1 序文
2 調査範囲と方法論
2.1 調査目的
2.2 関係者
2.3 データソース
2.3.1 一次情報源
2.3.2 二次情報源
2.4 市場推定手法
2.4.1 ボトムアップアプローチ
2.4.2 トップダウンアプローチ
2.5 予測方法論
3 エグゼクティブサマリー
4 はじめに
4.1 概要
4.2 主要な業界動向
5 世界のゲートドライバIC市場
5.1 市場概要
5.2 市場実績
5.3 COVID-19の影響
5.4 市場予測
6 トランジスタタイプ別市場分析
6.1 MOSFET
6.1.1 市場動向
6.1.2 市場予測
6.2 IGBT
6.2.1 市場動向
6.2.2 市場予測
7 半導体材料別市場分析
7.1 Si
7.1.1 市場動向
7.1.2 市場予測
7.2 SiC
7.2.1 市場動向
7.2.2 市場予測
7.3 GaN
7.3.1 市場動向
7.3.2 市場予測
8 実装方式別市場分析
8.1 オンチップ
8.1.1 市場動向
8.1.2 市場予測
8.2 ディスクリート
8.2.1 市場動向
8.2.2 市場予測
9 絶縁技術別市場分析
9.1 磁気絶縁
9.1.1 市場動向
9.1.2 市場予測
9.2 容量性絶縁
9.2.1 市場動向
9.2.2 市場予測
9.3 光絶縁
9.3.1 市場動向
9.3.2 市場予測
10 用途別市場分析
10.1 住宅用
10.1.1 市場動向
10.1.2 市場予測
10.2 産業用
10.2.1 市場動向
10.2.2 市場予測
10.3 商業用
10.3.1 市場動向
10.3.2 市場予測
11 地域別市場分析
11.1 北米
11.1.1 アメリカ合衆国
11.1.1.1 市場動向
11.1.1.2 市場予測
11.1.2 カナダ
11.1.2.1 市場動向
11.1.2.2 市場予測
11.2 アジア太平洋
11.2.1 中国
11.2.1.1 市場動向
11.2.1.2 市場予測
11.2.2 日本
11.2.2.1 市場動向
11.2.2.2 市場予測
11.2.3 インド
11.2.3.1 市場動向
11.2.3.2 市場予測
11.2.4 韓国
11.2.4.1 市場動向
11.2.4.2 市場予測
11.2.5 オーストラリア
11.2.5.1 市場動向
11.2.5.2 市場予測
11.2.6 インドネシア
11.2.6.1 市場動向
11.2.6.2 市場予測
11.2.7 その他
11.2.7.1 市場動向
11.2.7.2 市場予測
11.3 欧州
11.3.1 ドイツ
11.3.1.1 市場動向
11.3.1.2 市場予測
11.3.2 フランス
11.3.2.1 市場動向
11.3.2.2 市場予測
11.3.3 イギリス
11.3.3.1 市場動向
11.3.3.2 市場予測
11.3.4 イタリア
11.3.4.1 市場動向
11.3.4.2 市場予測
11.3.5 スペイン
11.3.5.1 市場動向
11.3.5.2 市場予測
11.3.6 ロシア
11.3.6.1 市場動向
11.3.6.2 市場予測
11.3.7 その他
11.3.7.1 市場動向
11.3.7.2 市場予測
11.4 ラテンアメリカ
11.4.1 ブラジル
11.4.1.1 市場動向
11.4.1.2 市場予測
11.4.2 メキシコ
11.4.2.1 市場動向
11.4.2.2 市場予測
11.4.3 その他
11.4.3.1 市場動向
11.4.3.2 市場予測
11.5 中東・アフリカ
11.5.1 市場動向
11.5.2 国別市場分析
11.5.3 市場予測
12 SWOT分析
12.1 概要
12.2 強み
12.3 弱み
12.4 機会
12.5 脅威
13 バリューチェーン分析
14 ポーターの5つの力分析
14.1 概要
14.2 購買者の交渉力
14.3 供給者の交渉力
14.4 競争の度合い
14.5 新規参入の脅威
14.6 代替品の脅威
15 価格分析
16 競争環境
16.1 市場構造
16.2 主要プレイヤー
16.3 主要プレイヤーのプロファイル
16.3.1 日立パワーデバイス株式会社（株式会社日立製作所）
16.3.1.1 会社概要
16.3.1.2 製品ポートフォリオ
16.3.2 インフィニオン・テクノロジーズAG
16.3.2.1 会社概要
16.3.2.2 製品ポートフォリオ
16.3.2.3 財務状況
16.3.2.4 SWOT分析
16.3.3 マイクロチップ・テクノロジー社
16.3.3.1 会社概要
16.3.3.2 製品ポートフォリオ
16.3.3.3 財務状況
16.3.3.4 SWOT分析
16.3.4 Mouser Electronics（TTI Inc.、Berkshire Hathaway Inc.）
16.3.4.1 会社概要
16.3.4.2 製品ポートフォリオ
16.3.5 NXP Semiconductors N.V.
16.3.5.1 会社概要
16.3.5.2 製品ポートフォリオ
16.3.5.3 財務状況
16.3.5.4 SWOT分析
16.3.6 オンセミ
16.3.6.1 会社概要
16.3.6.2 製品ポートフォリオ
16.3.6.3 財務状況
16.3.6.4 SWOT分析
16.3.7 ルネサス エレクトロニクス株式会社
16.3.7.1 会社概要
16.3.7.2 製品ポートフォリオ
16.3.7.3 財務状況
16.3.7.4 SWOT分析
16.3.8 ロームセミコンダクタ
16.3.8.1 会社概要
16.3.8.2 製品ポートフォリオ
16.3.8.3 財務状況
16.3.8.4 SWOT分析
16.3.9 Semtech Corporation
16.3.9.1 会社概要
16.3.9.2 製品ポートフォリオ
16.3.9.3 財務状況
16.3.10 STマイクロエレクトロニクス
16.3.10.1 会社概要
16.3.10.2 製品ポートフォリオ
16.3.11 テキサス・インスツルメンツ
16.3.11.1 会社概要
16.3.11.2 製品ポートフォリオ
16.3.11.3 財務状況
16.3.11.4 SWOT分析
16.3.12 東芝株式会社
16.3.12.1 会社概要
16.3.12.2 製品ポートフォリオ
16.3.12.3 財務状況
16.3.12.4 SWOT分析

図1：グローバル：ゲートドライバIC市場：主要な推進要因と課題
図2：グローバル：ゲートドライバIC市場：売上高（10億米ドル）、2017-2022年
図3：グローバル：ゲートドライバIC市場予測：売上高（10億米ドル）、2023-2028年
図4：グローバル：ゲートドライバIC市場：トランジスタタイプ別内訳（%）、2022年
図5：グローバル：ゲートドライバIC市場：半導体材料別内訳（%）、2022年
図6：グローバル：ゲートドライバIC市場：実装方式別内訳（%）、2022年
図7：グローバル：ゲートドライバIC市場：絶縁技術別内訳（%）、2022年
図8：グローバル：ゲートドライバIC市場：用途別内訳（%）、2022年
図9：グローバル：ゲートドライバIC市場：地域別内訳（%）、2022年
図10：グローバル：ゲートドライバIC（MOSFET）市場：売上高（百万米ドル）、2017年及び2022年
図11：グローバル：ゲートドライバIC（MOSFET）市場予測：売上高（百万米ドル）、2023年～2028年
図12：グローバル：ゲートドライバIC（IGBT）市場：売上高（百万米ドル）、2017年及び2022年
図13：グローバル：ゲートドライバIC（IGBT）市場予測：売上高（百万米ドル）、2023年～2028年
図14：グローバル：ゲートドライバIC（Si）市場：売上高（百万米ドル）、2017年及び2022年
図15：グローバル：ゲートドライバIC（Si）市場予測：売上高（百万米ドル）、2023-2028年
図16：グローバル：ゲートドライバIC（SiC）市場：売上高（百万米ドル）、2017年及び2022年
図17：グローバル：ゲートドライバIC（SiC）市場予測：売上高（百万米ドル）、2023-2028年
図18：グローバル：ゲートドライバIC（GaN）市場：売上高（百万米ドル）、2017年及び2022年
図19：グローバル：ゲートドライバIC（GaN）市場予測：売上高（百万米ドル）、2023-2028年
図20：グローバル：ゲートドライバIC（オンチップ）市場：売上高（百万米ドル）、2017年及び2022年
図21：グローバル：ゲートドライバIC（オンチップ）市場予測：売上高（百万米ドル）、2023-2028年
図22：グローバル：ゲートドライバIC（ディスクリート）市場：売上高（百万米ドル）、2017年及び2022年
図23：グローバル：ゲートドライバIC（ディスクリート）市場予測：売上高（百万米ドル）、2023-2028年
図24：グローバル：ゲートドライバIC（磁気絶縁）市場：売上高（百万米ドル）、2017年及び2022年
図25：グローバル：ゲートドライバIC（磁気絶縁）市場予測：売上高（百万米ドル）、2023-2028年
図26：グローバル：ゲートドライバIC（容量性絶縁）市場：売上高（百万米ドル）、2017年及び2022年
図27：グローバル：ゲートドライバIC（容量性絶縁）市場予測：売上高（百万米ドル）、2023-2028年
図28：グローバル：ゲートドライバIC（光絶縁）市場：売上高（百万米ドル）、2017年及び2022年
図29：グローバル：ゲートドライバIC（光絶縁）市場予測：売上高（百万米ドル）、2023-2028年
図30：グローバル：ゲートドライバIC（住宅用）市場：売上高（百万米ドル）、2017年及び2022年
図31：グローバル：ゲートドライバIC（住宅用）市場予測：売上高（百万米ドル）、2023-2028年
図32：グローバル：ゲートドライバIC（産業用）市場：売上高（百万米ドル）、2017年及び2022年
図33：グローバル：ゲートドライバIC（産業用）市場予測：売上高（百万米ドル）、2023-2028年
図34：グローバル：ゲートドライバIC（商業用）市場：売上高（百万米ドル）、2017年及び2022年
図35：グローバル：ゲートドライバIC（商業用）市場予測：売上高（百万米ドル）、2023-2028年
図36：北米：ゲートドライバIC市場：売上高（百万米ドル）、2017年及び2022年
図37：北米：ゲートドライバIC市場予測：売上高（百万米ドル）、2023-2028年
図38：米国：ゲートドライバIC市場：売上高（百万米ドル）、2017年及び2022年
図39：米国：ゲートドライバIC市場予測：売上高（百万米ドル）、2023-2028年
図40：カナダ：ゲートドライバIC市場：売上高（百万米ドル）、2017年及び2022年
図41：カナダ：ゲートドライバIC市場予測：売上高（百万米ドル）、2023-2028年
図42：アジア太平洋地域：ゲートドライバIC市場：売上高（百万米ドル）、2017年及び2022年
図43：アジア太平洋地域：ゲートドライバIC市場予測：売上高（百万米ドル）、2023年～2028年
図44：中国：ゲートドライバIC市場：売上高（百万米ドル）、2017年及び2022年
図45：中国：ゲートドライバIC市場予測：売上高（百万米ドル）、2023-2028年
図46：日本：ゲートドライバIC市場：売上高（百万米ドル）、2017年及び2022年
図47：日本：ゲートドライバIC市場予測：売上高（百万米ドル）、2023-2028年
図48：インド：ゲートドライバIC市場：売上高（百万米ドル）、2017年及び2022年
図49：インド：ゲートドライバIC市場予測：売上高（百万米ドル）、2023-2028年
図50：韓国：ゲートドライバIC市場：売上高（百万米ドル）、2017年及び2022年
図51：韓国：ゲートドライバIC市場予測：売上高（百万米ドル）、2023年～2028年
図52：オーストラリア：ゲートドライバIC市場：売上高（百万米ドル）、2017年及び2022年
図53：オーストラリア：ゲートドライバIC市場予測：売上高（百万米ドル）、2023-2028年
図54：インドネシア：ゲートドライバIC市場：売上高（百万米ドル）、2017年及び2022年
図55：インドネシア：ゲートドライバIC市場予測：売上高（百万米ドル）、2023年～2028年
図56：その他地域：ゲートドライバIC市場：売上高（百万米ドル）、2017年及び2022年
図57：その他地域：ゲートドライバIC市場予測：売上高（百万米ドル）、2023-2028年
図58：欧州：ゲートドライバIC市場：売上高（百万米ドル）、2017年及び2022年
図59：欧州：ゲートドライバIC市場予測：売上高（百万米ドル）、2023年～2028年
図60：ドイツ：ゲートドライバIC市場：売上高（百万米ドル）、2017年及び2022年
図61：ドイツ：ゲートドライバIC市場予測：売上高（百万米ドル）、2023-2028年
図62：フランス：ゲートドライバIC市場：売上高（百万米ドル）、2017年及び2022年
図63：フランス：ゲートドライバIC市場予測：売上高（百万米ドル）、2023-2028年
図64：英国：ゲートドライバIC市場：売上高（百万米ドル）、2017年及び2022年
図65：英国：ゲートドライバIC市場予測：売上高（百万米ドル）、2023-2028年
図66：イタリア：ゲートドライバIC市場：売上高（百万米ドル）、2017年及び2022年
図67：イタリア：ゲートドライバIC市場予測：売上高（百万米ドル）、2023年～2028年
図68：スペイン：ゲートドライバIC市場：売上高（百万米ドル）、2017年及び2022年
図69：スペイン：ゲートドライバIC市場予測：売上高（百万米ドル）、2023年～2028年
図70：ロシア：ゲートドライバIC市場：売上高（百万米ドル）、2017年及び2022年
図71：ロシア：ゲートドライバIC市場予測：売上高（百万米ドル）、2023年～2028年
図72：その他地域：ゲートドライバIC市場：売上高（百万米ドル）、2017年及び2022年
図73：その他地域：ゲートドライバIC市場予測：売上高（百万米ドル）、2023-2028年
図74：ラテンアメリカ：ゲートドライバIC市場：売上高（百万米ドル）、2017年及び2022年
図75：ラテンアメリカ：ゲートドライバIC市場予測：売上高（百万米ドル）、2023年～2028年
図76：ブラジル：ゲートドライバIC市場：売上高（百万米ドル）、2017年及び2022年
図77：ブラジル：ゲートドライバIC市場予測：売上高（百万米ドル）、2023-2028年
図78：メキシコ：ゲートドライバIC市場：売上高（百万米ドル）、2017年及び2022年
図79：メキシコ：ゲートドライバIC市場予測：売上高（百万米ドル）、2023-2028年
図80：その他地域：ゲートドライバIC市場：売上高（百万米ドル）、2017年及び2022年
図81：その他地域：ゲートドライバIC市場予測：売上高（百万米ドル）、2023年～2028年
図82：中東・アフリカ：ゲートドライバIC市場：売上高（百万米ドル）、2017年及び2022年
図83：中東・アフリカ：ゲートドライバIC市場：国別内訳（％）、2022年
図84：中東・アフリカ：ゲートドライバIC市場予測：売上高（百万米ドル）、2023-2028年
図85：グローバル：ゲートドライバIC産業：SWOT分析
図86：グローバル：ゲートドライバIC産業：バリューチェーン分析
図87：グローバル：ゲートドライバIC産業：ポーターの5つの力分析

1 Preface
2 Scope and Methodology
2.1 Objectives of the Study
2.2 Stakeholders
2.3 Data Sources
2.3.1 Primary Sources
2.3.2 Secondary Sources
2.4 Market Estimation
2.4.1 Bottom-Up Approach
2.4.2 Top-Down Approach
2.5 Forecasting Methodology
3 Executive Summary
4 Introduction
4.1 Overview
4.2 Key Industry Trends
5 Global Gate Driver IC Market
5.1 Market Overview
5.2 Market Performance
5.3 Impact of COVID-19
5.4 Market Forecast
6 Market Breakup by Transistor Type
6.1 MOSFET
6.1.1 Market Trends
6.1.2 Market Forecast
6.2 IGBT
6.2.1 Market Trends
6.2.2 Market Forecast
7 Market Breakup by Semiconductor Material
7.1 Si
7.1.1 Market Trends
7.1.2 Market Forecast
7.2 SiC
7.2.1 Market Trends
7.2.2 Market Forecast
7.3 GaN
7.3.1 Market Trends
7.3.2 Market Forecast
8 Market Breakup by Mode of Attachment
8.1 On-Chip
8.1.1 Market Trends
8.1.2 Market Forecast
8.2 Discrete
8.2.1 Market Trends
8.2.2 Market Forecast
9 Market Breakup by Isolation Technique
9.1 Magnetic Isolation
9.1.1 Market Trends
9.1.2 Market Forecast
9.2 Capacitive Isolation
9.2.1 Market Trends
9.2.2 Market Forecast
9.3 Optical Isolation
9.3.1 Market Trends
9.3.2 Market Forecast
10 Market Breakup by Application
10.1 Residential
10.1.1 Market Trends
10.1.2 Market Forecast
10.2 Industrial
10.2.1 Market Trends
10.2.2 Market Forecast
10.3 Commercial
10.3.1 Market Trends
10.3.2 Market Forecast
11 Market Breakup by Region
11.1 North America
11.1.1 United States
11.1.1.1 Market Trends
11.1.1.2 Market Forecast
11.1.2 Canada
11.1.2.1 Market Trends
11.1.2.2 Market Forecast
11.2 Asia-Pacific
11.2.1 China
11.2.1.1 Market Trends
11.2.1.2 Market Forecast
11.2.2 Japan
11.2.2.1 Market Trends
11.2.2.2 Market Forecast
11.2.3 India
11.2.3.1 Market Trends
11.2.3.2 Market Forecast
11.2.4 South Korea
11.2.4.1 Market Trends
11.2.4.2 Market Forecast
11.2.5 Australia
11.2.5.1 Market Trends
11.2.5.2 Market Forecast
11.2.6 Indonesia
11.2.6.1 Market Trends
11.2.6.2 Market Forecast
11.2.7 Others
11.2.7.1 Market Trends
11.2.7.2 Market Forecast
11.3 Europe
11.3.1 Germany
11.3.1.1 Market Trends
11.3.1.2 Market Forecast
11.3.2 France
11.3.2.1 Market Trends
11.3.2.2 Market Forecast
11.3.3 United Kingdom
11.3.3.1 Market Trends
11.3.3.2 Market Forecast
11.3.4 Italy
11.3.4.1 Market Trends
11.3.4.2 Market Forecast
11.3.5 Spain
11.3.5.1 Market Trends
11.3.5.2 Market Forecast
11.3.6 Russia
11.3.6.1 Market Trends
11.3.6.2 Market Forecast
11.3.7 Others
11.3.7.1 Market Trends
11.3.7.2 Market Forecast
11.4 Latin America
11.4.1 Brazil
11.4.1.1 Market Trends
11.4.1.2 Market Forecast
11.4.2 Mexico
11.4.2.1 Market Trends
11.4.2.2 Market Forecast
11.4.3 Others
11.4.3.1 Market Trends
11.4.3.2 Market Forecast
11.5 Middle East and Africa
11.5.1 Market Trends
11.5.2 Market Breakup by Country
11.5.3 Market Forecast
12 SWOT Analysis
12.1 Overview
12.2 Strengths
12.3 Weaknesses
12.4 Opportunities
12.5 Threats
13 Value Chain Analysis
14 Porters Five Forces Analysis
14.1 Overview
14.2 Bargaining Power of Buyers
14.3 Bargaining Power of Suppliers
14.4 Degree of Competition
14.5 Threat of New Entrants
14.6 Threat of Substitutes
15 Price Analysis
16 Competitive Landscape
16.1 Market Structure
16.2 Key Players
16.3 Profiles of Key Players
16.3.1 Hitachi Power Semiconductor Device Ltd. (Hitachi Ltd.)
16.3.1.1 Company Overview
16.3.1.2 Product Portfolio
16.3.2 Infineon Technologies AG
16.3.2.1 Company Overview
16.3.2.2 Product Portfolio
16.3.2.3 Financials
16.3.2.4 SWOT Analysis
16.3.3 Microchip Technology Inc.
16.3.3.1 Company Overview
16.3.3.2 Product Portfolio
16.3.3.3 Financials
16.3.3.4 SWOT Analysis
16.3.4 Mouser Electronics (TTI Inc., Berkshire Hathaway Inc.)
16.3.4.1 Company Overview
16.3.4.2 Product Portfolio
16.3.5 NXP Semiconductors N.V.
16.3.5.1 Company Overview
16.3.5.2 Product Portfolio
16.3.5.3 Financials
16.3.5.4 SWOT Analysis
16.3.6 Onsemi
16.3.6.1 Company Overview
16.3.6.2 Product Portfolio
16.3.6.3 Financials
16.3.6.4 SWOT Analysis
16.3.7 Renesas Electronics Corporation
16.3.7.1 Company Overview
16.3.7.2 Product Portfolio
16.3.7.3 Financials
16.3.7.4 SWOT Analysis
16.3.8 Rohm Semiconductor
16.3.8.1 Company Overview
16.3.8.2 Product Portfolio
16.3.8.3 Financials
16.3.8.4 SWOT Analysis
16.3.9 Semtech Corporation
16.3.9.1 Company Overview
16.3.9.2 Product Portfolio
16.3.9.3 Financials
16.3.10 STMicroelectronics
16.3.10.1 Company Overview
16.3.10.2 Product Portfolio
16.3.11 Texas Instruments Incorporated
16.3.11.1 Company Overview
16.3.11.2 Product Portfolio
16.3.11.3 Financials
16.3.11.4 SWOT Analysis
16.3.12 Toshiba Corporation
16.3.12.1 Company Overview
16.3.12.2 Product Portfolio
16.3.12.3 Financials
16.3.12.4 SWOT Analysis

※参考情報 ゲートドライバIC（Gate Driver IC）は、パワーMOSFETやIGBT（絶縁ゲートバイポーラトランジスタ）などのスイッチング素子を制御するための集積回路です。これらの素子は、高電圧や高電流を扱うアプリケーションで広く使用されており、高効率かつ高スピードのスイッチングが求められます。ゲートドライバICは、これらのスイッチング素子に適切な電圧を供給し、効果的にオン・オフする役割を果たします。 ゲートドライバICの基本的な機能は、スイッチング素子のゲートに必要な電圧を供給し、正確かつ迅速にゲートを駆動することです。これにより、スイッチング素子のスイッチング速度を向上させ、全体のエネルギー効率を高めることができます。また、ゲートドライバICには、過電流保護、過電圧保護、短絡保護などの安全機能が組み込まれている場合もあり、システムの信頼性向上に寄与します。 ゲートドライバICは、大きく分けて二つの種類があります。一つは、単一チャンネルゲートドライバで、1つのスイッチング素子を制御します。もう一つは、デュアルチャンネルゲートドライバで、2つのスイッチング素子を同時に制御することができます。デュアルチャンネルタイプは、ブリッジ回路やバックトゥバックコンフィギュレーションのような複雑なアプリケーションに適しており、高効率な運転が実現できます。 このようなゲートドライバICの用途は多岐にわたります。まず、産業用モーター制御に利用されることが多く、サーボモーターやブラシレスDCモーターの精密制御において重要な役割を担っています。また、太陽光発電システムや風力発電システムのインバータにも使用され、再生可能エネルギーの効率的な変換に貢献しています。さらに、電気自動車やハイブリッド車のパワートレインにも欠かせない存在であり、大電流と高電圧を扱いながらも厳しいスペース制約や熱管理が求められる環境での動作が必要とされています。 関連技術としては、パワーエレクトロニクスが挙げられます。パワーエレクトロニクスは、電力の変換、制御、調整を行う技術であり、ゲートドライバICはこの分野において不可欠な要素です。また、最新のスイッチング素子技術、例えばシリコンカーバイド（SiC）やガリウムナイトライド（GaN）などのワイドバンドギャップ半導体に対するゲートドライバICの設計も進化しています。これらの素材は、より高温環境において動作可能で、高いスイッチング速度と効率を提供しますが、同時に特有の設計上の課題も伴います。 これらの進展により、ゲートドライバICの設計家やエンジニアは、新しい材料に最適な駆動方式や回路設計を求められることが多くなっています。また、FPGA（フィールドプログラマブルゲートアレイ）を用いて、柔軟な回路構成が可能になり、システムの要求に応じたカスタマイズが容易になっています。 さらに、ゲートドライバICの市場は拡大しており、特に電気自動車市場や再生可能エネルギー関連の需要が高まる中で、今後も重要性が増すと考えられます。エネルギー効率を向上させるための次世代技術への対応や、システム全体の信頼性を高める設計が求められる現代において、ゲートドライバICの役割はますます大きくなっています。このような背景から、ゲートドライバICは今後も多くの技術革新とともに進化していくでしょう。