物半導体の採用が拡大していることも市場拡大を後押ししている。さらに、GaNの高い電子移動度と優れた電力処理能力により、5G基地局、レーダーシステム、衛星通信機器での採用が増加しており、これが市場成長を強化している。

パワーエレクトロニクスとエネルギー効率

エネルギー効率への関心の高まりと再生可能エネルギー源への移行が、パワーエレクトロニクス分野における化合物半導体の採用を促進し、市場成長を後押ししている。シリコン系半導体は高温・高電圧用途において限界がある。しかし、炭化ケイ素（SiC）などの材料は優れた熱伝導性と絶縁破壊電圧を提供し、より効率的なエネルギー変換と電力損失の低減を可能にすることで、市場を牽引している。これと並行して、エネルギー消費の最小化と持続可能性の向上を目的とした電気自動車（EV）、太陽光インバーター、産業用モーター駆動装置におけるSiCの使用増加が、化合物半導体の成長強化に寄与している。

光電子工学およびフォトニクスの進歩

オプトエレクトロニクスの進化は、リン化インジウム（InP）を含む化合物半導体の触媒となっています。InPベースのデバイスは卓越した光学特性を有し、高速データ通信からセンサー、イメージング技術に至る幅広い用途に適しており、これが市場拡大の明るい見通しを生み出しています。さらに、InPベースのレーザーや光検出器は、光通信システム、データセンター、LiDAR（光検出および測距）などの新興技術において不可欠な構成要素であり、その需要を押し上げている。加えて、化合物半導体はLEDや固体照明ソリューションの開発において重要な役割を果たし、様々な分野でエネルギー効率の高い照明オプションを推進している。

化合物半導体産業のセグメンテーション：
IMARC Groupは、2025年から2033年までの世界・地域・国レベルでの予測とともに、グローバル化合物半導体市場レポートの各セグメントにおける主要トレンド分析を提供します。本レポートでは、市場をタイプ、製品、成膜技術、用途に基づいて分類しています。

タイプ別内訳：

• III-V族化合物半導体
• 窒化ガリウム
• ガリウムリン
• ガリウムヒ素
• リン化インジウム
• アンチモン化インジウム
• II-VI族化合物半導体
• セレン化カドミウム
• テルル化カドミウム
• 亜鉛セレン化物
• サファイア
• IV-IV化合物半導体
• その他

III-V族化合物半導体が市場を支配している

本レポートは、タイプ別の市場を詳細に分析・分類している。これにはIII-V族化合物半導体（窒化ガリウム、リン化ガリウム、ヒ素化ガリウム、リン化インジウム、アンチモン化インジウム）、II-VI族化合物半導体（セレン化カドミウム、テルル化カドミウム、セレン化亜鉛）、サファイア、IV-IV族化合物半導体、その他が含まれる。本報告書によれば、III-V族化合物半導体が最大のセグメントを占めている。

窒化ガリウム（GaN）、リン化ガリウム、砒化ガリウム（GaAs）、リン化インジウム（InP）、アンチモン化インジウムを含むIII-V化合物半導体の需要は、ニッチな用途におけるブレークスルーを可能にする独自の材料特性によって推進されています。GaNの卓越した電力処理能力は、高電力電子機器、高周波増幅器、5Gインフラにおける革新を推進している。GaAsの高い電子移動度は無線通信や航空宇宙用途向け高速デバイスを支え、市場成長を牽引している。さらに、InPの優れた光学特性は高速光通信システムに不可欠であり、InSbは熱画像用赤外線検出器に活用されている。こうした需要は、特殊分野における性能限界の拡大においてIII-V族化合物半導体が果たす極めて重要な役割を浮き彫りにしている。

製品別内訳：

• パワー半導体
• トランジスタ
• 集積回路
• ダイオードおよび整流器
• その他

パワー半導体が市場で最大のシェアを占めている

本レポートでは製品別市場の詳細な内訳と分析も提供されている。これにはパワー半導体、トランジスタ、集積回路、ダイオード・整流器、その他が含まれる。レポートによれば、パワー半導体が最大の市場シェアを占めた。

エネルギー効率とパワーエレクトロニクスに革新的な影響を与えるシリコンカーバイド（SiC）や窒化ガリウム（GaN）などのパワー化合物半導体の需要急増が、市場の主要な推進要因の一つである。さらに、SiCの高い熱伝導率と絶縁破壊電圧は、電気自動車、再生可能エネルギーシステム、産業機器におけるエネルギー変換効率を向上させる。GaNの高い電子移動度はコンパクトで効率的な電源を実現し、民生用電子機器や電気自動車充電システムの小型化に寄与している。産業分野が性能向上、エネルギー損失低減、高電力密度を追求する中、パワーコンパウンド半導体は重要な実現技術として台頭し、多様な応用分野での採用を促進することで市場拡大を後押ししている。

堆積技術別内訳：

• 化学気相成長法
• 分子線エピタキシー
• 水素化物気相エピタキシー
• アンモニア熱法
• 原子層堆積法
• その他

化学気相成長法が市場を支配している

本レポートは、成膜技術に基づく市場の詳細な分類と分析を提供している。これには化学気相成長法、分子線エピタキシー、水素化物気相エピタキシー、アンモニア熱法、原子層堆積法、その他が含まれる。レポートによれば、化学気相成長法が最大のセグメントを占めている。

化学気相成長（CVD）は、いくつかの主要な要因により、化合物半導体市場において最大の成膜技術となっている。CVDは、高品質な化合物半導体に不可欠な薄膜材料の成膜において、卓越した均一性と精度を提供し、これが市場の成長を牽引している。さらに、幅広い材料に対応し、様々な基板と互換性があるため、非常に汎用性の高い手法である。加えて、CVDの量産における拡張性と効率性は、電子機器、光電子工学、太陽光発電など様々な用途における化合物半導体の需要を満たす魅力的な選択肢となっている。

用途別内訳：
• IT・通信
• IT・通信
• 航空宇宙・防衛
• 自動車
• 民生用電子機器
• 医療
• 産業・エネルギー・電力

IT・通信分野が市場で最大のシェアを占めている

本レポートでは、用途別の市場詳細分析も提供されている。対象分野はIT・通信、航空宇宙・防衛、自動車、民生用電子機器、医療、産業・エネルギー・電力である。レポートによれば、IT・通信分野が最大の市場シェアを占めている。

IT・通信分野における化合物半導体の利用は、高速データ伝送、ネットワーク、無線通信に対する需要の高まりに対応する能力によって推進されている。窒化ガリウム（GaN）やリン化インジウム（InP）などのこれらの材料は、5Gインフラ、衛星通信、ブロードバンド拡張に不可欠な高周波・高効率デバイスの創出を可能にし、IT・通信業界の様々なアプリケーションにおける採用を促進している。GaNの優れた電力処理特性はRF増幅器や基地局の性能を向上させ、InPの卓越した光学特性は光通信システムの進化を牽引する。業界がより高速で信頼性の高い接続性を追求し続ける中、化合物半導体は次世代の情報交換とデジタル変革を実現する上で不可欠な役割を担っている。

地域別内訳：

• 北米
• アメリカ合衆国
• カナダ
• アジア太平洋
• 中国
• 日本
• インド
• 韓国
• オーストラリア
• インドネシア
• その他
• ヨーロッパ
• ドイツ
• フランス
• イギリス
• イタリア
• スペイン
• ロシア
• その他
• ラテンアメリカ
• ブラジル
• メキシコ
• その他
• 中東・アフリカ

アジア太平洋地域は明らかな優位性を示し、複合半導体市場で最大のシェアを占めている。

本レポートでは、北米（米国およびカナダ）、欧州（ドイツ、フランス、英国、イタリア、スペイン、ロシアなど）、アジア太平洋（中国、日本、インド、韓国、オーストラリア、インドネシアなど）、ラテンアメリカ（ブラジル、メキシコなど）、中東およびアフリカなど、すべての主要地域市場について包括的な分析も提供しています。報告書によれば、アジア太平洋地域が最大の市場シェアを占めている。

アジア太平洋地域の化合物半導体市場は、同地域の強力な製造能力、急速な技術進歩、最先端電子機器への需要急増により、著しい推進力を得ている。韓国、台湾、中国、日本などの国々は半導体強国として台頭し、化合物半導体生産における競争環境を促進している。さらに、同地域における民生用電子機器、5Gネットワークの拡大、自動車技術革新への注力が、高周波通信デバイスからパワーエレクトロニクスに至る幅広い用途での化合物半導体の採用を促進している。加えて、政府の戦略的イニシアチブや研究開発への投資が、アジア太平洋地域を世界的な化合物半導体市場を形成する主要な推進力として位置づける上で貢献している。

競争環境：
世界の化合物半導体市場の競争環境は、技術進歩と市場需要に後押しされ、既存企業と新興企業のダイナミックな相互作用によって特徴づけられている。主要業界リーダーは、研究開発・製造における専門知識を活用し、多様な化合物半導体ソリューションを提供することで、大きな市場シェアを保持している。さらに、提携や戦略的買収により能力を強化し、製品ポートフォリオを拡大している。一方、新興企業は、化合物半導体製造に不可欠な先進的な成膜・製造装置の提供で躍進を遂げている。市場の成長は、通信、自動車、エネルギーなどの産業の融合によっても促進されており、従来の半導体大手がこの分野に参入するきっかけとなり、競争を激化させている。

本レポートでは、市場における競争環境の包括的な分析を提供している。主要企業の詳細なプロファイルも掲載されている。市場における主要プレイヤーの一部は以下の通り：
• インフィニオン・テクノロジーズ AG• マイクロ・ノックス社• マイクロ・ノックス社
• インフィニオン・テクノロジーズ AG
• マイクロチップ・テクノロジー社
• 三菱電機株式会社
• NXPセミコンダクターズN.V.
• オンセミ
• Qorvo Inc.
• ルネサスエレクトロニクス株式会社
• STマイクロエレクトロニクス
• テキサス・インスツルメンツ・インコーポレイテッド
• WINセミコンダクターズ株式会社
• ウルフスピード株式会社

本レポートで回答する主な質問
1. 2024年の世界の化合物半導体市場の規模はどの程度でしたか？
2. 2025年から2033年にかけての世界の化合物半導体市場の予想成長率は？
3. 世界の化合物半導体市場を牽引する主な要因は何か？
4. COVID-19は世界の化合物半導体市場にどのような影響を与えたか？
5. タイプ別に見た世界の化合物半導体市場の構成は？
6. 製品別に見た世界の化合物半導体市場の構成は？
7. 堆積技術に基づく世界の化合物半導体市場の構成は？
8.用途別に見た世界の化合物半導体市場の構成は？
9.世界的な化合物半導体市場における主要地域はどこですか？
10.世界化合物半導体市場の主要プレイヤー／企業は？
10. 世界の化合物半導体市場の主要プレイヤー/企業は？

グローバル市場調査レポート販売サイトのwww.marketreport.jpです。

❖ レポートの目次 ❖

1 序文
2 範囲と方法論
2.1 研究の目的
2.2 関係者
2.3 データソース
2.3.1 一次資料
2.3.2 二次情報源
2.4 市場推定
2.4.1 ボトムアップアプローチ
2.4.2 トップダウンアプローチ
2.5 予測方法論
3 エグゼクティブサマリー
4 はじめに
4.1 概要
4.2 主要な業界動向
5 世界の化合物半導体市場
5.1 市場概要
5.2 市場動向
5.3 COVID-19の影響
5.4 市場予測
6 タイプ別市場分析
6.1 III-V化合物半導体
6.1.1 市場動向
6.1.2 主要セグメント
6.1.2.1 窒化ガリウム
6.1.2.2 リン化ガリウム
6.1.2.3 ガリウムヒ素
6.1.2.4 リン化インジウム
6.1.2.5 砒化インジウム
6.1.3 市場予測
6.2 II-VI化合物半導体
6.2.1 市場動向
6.2.2 主要セグメント
6.2.2.1 セレン化カドミウム
6.2.2.2 カドミウムテルル
6.2.2.3 亜鉛セレン化物
6.2.3 市場予測
6.3 サファイア
6.3.1 市場動向
6.3.2 市場予測
6.4 IV-IV化合物半導体
6.4.1 市場動向
6.4.2 市場予測
6.5 その他
6.5.1 市場動向
6.5.2 市場予測
7 製品別市場分析
7.1 パワー半導体
7.1.1 市場動向
7.1.2 市場予測
7.2 トランジスタ
7.2.1 市場動向
7.2.2 市場予測
7.3 集積回路
7.3.1 市場動向
7.3.2 市場予測
7.4 ダイオードおよび整流器
7.4.1 市場動向
7.4.2 市場予測
7.5 その他
7.5.1 市場動向
7.5.2 市場予測
8 堆積技術別の市場区分
8.1 化学気相成長
8.1.1 市場動向
8.1.2 市場予測
8.2 分子線エピタキシー
8.2.1 市場動向
8.2.2 市場予測
8.3 水素化物気相エピタキシー
8.3.1 市場動向
8.3.2 市場予測
8.4 アンモニア熱法
8.4.1 市場動向
8.4.2 市場予測
8.5 原子層堆積法
8.5.1 市場動向
8.5.2 市場予測
8.6 その他
8.6.1 市場動向
8.6.2 市場予測
9 アプリケーション別市場分析
9.1 IT および通信
9.1.1 市場動向
9.1.2 市場予測
9.2 航空宇宙・防衛
9.2.1 市場動向
9.2.2 市場予測
9.3 自動車
9.3.1 市場動向
9.3.2 市場予測
9.4 民生用電子機器
9.4.1 市場動向
9.4.2 市場予測
9.5 ヘルスケア
9.5.1 市場動向
9.5.2 市場予測
9.6 産業・エネルギー・電力
9.6.1 市場動向
9.6.2 市場予測
10 地域別市場分析
10.1 北米
10.1.1 アメリカ合衆国
10.1.1.1 市場動向
10.1.1.2 市場予測
10.1.2 カナダ
10.1.2.1 市場動向
10.1.2.2 市場予測
10.2 アジア太平洋地域
10.2.1 中国
10.2.1.1 市場動向
10.2.1.2 市場予測
10.2.2 日本
10.2.2.1 市場動向
10.2.2.2 市場予測
10.2.3 インド
10.2.3.1 市場動向
10.2.3.2 市場予測
10.2.4 韓国
10.2.4.1 市場動向
10.2.4.2 市場予測
10.2.5 オーストラリア
10.2.5.1 市場動向
10.2.5.2 市場予測
10.2.6 インドネシア
10.2.6.1 市場動向
10.2.6.2 市場予測
10.2.7 その他
10.2.7.1 市場動向
10.2.7.2 市場予測
10.3 ヨーロッパ
10.3.1 ドイツ
10.3.1.1 市場動向
10.3.1.2 市場予測
10.3.2 フランス
10.3.2.1 市場動向
10.3.2.2 市場予測
10.3.3 イギリス
10.3.3.1 市場動向
10.3.3.2 市場予測
10.3.4 イタリア
10.3.4.1 市場動向
10.3.4.2 市場予測
10.3.5 スペイン
10.3.5.1 市場動向
10.3.5.2 市場予測
10.3.6 ロシア
10.3.6.1 市場動向
10.3.6.2 市場予測
10.3.7 その他
10.3.7.1 市場動向
10.3.7.2 市場予測
10.4 ラテンアメリカ
10.4.1 ブラジル
10.4.1.1 市場動向
10.4.1.2 市場予測
10.4.2 メキシコ
10.4.2.1 市場動向
10.4.2.2 市場予測
10.4.3 その他
10.4.3.1 市場動向
10.4.3.2 市場予測
10.5 中東およびアフリカ
10.5.1 市場動向
10.5.2 国別市場分析
10.5.3 市場予測
11 SWOT分析
11.1 概要
11.2 強み
11.3 弱み
11.4 機会
11.5 脅威
12 バリューチェーン分析
13 ポーターの5つの力分析
13.1 概要
13.2 購買者の交渉力
13.3 供給者の交渉力
13.4 競争の激しさ
13.5 新規参入の脅威
13.6 代替品の脅威
14 価格分析
15 競争環境
15.1 市場構造
15.2 主要プレイヤー
15.3 主要企業の概要
15.3.1 インフィニオン・テクノロジーズAG
15.3.1.1 会社概要
15.3.1.2 製品ポートフォリオ
15.3.1.3 財務状況
15.3.1.4 SWOT分析
15.3.2 マイクロチップ・テクノロジー社
15.3.2.1 会社概要
15.3.2.2 製品ポートフォリオ
15.3.2.3 財務
15.3.2.4 SWOT分析
15.3.3 三菱電機株式会社
15.3.3.1 会社概要
15.3.3.2 製品ポートフォリオ
15.3.3.3 財務
15.3.3.4 SWOT 分析
15.3.4 NXP セミコンダクターズ N.V.
15.3.4.1 会社概要
15.3.4.2 製品ポートフォリオ
15.3.4.3 財務
15.3.4.4 SWOT分析
15.3.5 オンセミ
15.3.5.1 会社概要
15.3.5.2 製品ポートフォリオ
15.3.5.3 財務
15.3.5.4 SWOT分析
15.3.6 Qorvo Inc.
15.3.6.1 会社概要
15.3.6.2 製品ポートフォリオ
15.3.6.3 財務
15.3.6.4 SWOT 分析
15.3.7 ルネサスエレクトロニクス株式会社
15.3.7.1 会社概要
15.3.7.2 製品ポートフォリオ
15.3.7.3 財務
15.3.7.4 SWOT 分析
15.3.8 STマイクロエレクトロニクス
15.3.8.1 会社概要
15.3.8.2 製品ポートフォリオ
15.3.8.3 財務
15.3.8.4 SWOT 分析
15.3.9 テキサス・インスツルメンツ社
15.3.9.1 会社概要
15.3.9.2 製品ポートフォリオ
15.3.9.3 財務
15.3.9.4 SWOT分析
15.3.10 WIN Semiconductors Corp.
15.3.10.1 会社概要
15.3.10.2 製品ポートフォリオ
15.3.10.3 財務
15.3.11 Wolfspeed Inc.
15.3.11.1 会社概要
15.3.11.2 製品ポートフォリオ
15.3.11.3 財務情報
15.3.11.4 SWOT 分析

表1：グローバル：化合物半導体市場：主要産業ハイライト、2024年および2033年
表2：グローバル：化合物半導体市場予測：タイプ別内訳（百万米ドル）、2025-2033年
表3：グローバル：化合物半導体市場予測：製品別内訳（百万米ドル）、2025-2033年
表4：グローバル：化合物半導体市場予測：成膜技術別内訳（百万米ドル）、2025-2033年
表5：グローバル：化合物半導体市場予測：用途別内訳（百万米ドル）、2025-2033年
表6：グローバル：化合物半導体市場予測：地域別内訳（百万米ドル）、2025-2033年
表7：グローバル：化合物半導体市場：競争構造
表8：世界：化合物半導体市場：主要企業

1 Preface
2 Scope and Methodology
2.1 Objectives of the Study
2.2 Stakeholders
2.3 Data Sources
2.3.1 Primary Sources
2.3.2 Secondary Sources
2.4 Market Estimation
2.4.1 Bottom-Up Approach
2.4.2 Top-Down Approach
2.5 Forecasting Methodology
3 Executive Summary
4 Introduction
4.1 Overview
4.2 Key Industry Trends
5 Global Compound Semiconductor Market
5.1 Market Overview
5.2 Market Performance
5.3 Impact of COVID-19
5.4 Market Forecast
6 Market Breakup by Type
6.1 III-V Compound Semiconductor
6.1.1 Market Trends
6.1.2 Key Segments
6.1.2.1 Gallium Nitride
6.1.2.2 Gallium Phosphide
6.1.2.3 Gallium Arsenide
6.1.2.4 Indium Phosphide
6.1.2.5 Indium Antimonide
6.1.3 Market Forecast
6.2 II-VI Compound Semiconductor
6.2.1 Market Trends
6.2.2 Key Segments
6.2.2.1 Cadmium Selenide
6.2.2.2 Cadmium Telluride
6.2.2.3 Zinc Selenide
6.2.3 Market Forecast
6.3 Sapphire
6.3.1 Market Trends
6.3.2 Market Forecast
6.4 IV-IV Compound Semiconductor
6.4.1 Market Trends
6.4.2 Market Forecast
6.5 Others
6.5.1 Market Trends
6.5.2 Market Forecast
7 Market Breakup by Product
7.1 Power Semiconductor
7.1.1 Market Trends
7.1.2 Market Forecast
7.2 Transistor
7.2.1 Market Trends
7.2.2 Market Forecast
7.3 Integrated Circuits
7.3.1 Market Trends
7.3.2 Market Forecast
7.4 Diodes and Rectifiers
7.4.1 Market Trends
7.4.2 Market Forecast
7.5 Others
7.5.1 Market Trends
7.5.2 Market Forecast
8 Market Breakup by Deposition Technology
8.1 Chemical Vapor Deposition
8.1.1 Market Trends
8.1.2 Market Forecast
8.2 Molecular Beam Epitaxy
8.2.1 Market Trends
8.2.2 Market Forecast
8.3 Hydride Vapor Phase Epitaxy
8.3.1 Market Trends
8.3.2 Market Forecast
8.4 Ammonothermal
8.4.1 Market Trends
8.4.2 Market Forecast
8.5 Atomic Layer Deposition
8.5.1 Market Trends
8.5.2 Market Forecast
8.6 Others
8.6.1 Market Trends
8.6.2 Market Forecast
9 Market Breakup by Application
9.1 IT and Telecom
9.1.1 Market Trends
9.1.2 Market Forecast
9.2 Aerospace and Defense
9.2.1 Market Trends
9.2.2 Market Forecast
9.3 Automotive
9.3.1 Market Trends
9.3.2 Market Forecast
9.4 Consumer Electronics
9.4.1 Market Trends
9.4.2 Market Forecast
9.5 Healthcare
9.5.1 Market Trends
9.5.2 Market Forecast
9.6 Industrial and Energy and Power
9.6.1 Market Trends
9.6.2 Market Forecast
10 Market Breakup by Region
10.1 North America
10.1.1 United States
10.1.1.1 Market Trends
10.1.1.2 Market Forecast
10.1.2 Canada
10.1.2.1 Market Trends
10.1.2.2 Market Forecast
10.2 Asia-Pacific
10.2.1 China
10.2.1.1 Market Trends
10.2.1.2 Market Forecast
10.2.2 Japan
10.2.2.1 Market Trends
10.2.2.2 Market Forecast
10.2.3 India
10.2.3.1 Market Trends
10.2.3.2 Market Forecast
10.2.4 South Korea
10.2.4.1 Market Trends
10.2.4.2 Market Forecast
10.2.5 Australia
10.2.5.1 Market Trends
10.2.5.2 Market Forecast
10.2.6 Indonesia
10.2.6.1 Market Trends
10.2.6.2 Market Forecast
10.2.7 Others
10.2.7.1 Market Trends
10.2.7.2 Market Forecast
10.3 Europe
10.3.1 Germany
10.3.1.1 Market Trends
10.3.1.2 Market Forecast
10.3.2 France
10.3.2.1 Market Trends
10.3.2.2 Market Forecast
10.3.3 United Kingdom
10.3.3.1 Market Trends
10.3.3.2 Market Forecast
10.3.4 Italy
10.3.4.1 Market Trends
10.3.4.2 Market Forecast
10.3.5 Spain
10.3.5.1 Market Trends
10.3.5.2 Market Forecast
10.3.6 Russia
10.3.6.1 Market Trends
10.3.6.2 Market Forecast
10.3.7 Others
10.3.7.1 Market Trends
10.3.7.2 Market Forecast
10.4 Latin America
10.4.1 Brazil
10.4.1.1 Market Trends
10.4.1.2 Market Forecast
10.4.2 Mexico
10.4.2.1 Market Trends
10.4.2.2 Market Forecast
10.4.3 Others
10.4.3.1 Market Trends
10.4.3.2 Market Forecast
10.5 Middle East and Africa
10.5.1 Market Trends
10.5.2 Market Breakup by Country
10.5.3 Market Forecast
11 SWOT Analysis
11.1 Overview
11.2 Strengths
11.3 Weaknesses
11.4 Opportunities
11.5 Threats
12 Value Chain Analysis
13 Porters Five Forces Analysis
13.1 Overview
13.2 Bargaining Power of Buyers
13.3 Bargaining Power of Suppliers
13.4 Degree of Competition
13.5 Threat of New Entrants
13.6 Threat of Substitutes
14 Price Analysis
15 Competitive Landscape
15.1 Market Structure
15.2 Key Players
15.3 Profiles of Key Players
15.3.1 Infineon Technologies AG
15.3.1.1 Company Overview
15.3.1.2 Product Portfolio
15.3.1.3 Financials
15.3.1.4 SWOT Analysis
15.3.2 Microchip Technology Inc.
15.3.2.1 Company Overview
15.3.2.2 Product Portfolio
15.3.2.3 Financials
15.3.2.4 SWOT Analysis
15.3.3 Mitsubishi Electric Corporation
15.3.3.1 Company Overview
15.3.3.2 Product Portfolio
15.3.3.3 Financials
15.3.3.4 SWOT Analysis
15.3.4 NXP Semiconductors N.V.
15.3.4.1 Company Overview
15.3.4.2 Product Portfolio
15.3.4.3 Financials
15.3.4.4 SWOT Analysis
15.3.5 onsemi
15.3.5.1 Company Overview
15.3.5.2 Product Portfolio
15.3.5.3 Financials
15.3.5.4 SWOT Analysis
15.3.6 Qorvo Inc.
15.3.6.1 Company Overview
15.3.6.2 Product Portfolio
15.3.6.3 Financials
15.3.6.4 SWOT Analysis
15.3.7 Renesas Electronics Corporation
15.3.7.1 Company Overview
15.3.7.2 Product Portfolio
15.3.7.3 Financials
15.3.7.4 SWOT Analysis
15.3.8 STMicroelectronics
15.3.8.1 Company Overview
15.3.8.2 Product Portfolio
15.3.8.3 Financials
15.3.8.4 SWOT Analysis
15.3.9 Texas Instruments Incorporated
15.3.9.1 Company Overview
15.3.9.2 Product Portfolio
15.3.9.3 Financials
15.3.9.4 SWOT Analysis
15.3.10 WIN Semiconductors Corp.
15.3.10.1 Company Overview
15.3.10.2 Product Portfolio
15.3.10.3 Financials
15.3.11 Wolfspeed Inc.
15.3.11.1 Company Overview
15.3.11.2 Product Portfolio
15.3.11.3 Financials
15.3.11.4 SWOT Analysis

※参考情報

化合物半導体とは、二つ以上の元素から構成される半導体材料のことを指します。一般的なシリコン（Si）やゲルマニウム（Ge）のような単純な半導体とは異なり、化合物半導体は主に金属元素と非金属元素の組み合わせによって形成されます。最も広く知られている化合物半導体の一例には、化学式がGaAs（ガリウム・ヒ素）のものがあります。化合物半導体はその特性から、電子機器や光電子デバイスにおいて重要な役割を果たしています。
化合物半導体は、主に三元系や四元系に分類されます。三元系は、たとえばGaAs、InP（インジウム・リン）、ZnSe（亜鉛・セレン）などがあり、それぞれ異なる電子的性質を持っています。四元系は、例えばInGaAs（インジウム・ガリウム・ヒ素）などで、多元合金として様々なバンドギャップを調整することが可能です。このような多様性が、化合物半導体の特長であり、さまざまな応用に応じた性能を引き出すことができます。

化合物半導体の特長の一つは、その高い電子移動度です。これは、電子が材料内を容易に移動できることを意味します。そのため、高周波数のデバイスや高速な通信技術において非常に重要な役割を果たします。また、化合物半導体は、光学デバイスにおいても特異な特性を持っています。例えば、GaN（ガリウム・ナイトライド）は青色LEDやレーザーダイオードで使用されており、高輝度で効率的な光源を提供します。

さらに、化合物半導体は、より広範囲のバンドギャップを持つことができるため、高温や高電圧条件での動作が求められるデバイスに適しています。たとえば、SiC（炭化ケイ素）やGaNは、高電力トランジスタやパワーエレクトロニクスデバイスの分野で注目を集めています。これにより、エネルギー効率の良い電力変換やモーター制御が可能となります。

加工技術も化合物半導体の発展において重要な要素です。薄膜成長技術やエピタキシャル成長（結晶の成長技術）の進展により、より高品質な結晶の成長が可能となり、デバイスの性能が向上しています。MOCVD（有機金属化学蒸着法）やMBE（分子線エピタキシー）などの方法が広く用いられ、ナノスケールでの精密な構造を実現しているのです。

化合物半導体は、モバイル通信、データセンター、さらには宇宙技術など、幅広い分野で活用されています。特に、5G通信では高速かつ低遅延な通信が求められるため、化合物半導体の導入が進んでいます。また、エネルギー市場においても、再生可能エネルギーの発展に伴い、パワーエレクトロニクスとしての需要が増加しています。

一方で、化合物半導体にはいくつかの課題も存在します。コストが高く、製造プロセスが複雑であるため、大量生産においては単純な半導体よりも不利な点があります。また、化合物半導体の物質特性に応じて、デバイスの設計や製造における試行錯誤が必要となるため、研究開発に多くの時間と資金を要することもあります。

総じて、化合物半導体はその独自の特性により、高性能な電子デバイスや光デバイスの実現においてキーテクノロジーとなっています。今後も、さらなる技術の進歩とともに、新しい応用が開発され、さまざまな分野での利用が期待されています。によって、未来のテクノロジーの進展に大きく寄与することになるでしょう。

★調査レポート[世界の化合物半導体市場レポート：タイプ別（III-V族化合物半導体、II-VI族化合物半導体、サファイア、IV-IV族化合物半導体、その他）、製品別（パワー半導体、トランジスタ、集積回路、ダイオードおよび整流器、その他）、堆積技術（化学気相成長、分子線エピタキシー、水素化物気相エピタキシー、アンモニア熱法、原子層堆積、その他）、用途（IT・通信、航空宇宙・防衛、自動車、民生用電子機器、医療、産業・エネルギー・電力）、地域別 2025-2033年] (コード：IMA25SM1041)販売に関する免責事項を必ずご確認ください。

◆H&Iグローバルリサーチのお客様（例）◆

MarketReport.jp

市場調査レポート・産業資料総合販売サイト www.MarketReport.jp

市場調査レポート・産業資料 総合販売サイト www.MarketReport.jp

市場調査レポート・産業資料総合販売サイト www.MarketReport.jp