1 序文
2 範囲と方法論
2.1 研究の目的
2.2 関係者
2.3 データソース
2.3.1 一次資料
2.3.2 二次情報源
2.4 市場推定
2.4.1 ボトムアップアプローチ
2.4.2 トップダウンアプローチ
2.5 予測方法論
3 エグゼクティブサマリー
4 はじめに
4.1 概要
4.2 主要産業動向
5 世界のディスクリート半導体市場
5.1 市場概要
5.2 市場動向
5.3 COVID-19の影響
5.4 市場予測
6 タイプ別市場分析
6.1 ダイオード
6.1.1 市場動向
6.1.2 主要セグメント
6.1.2.1 汎用整流器
6.1.2.2 高速整流ダイオード
6.1.2.3 スイッチングダイオード
6.1.2.4 ツェナーダイオード
6.1.2.5 ESD保護ダイオード
6.1.2.6 可変容量ダイオード
6.1.3 市場予測
6.2 トランジスタ
6.2.1 市場動向
6.2.2 主要セグメント
6.2.2.1 MOSFET
6.2.2.2 IGBT
6.2.2.3 バイポーラトランジスタ
6.2.3 市場予測
6.3 サイリスタ
6.3.1 市場動向
6.3.2 市場予測
6.4 モジュール
6.4.1 市場動向
6.4.2 市場予測
7 エンドユーザー別市場分析
7.1 自動車
7.1.1 市場動向
7.1.2 市場予測
7.2 民生用電子機器
7.2.1 市場動向
7.2.2 市場予測
7.3 通信
7.3.1 市場動向
7.3.2 市場予測
7.4 産業
7.4.1 市場動向
7.4.2 市場予測
7.5 その他
7.5.1 市場動向
7.5.2 市場予測
8 地域別市場分析
8.1 北米
8.1.1 アメリカ合衆国
8.1.1.1 市場動向
8.1.1.2 市場予測
8.1.2 カナダ
8.1.2.1 市場動向
8.1.2.2 市場予測
8.2 アジア太平洋地域
8.2.1 中国
8.2.1.1 市場動向
8.2.1.2 市場予測
8.2.2 日本
8.2.2.1 市場動向
8.2.2.2 市場予測
8.2.3 インド
8.2.3.1 市場動向
8.2.3.2 市場予測
8.2.4 韓国
8.2.4.1 市場動向
8.2.4.2 市場予測
8.2.5 オーストラリア
8.2.5.1 市場動向
8.2.5.2 市場予測
8.2.6 インドネシア
8.2.6.1 市場動向
8.2.6.2 市場予測
8.2.7 その他
8.2.7.1 市場動向
8.2.7.2 市場予測
8.3 ヨーロッパ
8.3.1 ドイツ
8.3.1.1 市場動向
8.3.1.2 市場予測
8.3.2 フランス
8.3.2.1 市場動向
8.3.2.2 市場予測
8.3.3 イギリス
8.3.3.1 市場動向
8.3.3.2 市場予測
8.3.4 イタリア
8.3.4.1 市場動向
8.3.4.2 市場予測
8.3.5 スペイン
8.3.5.1 市場動向
8.3.5.2 市場予測
8.3.6 ロシア
8.3.6.1 市場動向
8.3.6.2 市場予測
8.3.7 その他
8.3.7.1 市場動向
8.3.7.2 市場予測
8.4 ラテンアメリカ
8.4.1 ブラジル
8.4.1.1 市場動向
8.4.1.2 市場予測
8.4.2 メキシコ
8.4.2.1 市場動向
8.4.2.2 市場予測
8.4.3 その他
8.4.3.1 市場動向
8.4.3.2 市場予測
8.5 中東およびアフリカ
8.5.1 市場動向
8.5.2 国別市場分析
8.5.3 市場予測
9 SWOT分析
9.1 概要
9.2 強み
9.3 弱み
9.4 機会
9.5 脅威
10 バリューチェーン分析
11 ポーターの5つの力分析
11.1 概要
11.2 購買者の交渉力
11.3 供給者の交渉力
11.4 競争の激しさ
11.5 新規参入の脅威
11.6 代替品の脅威
12 価格分析
13 競争環境
13.1 市場構造
13.2 主要プレイヤー
13.3 主要企業のプロファイル
13.3.1 ダイオード・インコーポレイテッド
13.3.1.1 会社概要
13.3.1.2 製品ポートフォリオ
13.3.1.3 財務状況
13.3.2 富士電機株式会社
13.3.2.1 会社概要
13.3.2.2 製品ポートフォリオ
13.3.2.3 財務
13.3.2.4 SWOT 分析
13.3.3 株式会社日立製作所
13.3.3.1 会社概要
13.3.3.2 製品ポートフォリオ
13.3.3.3 財務
13.3.3.4 SWOT 分析
13.3.4 インフィニオン・テクノロジーズ AG
13.3.4.1 会社概要
13.3.4.2 製品ポートフォリオ
13.3.4.3 財務
13.3.4.4 SWOT分析
13.3.5 リテルヒューズ社
13.3.5.1 会社概要
13.3.5.2 製品ポートフォリオ
13.3.5.3 財務
13.3.6 マイクロチップ・テクノロジー社
13.3.6.1 会社概要
13.3.6.2 製品ポートフォリオ
13.3.6.3 財務
13.3.6.4 SWOT 分析
13.3.7 三菱電機株式会社
13.3.7.1 会社概要
13.3.7.2 製品ポートフォリオ
13.3.7.3 財務
13.3.7.4 SWOT 分析
13.3.8 Nexperia（Wingtech Technology）
13.3.8.1 会社概要
13.3.8.2 製品ポートフォリオ
13.3.9 NXPセミコンダクターズN.V.
13.3.9.1 会社概要
13.3.9.2 製品ポートフォリオ
13.3.9.3 財務
13.3.10 オンセミ
13.3.10.1 会社概要
13.3.10.2 製品ポートフォリオ
13.3.10.3 SWOT 分析
13.3.11 Qorvo
13.3.11.1 会社概要
13.3.11.2 製品ポートフォリオ
13.3.11.3 財務
13.3.11.4 SWOT 分析
13.3.12 STマイクロエレクトロニクス
13.3.12.1 会社概要
13.3.12.2 製品ポートフォリオ
13.3.13 台湾セミコンダクター・マニュファクチャリング・カンパニー・リミテッド
13.3.13.1 会社概要
13.3.13.2 製品ポートフォリオ
13.3.13.3 財務情報
13.3.14 東芝デバイス＆ストレージ株式会社（東芝）
13.3.14.1 会社概要
13.3.14.2 製品ポートフォリオ
13.3.14.3 財務情報

表1：グローバル：ディスクリート半導体市場：主要産業ハイライト、2024年および2033年
表2：グローバル：ディスクリート半導体市場予測：タイプ別内訳（百万米ドル）、2025-2033年
表3：グローバル：ディスクリート半導体市場予測：エンドユーザー別内訳（百万米ドル）、2025-2033年
表4：グローバル：ディスクリート半導体市場予測：地域別内訳（百万米ドル）、2025-2033年
表5：グローバル：ディスクリート半導体市場：競争構造
表6：グローバル：ディスクリート半導体市場：主要企業

1 Preface
2 Scope and Methodology
2.1 Objectives of the Study
2.2 Stakeholders
2.3 Data Sources
2.3.1 Primary Sources
2.3.2 Secondary Sources
2.4 Market Estimation
2.4.1 Bottom-Up Approach
2.4.2 Top-Down Approach
2.5 Forecasting Methodology
3 Executive Summary
4 Introduction
4.1 Overview
4.2 Key Industry Trends
5 Global Discrete Semiconductor Market
5.1 Market Overview
5.2 Market Performance
5.3 Impact of COVID-19
5.4 Market Forecast
6 Market Breakup by Type
6.1 Diodes
6.1.1 Market Trends
6.1.2 Key Segments
6.1.2.1 General-Purpose Rectifiers
6.1.2.2 High-Speed Rectifiers
6.1.2.3 Switching Diodes
6.1.2.4 Zener Diodes
6.1.2.5 ESD Protection Diodes
6.1.2.6 Variable-Capacitance Diodes
6.1.3 Market Forecast
6.2 Transistors
6.2.1 Market Trends
6.2.2 Key Segments
6.2.2.1 MOSFET
6.2.2.2 IGBT
6.2.2.3 Bipolar Transistor
6.2.3 Market Forecast
6.3 Thyristor
6.3.1 Market Trends
6.3.2 Market Forecast
6.4 Modules
6.4.1 Market Trends
6.4.2 Market Forecast
7 Market Breakup by End User
7.1 Automotive
7.1.1 Market Trends
7.1.2 Market Forecast
7.2 Consumer Electronics
7.2.1 Market Trends
7.2.2 Market Forecast
7.3 Communication
7.3.1 Market Trends
7.3.2 Market Forecast
7.4 Industrial
7.4.1 Market Trends
7.4.2 Market Forecast
7.5 Others
7.5.1 Market Trends
7.5.2 Market Forecast
8 Market Breakup by Region
8.1 North America
8.1.1 United States
8.1.1.1 Market Trends
8.1.1.2 Market Forecast
8.1.2 Canada
8.1.2.1 Market Trends
8.1.2.2 Market Forecast
8.2 Asia-Pacific
8.2.1 China
8.2.1.1 Market Trends
8.2.1.2 Market Forecast
8.2.2 Japan
8.2.2.1 Market Trends
8.2.2.2 Market Forecast
8.2.3 India
8.2.3.1 Market Trends
8.2.3.2 Market Forecast
8.2.4 South Korea
8.2.4.1 Market Trends
8.2.4.2 Market Forecast
8.2.5 Australia
8.2.5.1 Market Trends
8.2.5.2 Market Forecast
8.2.6 Indonesia
8.2.6.1 Market Trends
8.2.6.2 Market Forecast
8.2.7 Others
8.2.7.1 Market Trends
8.2.7.2 Market Forecast
8.3 Europe
8.3.1 Germany
8.3.1.1 Market Trends
8.3.1.2 Market Forecast
8.3.2 France
8.3.2.1 Market Trends
8.3.2.2 Market Forecast
8.3.3 United Kingdom
8.3.3.1 Market Trends
8.3.3.2 Market Forecast
8.3.4 Italy
8.3.4.1 Market Trends
8.3.4.2 Market Forecast
8.3.5 Spain
8.3.5.1 Market Trends
8.3.5.2 Market Forecast
8.3.6 Russia
8.3.6.1 Market Trends
8.3.6.2 Market Forecast
8.3.7 Others
8.3.7.1 Market Trends
8.3.7.2 Market Forecast
8.4 Latin America
8.4.1 Brazil
8.4.1.1 Market Trends
8.4.1.2 Market Forecast
8.4.2 Mexico
8.4.2.1 Market Trends
8.4.2.2 Market Forecast
8.4.3 Others
8.4.3.1 Market Trends
8.4.3.2 Market Forecast
8.5 Middle East and Africa
8.5.1 Market Trends
8.5.2 Market Breakup by Country
8.5.3 Market Forecast
9 SWOT Analysis
9.1 Overview
9.2 Strengths
9.3 Weaknesses
9.4 Opportunities
9.5 Threats
10 Value Chain Analysis
11 Porters Five Forces Analysis
11.1 Overview
11.2 Bargaining Power of Buyers
11.3 Bargaining Power of Suppliers
11.4 Degree of Competition
11.5 Threat of New Entrants
11.6 Threat of Substitutes
12 Price Analysis
13 Competitive Landscape
13.1 Market Structure
13.2 Key Players
13.3 Profiles of Key Players
13.3.1 Diodes Incorporated
13.3.1.1 Company Overview
13.3.1.2 Product Portfolio
13.3.1.3 Financials
13.3.2 Fuji Electric Co. Ltd.
13.3.2.1 Company Overview
13.3.2.2 Product Portfolio
13.3.2.3 Financials
13.3.2.4 SWOT Analysis
13.3.3 Hitachi Ltd.
13.3.3.1 Company Overview
13.3.3.2 Product Portfolio
13.3.3.3 Financials
13.3.3.4 SWOT Analysis
13.3.4 Infineon Technologies AG
13.3.4.1 Company Overview
13.3.4.2 Product Portfolio
13.3.4.3 Financials
13.3.4.4 SWOT Analysis
13.3.5 Littelfuse Inc.
13.3.5.1 Company Overview
13.3.5.2 Product Portfolio
13.3.5.3 Financials
13.3.6 Microchip Technology Inc.
13.3.6.1 Company Overview
13.3.6.2 Product Portfolio
13.3.6.3 Financials
13.3.6.4 SWOT Analysis
13.3.7 Mitsubishi Electric Corporation
13.3.7.1 Company Overview
13.3.7.2 Product Portfolio
13.3.7.3 Financials
13.3.7.4 SWOT Analysis
13.3.8 Nexperia (Wingtech Technology)
13.3.8.1 Company Overview
13.3.8.2 Product Portfolio
13.3.9 NXP Semiconductors N.V.
13.3.9.1 Company Overview
13.3.9.2 Product Portfolio
13.3.9.3 Financials
13.3.10 Onsemi
13.3.10.1 Company Overview
13.3.10.2 Product Portfolio
13.3.10.3 SWOT Analysis
13.3.11 Qorvo
13.3.11.1 Company Overview
13.3.11.2 Product Portfolio
13.3.11.3 Financials
13.3.11.4 SWOT Analysis
13.3.12 STMicroelectronics
13.3.12.1 Company Overview
13.3.12.2 Product Portfolio
13.3.13 Taiwan Semiconductor Manufacturing Company Limited
13.3.13.1 Company Overview
13.3.13.2 Product Portfolio
13.3.13.3 Financials
13.3.14 Toshiba Electronic Devices & Storage Corporation (Toshiba Corporation)
13.3.14.1 Company Overview
13.3.14.2 Product Portfolio

※参考情報 ディスクリート半導体は、電子回路において特定の機能を持つ単一の素子を指します。これに対し、集積回路(IC)は多くの素子が一つの基板上に統合されているのが特徴です。ディスクリート半導体は、通常、トランジスタ、ダイオード、抵抗器、コンデンサなどの個別の部品から構成されています。これらの部品は、それぞれ異なる電気的特性や機能を持ち、独立した部品として使用されます。 ディスクリート半導体の最も代表的な例は、バイポーラトランジスタ(BJT)やフィールド効果トランジスタ(FET)、整流器であるダイオードです。これらの素子は、電子機器のスイッチング、増幅、整流などの機能を果たすことができます。また、これらの素子は、個別に購入可能であり、設計者は必要に応じて回路に組み込むことができます。 ディスクリート半導体の主な利点は、設計の柔軟性です。回路設計者は特定のアプリケーションに応じて個別の素子を選択できます。そのため、特定の性能を要求される場合や、特定の動作条件に最適化する場合には、ディスクリート素子の方が有利です。また、修理や交換が簡単な点も魅力です。故障した場合に、個別の素子を交換することで全体の回路を再生することが容易になります。 一方で、ディスクリート半導体にはいくつかの欠点も存在します。まず、パフォーマンスの面で、集積回路に比べてサイズや重量が大きくなる傾向があります。特に大量生産されるアプリケーションにおいては、集積回路がコスト効率の面で優位になることが多いです。また、ディスクリート素子を複数使用する場合、接続や配線が複雑になり、信号遅延やノイズの問題が増加する可能性があります。 最近では、ディスクリート半導体の使用シーンも多様化しています。特に、電力変換回路や高周波回路、アナログ信号処理など、特定の条件下での高性能を求められる場面では、ディスクリート素子の選択が重要です。例えば、ガス検知器や温度センサーなどの特殊な用途においては、最適な素子を選ぶことでトータルの性能が向上します。このように、ディスクリート半導体は特定のニーズに応じた最適な解決策を提供する役割を果たしています。 ディスクリート半導体の技術は、常に進化を続けています。新しい材料やプロセス技術の進展により、より高性能で効率的な素子が開発されています。特に、パワーエレクトロニクスの分野では高電圧や高電流に対応する素子が求められ、シリコンカーバイド(SiC)やガリウムナイトライド(GaN)といった新しい材料が注目されています。これにより、ディスクリート素子の性能が向上し、より大きな電力効率を実現しています。 また、ディスクリート半導体は、エレクトロニクスの教育や研究においても重要な役割を果たしています。学生や研究者は、ディスクリート素子を使用することで基本的な電子回路の理解を深めることができ、将来的な技術者としての基盤を築くことができます。回路の設計や実験を通じて、実際の動作を確認したり、理論と実践を結びつけることが可能です。 総じて、ディスクリート半導体は、特定の機能を持つ素子として、電子回路の基本的な構成要素として重要な役割を果たしています。特に柔軟性や修理の容易さから、多様な応用シーンが広がっています。技術の進展に伴い、今後もディスクリート半導体はその重要性を維持し続けるでしょう。