1 序文
2 調査範囲と方法論
2.1 調査の目的
2.2 ステークホルダー
2.3 データソース
2.3.1 一次情報源
2.3.2 二次情報源
2.4 市場推定
2.4.1 ボトムアップアプローチ
2.4.2 トップダウンアプローチ
2.5 予測方法
3 エグゼクティブ・サマリー
4 はじめに
4.1 概要
4.2 主要産業動向
5 世界のゲートドライバIC市場
5.1 市場概要
5.2 市場パフォーマンス
5.3 COVID-19の影響
5.4 市場予測
6 トランジスタタイプ別市場
6.1 MOSFET
6.1.1 市場動向
6.1.2 市場予測
6.2 IGBT
6.2.1 市場動向
6.2.2 市場予測
7 半導体材料別市場内訳
7.1 Si
7.1.1 市場動向
7.1.2 市場予測
7.2 SiC
7.2.1 市場動向
7.2.2 市場予測
7.3 GaN
7.3.1 市場動向
7.3.2 市場予測
8 搭載形態別市場内訳
8.1 オンチップ
8.1.1 市場動向
8.1.2 市場予測
8.2 ディスクリート
8.2.1 市場動向
8.2.2 市場予測
9 アイソレーション技術別市場内訳
9.1 磁気絶縁
9.1.1 市場動向
9.1.2 市場予測
9.2 静電容量式アイソレーション
9.2.1 市場動向
9.2.2 市場予測
9.3 光絶縁
9.3.1 市場動向
9.3.2 市場予測
10 用途別市場
10.1 家庭用
10.1.1 市場動向
10.1.2 市場予測
10.2 産業用
10.2.1 市場動向
10.2.2 市場予測
10.3 業務用
10.3.1 市場動向
10.3.2 市場予測
11 地域別市場内訳
11.1 北米
11.1.1 米国
11.1.1.1 市場動向
11.1.1.2 市場予測
11.1.2 カナダ
11.1.2.1 市場動向
11.1.2.2 市場予測
11.2 アジア太平洋
11.2.1 中国
11.2.1.1 市場動向
11.2.1.2 市場予測
11.2.2 日本
11.2.2.1 市場動向
11.2.2.2 市場予測
11.2.3 インド
11.2.3.1 市場動向
11.2.3.2 市場予測
11.2.4 韓国
11.2.4.1 市場動向
11.2.4.2 市場予測
11.2.5 オーストラリア
11.2.5.1 市場動向
11.2.5.2 市場予測
11.2.6 インドネシア
11.2.6.1 市場動向
11.2.6.2 市場予測
11.2.7 その他
11.2.7.1 市場動向
11.2.7.2 市場予測
11.3 欧州
11.3.1 ドイツ
11.3.1.1 市場動向
11.3.1.2 市場予測
11.3.2 フランス
11.3.2.1 市場動向
11.3.2.2 市場予測
11.3.3 イギリス
11.3.3.1 市場動向
11.3.3.2 市場予測
11.3.4 イタリア
11.3.4.1 市場動向
11.3.4.2 市場予測
11.3.5 スペイン
11.3.5.1 市場動向
11.3.5.2 市場予測
11.3.6 ロシア
11.3.6.1 市場動向
11.3.6.2 市場予測
11.3.7 その他
11.3.7.1 市場動向
11.3.7.2 市場予測
11.4 中南米
11.4.1 ブラジル
11.4.1.1 市場動向
11.4.1.2 市場予測
11.4.2 メキシコ
11.4.2.1 市場動向
11.4.2.2 市場予測
11.4.3 その他
11.4.3.1 市場動向
11.4.3.2 市場予測
11.5 中東・アフリカ
11.5.1 市場動向
11.5.2 国別市場内訳
11.5.3 市場予測
12 SWOT分析
12.1 概要
12.2 長所
12.3 弱点
12.4 機会
12.5 脅威
13 バリューチェーン分析
14 ポーターズファイブフォース分析
14.1 概要
14.2 買い手の交渉力
14.3 供給者の交渉力
14.4 競争の程度
14.5 新規参入の脅威
14.6 代替品の脅威
15 価格分析
16 競争環境
16.1 市場構造
16.2 主要プレーヤー
16.3 主要プレーヤーのプロフィール
16.3.1 日立パワーセミコンダクタデバイス (株式会社日立製作所)
16.3.1.1 会社概要
16.3.1.2 製品ポートフォリオ
16.3.2 インフィニオンテクノロジーズAG
16.3.2.1 会社概要
16.3.2.2 製品ポートフォリオ
16.3.2.3 財務
16.3.2.4 SWOT分析
16.3.3 マイクロチップ・テクノロジー社
16.3.3.1 会社概要
16.3.3.2 製品ポートフォリオ
16.3.3.3 財務
16.3.3.4 SWOT分析
16.3.4 マウザーエレクトロニクス（TTI社、バークシャー・ハサウェイ社）
16.3.4.1 会社概要
16.3.4.2 製品ポートフォリオ
16.3.5 NXPセミコンダクターズN.V.
16.3.5.1 会社概要
16.3.5.2 製品ポートフォリオ
16.3.5.3 財務
16.3.5.4 SWOT分析
16.3.6 オンセミ
16.3.6.1 会社概要
16.3.6.2 製品ポートフォリオ
16.3.6.3 財務
16.3.6.4 SWOT分析
16.3.7 ルネサス エレクトロニクス
16.3.7.1 会社概要
16.3.7.2 製品ポートフォリオ
16.3.7.3 財務
16.3.7.4 SWOT分析
16.3.8 ローム・セミコンダクター
16.3.8.1 会社概要
16.3.8.2 製品ポートフォリオ
16.3.8.3 財務
16.3.8.4 SWOT分析
16.3.9 セムテック・コーポレーション
16.3.9.1 会社概要
16.3.9.2 製品ポートフォリオ
16.3.9.3 財務
16.3.10 STMマイクロエレクトロニクス
16.3.10.1 会社概要
16.3.10.2 製品ポートフォリオ
16.3.11 テキサス・インスツルメンツ・インコーポレイテッド
16.3.11.1 会社概要
16.3.11.2 製品ポートフォリオ
16.3.11.3 財務
16.3.11.4 SWOT分析
16.3.12 株式会社東芝
16.3.12.1 会社概要
16.3.12.2 製品ポートフォリオ
16.3.12.3 財務
16.3.12.4 SWOT分析
| ※参考情報 ゲートドライバICは、パワーMOSFETやIGBTなどのスイッチング素子を制御するための集積回路です。これらの素子は、電力変換やモータードライブ、スイッチング電源など多くの用途で使用されます。ゲートドライバICは、負荷に応じてスイッチング素子のゲートを適切に駆動し、効率的なエネルギー転送を実現します。 ゲートドライバICの主な機能は、スイッチング素子のゲート電圧を迅速に上昇させたり下降させたりすることです。これにより、スイッチング損失を最小限に抑え、全体の効率を向上させることが可能です。特に高周波数での駆動が求められる用途においては、信号の立ち上がり時間や立ち下がり時間が非常に重要です。このため、ゲートドライバICは高出力のトランジスタを内蔵し、急速な電流供給を行うことができます。 ゲートドライバICの種類には、単独のドライバと複数チャネルを持つドライバがあります。単独のドライバは、1つのスイッチング素子を駆動するために使用されます。一方、複数チャネルのドライバは、複数のスイッチング素子を同時に制御できるため、ブリッジ回路やHブリッジ回路などに適しています。また、ゲートドライバICは、絶対値、低サージ電圧、デュアルドライブなどのさまざまな特性を持つ製品があるため、用途に応じて選択することが重要です。 用途としては、電源装置や電動モーター、オーディオアンプ、再生可能エネルギーシステム（太陽光発電や風力発電）のインバータ、電気自動車の駆動システムなどが挙げられます。特に、電動モーターの制御においては、高効率化が求められるため、ゲートドライバICの役割は非常に重要です。 さらに、近年ではパワーエレクトロニクスの分野で高効率・高密度化が進んでおり、それに伴いゲートドライバICの進化も求められています。高電圧駆動や高温環境下での安定動作を実現するための材料や技術、構造の改良が進められています。たとえば、GaN（窒化ガリウム）やSiC（炭化ケイ素）などの新しい半導体材料を用いた素子が登場し、それに対応したゲートドライバICも増えてきています。このような新技術は、さらなる効率向上や省スペース化を実現します。 また、ゲートドライバICの開発には、デバイスのモデリング、シミュレーション技術も不可欠です。また、EMI（電磁干渉）対策や熱管理技術も考慮されるべき要素です。高出力のスイッチングが行われる場合、発生するノイズや熱はシステム全体の信頼性に影響を与える可能性があります。そのため、設計時にはこれらの要素を十分に考慮することが必要です。 ゲートドライバICの選定にあたっては、駆動するスイッチング素子の特性や動作周波数、必要な出力電流、入出力の絶縁要件などを考慮することが重要です。これにより、最適な性能を発揮するゲートドライバICを選定することができ、システムの全体効率を向上させることができます。 このように、ゲートドライバICは様々なアプリケーションにおいて重要な役割を果たしています。そのため、パワーエレクトロニクス分野では、今後も進化が続き、新しい技術や材料の登場が期待されています。 |
❖ 世界のゲートドライバIC市場に関するよくある質問(FAQ) ❖
・ゲートドライバICの世界市場規模は？
→IMARC社は2023年のゲートドライバICの世界市場規模を15億米ドルと推定しています。
・ゲートドライバICの世界市場予測は？
→IMARC社は2032年のゲートドライバICの世界市場規模を24億米ドルと予測しています。
・ゲートドライバIC市場の成長率は？
→IMARC社はゲートドライバICの世界市場が2024年〜2032年に年平均5.2%成長すると予測しています。
・世界のゲートドライバIC市場における主要企業は？
→IMARC社は「Hitachi Power Semiconductor Device Ltd. (Hitachi Ltd.)、Infineon Technologies AG、Microchip Technology Inc.、Mouser Electronics (TTI Inc.、Berkshire Hathaway Inc.)、NXP Semiconductors N.V.、Onsemi、Renesas Electronics Corporation、Rohm Semiconductor、Semtech Corporation、STMicroelectronics、Texas Instruments Incorporated、Toshiba Corporationなど ...」をグローバルゲートドライバIC市場の主要企業として認識しています。
※上記FAQの市場規模、市場予測、成長率、主要企業に関する情報は本レポートの概要を作成した時点での情報であり、納品レポートの情報と少し異なる場合があります。
