1 序文
2 調査範囲と方法論
2.1 調査目的
2.2 関係者
2.3 データソース
2.3.1 一次情報源
2.3.2 二次情報源
2.4 市場推定手法
2.4.1 ボトムアップアプローチ
2.4.2 トップダウンアプローチ
2.5 予測方法論
3 エグゼクティブサマリー
4 はじめに
4.1 概要
4.2 主要な業界動向
5 世界のSRAMおよびROM設計IP市場
5.1 市場概要
5.2 市場パフォーマンス
5.3 COVID-19の影響
5.4 市場予測
6 タイプ別市場分析
6.1 SRAM（静的ランダムアクセスメモリ）
6.1.1 市場動向
6.1.2 市場予測
6.2 ROM（読み取り専用メモリ）
6.2.1 市場動向
6.2.2 市場予測
7 地域別市場分析
7.1 北米
7.1.1 アメリカ合衆国
7.1.1.1 市場動向
7.1.1.2 市場予測
7.1.2 カナダ
7.1.2.1 市場動向
7.1.2.2 市場予測
7.2 アジア太平洋
7.2.1 中国
7.2.1.1 市場動向
7.2.1.2 市場予測
7.2.2 日本
7.2.2.1 市場動向
7.2.2.2 市場予測
7.2.3 インド
7.2.3.1 市場動向
7.2.3.2 市場予測
7.2.4 韓国
7.2.4.1 市場動向
7.2.4.2 市場予測
7.2.5 オーストラリア
7.2.5.1 市場動向
7.2.5.2 市場予測
7.2.6 インドネシア
7.2.6.1 市場動向
7.2.6.2 市場予測
7.2.7 その他
7.2.7.1 市場動向
7.2.7.2 市場予測
7.3 欧州
7.3.1 ドイツ
7.3.1.1 市場動向
7.3.1.2 市場予測
7.3.2 フランス
7.3.2.1 市場動向
7.3.2.2 市場予測
7.3.3 イギリス
7.3.3.1 市場動向
7.3.3.2 市場予測
7.3.4 イタリア
7.3.4.1 市場動向
7.3.4.2 市場予測
7.3.5 スペイン
7.3.5.1 市場動向
7.3.5.2 市場予測
7.3.6 ロシア
7.3.6.1 市場動向
7.3.6.2 市場予測
7.3.7 その他
7.3.7.1 市場動向
7.3.7.2 市場予測
7.4 ラテンアメリカ
7.4.1 ブラジル
7.4.1.1 市場動向
7.4.1.2 市場予測
7.4.2 メキシコ
7.4.2.1 市場動向
7.4.2.2 市場予測
7.4.3 その他
7.4.3.1 市場動向
7.4.3.2 市場予測
7.5 中東・アフリカ
7.5.1 市場動向
7.5.2 国別市場分析
7.5.3 市場予測
8 推進要因、抑制要因、機会
8.1 概要
8.2 推進要因
8.3 抑制要因
8.4 機会
9 バリューチェーン分析
10 ポーターの5つの力分析
10.1 概要
10.2 買い手の交渉力
10.3 供給者の交渉力
10.4 競争の激しさ
10.5 新規参入の脅威
10.6 代替品の脅威
11 価格分析
12 競争環境
12.1 市場構造
12.2 主要プレイヤー
12.3 主要プレイヤーのプロファイル
12.3.1 アドバンスト・マイクロ・デバイセズ社（AMD）
12.3.1.1 会社概要
12.3.1.2 製品ポートフォリオ
12.3.1.3 財務状況
12.3.1.4 SWOT分析
12.3.2 ドルフィン・テクノロジー社
12.3.2.1 会社概要
12.3.2.2 製品ポートフォリオ
12.3.3 ルネサス エレクトロニクス株式会社
12.3.3.1 会社概要
12.3.3.2 製品ポートフォリオ
12.3.3.3 財務状況
12.3.3.4 SWOT分析
12.3.4 シュアコア・リミテッド
12.3.4.1 会社概要
12.3.4.2 製品ポートフォリオ
12.3.5 シノプシス社
12.3.5.1 会社概要
12.3.5.2 製品ポートフォリオ
12.3.5.3 財務状況
12.3.5.4 SWOT分析
※本リストは一部のみを掲載したものであり、完全なリストはレポート内に記載されています。
図2：グローバル：SRAMおよびROM設計IP市場：売上高（百万米ドル）、2017-2022年
図3：グローバル：SRAMおよびROM設計IP市場予測：売上高（百万米ドル）、2023-2028年
図4：グローバル：SRAMおよびROM設計IP市場：タイプ別内訳（％）、2022年
図5：グローバル：SRAMおよびROM設計IP市場：地域別内訳（％）、2022年
図6：グローバル：SRAMおよびROM設計IP（SRAM（静的ランダムアクセスメモリ））市場：売上高（百万米ドル）、2017年および2022年
図7：グローバル：SRAMおよびROM設計IP（SRAM（静的ランダムアクセスメモリ））市場予測：売上高（百万米ドル）、2023-2028年
図8：グローバル：SRAMおよびROM設計IP（ROM（読み取り専用メモリ））市場：売上高（百万米ドル）、2017年および2022年
図9：世界：SRAMおよびROM設計IP（ROM（Read-Only Memory））市場予測：売上高（百万米ドル）、2023-2028年
図10：北米：SRAMおよびROM設計IP市場：売上高（百万米ドル）、2017年および2022年
図11：北米：SRAMおよびROM設計IP市場予測：売上高（百万米ドル）、2023-2028年
図12：米国：SRAMおよびROM設計IP市場：売上高（百万米ドル）、2017年および2022年
図13：米国：SRAMおよびROM設計IP市場予測：売上高（百万米ドル）、2023-2028年
図14：カナダ：SRAMおよびROM設計IP市場：売上高（百万米ドル）、2017年および2022年
図15：カナダ：SRAMおよびROM設計IP市場予測：売上高（百万米ドル）、2023-2028年
図16：アジア太平洋地域：SRAMおよびROM設計IP市場：売上高（百万米ドル）、2017年および2022年
図17：アジア太平洋地域：SRAMおよびROM設計IP市場予測：売上高（百万米ドル）、2023-2028年
図18：中国：SRAMおよびROM設計IP市場：売上高（百万米ドル）、2017年および2022年
図19：中国：SRAMおよびROM設計IP市場予測：売上高（百万米ドル）、2023-2028年
図20：日本：SRAMおよびROM設計IP市場：売上高（百万米ドル）、2017年および2022年
図21：日本：SRAMおよびROM設計IP市場予測：売上高（百万米ドル）、2023-2028年
図22：インド：SRAMおよびROM設計IP市場：売上高（百万米ドル）、2017年および2022年
図23：インド：SRAMおよびROM設計IP市場予測：売上高（百万米ドル）、2023-2028年
図24：韓国：SRAMおよびROM設計IP市場：売上高（百万米ドル）、2017年および2022年
図25：韓国：SRAMおよびROM設計IP市場予測：売上高（百万米ドル）、2023-2028年
図26：オーストラリア：SRAMおよびROM設計IP市場：売上高（百万米ドル）、2017年および2022年
図27：オーストラリア：SRAMおよびROM設計IP市場予測：売上高（百万米ドル）、2023-2028年
図28：インドネシア：SRAMおよびROM設計IP市場：売上高（百万米ドル）、2017年および2022年
図29：インドネシア：SRAMおよびROM設計IP市場予測：売上高（百万米ドル）、2023-2028年
図30：その他：SRAMおよびROM設計IP市場：売上高（百万米ドル）、2017年および2022年
図31：その他地域：SRAMおよびROM設計IP市場予測：売上高（百万米ドル）、2023-2028年
図32：欧州：SRAMおよびROM設計IP市場：売上高（百万米ドル）、2017年及び2022年
図33：欧州：SRAMおよびROM設計IP市場予測：売上高（百万米ドル）、2023-2028年
図34：ドイツ：SRAMおよびROM設計IP市場：売上高（百万米ドル）、2017年および2022年
図35：ドイツ：SRAMおよびROM設計IP市場予測：売上高（百万米ドル）、2023-2028年
図36：フランス：SRAMおよびROM設計IP市場：売上高（百万米ドル）、2017年および2022年
図37：フランス：SRAMおよびROM設計IP市場予測：売上高（百万米ドル）、2023-2028年
図38：イギリス：SRAMおよびROM設計IP市場：売上高（百万米ドル）、2017年および2022年
図39：英国：SRAMおよびROM設計IP市場予測：売上高（百万米ドル）、2023-2028年
図40：イタリア：SRAMおよびROM設計IP市場：売上高（百万米ドル）、2017年および2022年
図41：イタリア：SRAMおよびROM設計IP市場予測：売上高（百万米ドル）、2023-2028年
図42：スペイン：SRAMおよびROM設計IP市場：売上高（百万米ドル）、2017年および2022年
図43：スペイン：SRAMおよびROM設計IP市場予測：売上高（百万米ドル）、2023-2028年
図44：ロシア：SRAMおよびROM設計IP市場：売上高（百万米ドル）、2017年および2022年
図45：ロシア：SRAMおよびROM設計IP市場予測：売上高（百万米ドル）、2023-2028年
図46：その他：SRAMおよびROM設計IP市場：売上高（百万米ドル）、2017年および2022年
図47：その他地域：SRAMおよびROM設計IP市場予測：売上高（百万米ドル）、2023-2028年
図48：ラテンアメリカ：SRAMおよびROM設計IP市場：売上高（百万米ドル）、2017年および2022年
図49：ラテンアメリカ：SRAMおよびROM設計IP市場予測：売上高（百万米ドル）、2023-2028年
図50：ブラジル：SRAMおよびROM設計IP市場：売上高（百万米ドル）、2017年および2022年
図51：ブラジル：SRAMおよびROM設計IP市場予測：売上高（百万米ドル）、2023-2028年
図52：メキシコ：SRAMおよびROM設計IP市場：売上高（百万米ドル）、2017年および2022年
図53：メキシコ：SRAMおよびROM設計IP市場予測：売上高（百万米ドル）、2023-2028年
図54：その他：SRAMおよびROM設計IP市場：売上高（百万米ドル）、2017年および2022年
図55：その他地域：SRAMおよびROM設計IP市場予測：売上高（百万米ドル）、2023-2028年
図56：中東・アフリカ：SRAMおよびROM設計IP市場：売上高（百万米ドル）、2017年および2022年
図57：中東・アフリカ地域：SRAMおよびROM設計IP市場：国別内訳（％）、2022年
図58：中東・アフリカ地域：SRAMおよびROM設計IP市場予測：売上高（百万米ドル）、2023-2028年
図59：グローバル：SRAMおよびROM設計IP産業：推進要因、抑制要因、機会
図60：グローバル：SRAMおよびROM設計IP産業：バリューチェーン分析
図61：グローバル：SRAMおよびROM設計IP産業：ポーターの5つの力分析
1 Preface
2 Scope and Methodology
2.1 Objectives of the Study
2.2 Stakeholders
2.3 Data Sources
2.3.1 Primary Sources
2.3.2 Secondary Sources
2.4 Market Estimation
2.4.1 Bottom-Up Approach
2.4.2 Top-Down Approach
2.5 Forecasting Methodology
3 Executive Summary
4 Introduction
4.1 Overview
4.2 Key Industry Trends
5 Global SRAM and ROM Design IP Market
5.1 Market Overview
5.2 Market Performance
5.3 Impact of COVID-19
5.4 Market Forecast
6 Market Breakup by Type
6.1 SRAM (Static Random Access Memory)
6.1.1 Market Trends
6.1.2 Market Forecast
6.2 ROM (Read-Only Memory)
6.2.1 Market Trends
6.2.2 Market Forecast
7 Market Breakup by Region
7.1 North America
7.1.1 United States
7.1.1.1 Market Trends
7.1.1.2 Market Forecast
7.1.2 Canada
7.1.2.1 Market Trends
7.1.2.2 Market Forecast
7.2 Asia-Pacific
7.2.1 China
7.2.1.1 Market Trends
7.2.1.2 Market Forecast
7.2.2 Japan
7.2.2.1 Market Trends
7.2.2.2 Market Forecast
7.2.3 India
7.2.3.1 Market Trends
7.2.3.2 Market Forecast
7.2.4 South Korea
7.2.4.1 Market Trends
7.2.4.2 Market Forecast
7.2.5 Australia
7.2.5.1 Market Trends
7.2.5.2 Market Forecast
7.2.6 Indonesia
7.2.6.1 Market Trends
7.2.6.2 Market Forecast
7.2.7 Others
7.2.7.1 Market Trends
7.2.7.2 Market Forecast
7.3 Europe
7.3.1 Germany
7.3.1.1 Market Trends
7.3.1.2 Market Forecast
7.3.2 France
7.3.2.1 Market Trends
7.3.2.2 Market Forecast
7.3.3 United Kingdom
7.3.3.1 Market Trends
7.3.3.2 Market Forecast
7.3.4 Italy
7.3.4.1 Market Trends
7.3.4.2 Market Forecast
7.3.5 Spain
7.3.5.1 Market Trends
7.3.5.2 Market Forecast
7.3.6 Russia
7.3.6.1 Market Trends
7.3.6.2 Market Forecast
7.3.7 Others
7.3.7.1 Market Trends
7.3.7.2 Market Forecast
7.4 Latin America
7.4.1 Brazil
7.4.1.1 Market Trends
7.4.1.2 Market Forecast
7.4.2 Mexico
7.4.2.1 Market Trends
7.4.2.2 Market Forecast
7.4.3 Others
7.4.3.1 Market Trends
7.4.3.2 Market Forecast
7.5 Middle East and Africa
7.5.1 Market Trends
7.5.2 Market Breakup by Country
7.5.3 Market Forecast
8 Drivers, Restraints, and Opportunities
8.1 Overview
8.2 Drivers
8.3 Restraints
8.4 Opportunities
9 Value Chain Analysis
10 Porters Five Forces Analysis
10.1 Overview
10.2 Bargaining Power of Buyers
10.3 Bargaining Power of Suppliers
10.4 Degree of Competition
10.5 Threat of New Entrants
10.6 Threat of Substitutes
11 Price Analysis
12 Competitive Landscape
12.1 Market Structure
12.2 Key Players
12.3 Profiles of Key Players
12.3.1 Advanced Micro Devices Inc.
12.3.1.1 Company Overview
12.3.1.2 Product Portfolio
12.3.1.3 Financials
12.3.1.4 SWOT Analysis
12.3.2 Dolphin Technology Inc.
12.3.2.1 Company Overview
12.3.2.2 Product Portfolio
12.3.3 Renesas Electronics Corporation
12.3.3.1 Company Overview
12.3.3.2 Product Portfolio
12.3.3.3 Financials
12.3.3.4 SWOT Analysis
12.3.4 Surecore Limited
12.3.4.1 Company Overview
12.3.4.2 Product Portfolio
12.3.5 Synopsys Inc.
12.3.5.1 Company Overview
12.3.5.2 Product Portfolio
12.3.5.3 Financials
12.3.5.4 SWOT Analysis
Kindly note that this only represents a partial list of companies, and the complete list has been provided in the report.
| ※参考情報 SRAM（Static Random Access Memory）およびROM（Read Only Memory）設計IP（Intellectual Property）は、半導体デバイスの設計において非常に重要な役割を果たしています。これらのメモリは、デジタルシステムの性能と機能性を向上させるために使用され、さまざまなアプリケーションに応じた特性を持っています。 SRAMは、その名の通り静的なランダムアクセスメモリです。これは、データが書き込まれると、それがメモリセルの電荷状態によって維持されるため、リフレッシュが不要です。SRAMは、高速なアクセス速度を持ち、キャッシュメモリやレジスタとして使用されることが一般的です。このため、コンピュータプロセッサや高性能デバイスの内部で利用されることが多いです。SRAMは一貫してデータを保持するため、要求されるエネルギー効率が良く、遅延が少ないという特性がありますが、メモリセルあたりのサイズが大きく、製造コストが高いため、大容量のデータストレージには向いていません。 対照的に、ROMは読み出し専用メモリであり、データは固定されていて変更できないため、プログラムやファームウェアの格納に非常に適しています。ROMは、製造プロセスでデータが書き込まれるため、後から変更することはできませんが、耐久性が高く、電源が切れてもデータが保持されます。一般的な用途として、電子機器の初期化コードやブートローダーなどがあります。多様な形式のROMには、PROM（Programmable ROM）、EPROM（Erasable Programmable ROM）、EEPROM（Electrically Erasable Programmable ROM）などがあり、これらはそれぞれ異なる特性を持ち、用途に応じて選択されます。 SRAMおよびROMの設計IPは、いわば設計のテンプレートとして機能し、チップ設計者が効率的にメモリを実装できるようにします。これらのIPを使用することで、設計者は一からメモリ回路を設計する必要がなくなり、開発プロセスを大幅に短縮できます。また、IPは通常、シミュレーションモデルや製造時の最適化技術が組み込まれ、性能の高いメモリを迅速に市場に投入できるように設計されています。 SRAMとROMの設計IPの関連技術としては、半導体プロセス技術が挙げられます。これには、微細化技術、カラーやダイオード、トランジスタの特性調整技術などが含まれます。また、メモリのアクセス速度を向上させるために、複雑な回路設計手法やキャッシュ管理アルゴリズム、信号処理技術も重要です。これらの技術は、SRAMおよびROMの効率性と性能を向上させるために常に進化しています。 SRAMやROMの設計IPは、IoTデバイス、モバイル機器、自動車、データセンターなど、さまざまな分野で応用されています。特に、IoTデバイスでは、低消費電力のメモリが求められるため、SRAMとROMの組み合わせが重要です。また、自動車の先進運転支援システム（ADAS）やAIチップの設計においても、高速アクセスが求められるSRAMの活用が見込まれています。 さらに、将来的には次世代メモリ技術であるMRAM（Magnetoresistive RAM）やReRAM（Resistive RAM）なども登場してきますが、SRAMとROMは依然として広範な用途で使用されるメモリ技術としてその重要性を保持しています。SRAMおよびROM設計IPは、これらのメモリ技術の進化とともに、さらなる性能向上とコスト削減を目指して、今後も発展し続けることでしょう。 |
