ガリウム砒素電界効果トランジスタ(GaAs FET)の世界市場2025-2031

【英語タイトル】Global Gallium Arsenide Field Effect Transistor(GaAs FET) Market Growth 2025-2031

LP Informationが出版した調査資料(LP23JU7859)・商品コード:LP23JU7859
・発行会社(調査会社):LP Information
・発行日:2025年8月
・ページ数:79
・レポート言語:英語
・レポート形式:PDF
・納品方法:Eメール(受注後2-3営業日)
・調査対象地域:グローバル、日本、アメリカ、ヨーロッパ、アジア、中国など
・産業分野:化学&材料
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❖ レポートの概要 ❖

世界のガリウムヒ素フィールド効果トランジスタ(GaAs FET)市場規模は、2025年のUS$百万から2031年にUS$百万まで成長すると予測されています。2025年から2031年までの年間平均成長率(CAGR)は%と予想されています。
米国におけるガリウムヒ素フィールド効果トランジスタ(GaAs FET)市場は、2024年のUS$百万から2031年までにUS$百万に増加すると推定されており、2025年から2031年までの期間で年平均成長率(CAGR)%で成長すると予測されています。
中国におけるガリウムヒ素フィールド効果トランジスタ(GaAs FET)市場は、2024年のUS$百万から2031年までにUS$百万に増加すると推定されており、2025年から2031年までの期間で年平均成長率(CAGR)%で成長すると予測されています。
欧州のガリウムヒ素フィールド効果トランジスタ(GaAs FET)市場は、2024年にUS$百万ドルから2031年までにUS$百万ドルに増加すると推定され、2025年から2031年までの年間平均成長率(CAGR)は%と予測されています。
世界のガリウムヒ素フィールド効果トランジスタ(GaAs FET)の主要企業には、東芝、トランコム、中央電子工業、住友電気デバイスイノベーションズなどが含まれます。売上高ベースで、2024年にグローバル市場の約%のシェアを占める2大企業が存在しています。
LP Information, Inc.(LPI)の最新調査報告書「ガリウムヒ素フィールド効果トランジスタ(GaAs FET)産業予測」は、2024年の過去販売実績を分析し、地域別および市場セクター別の2025年から2031年までのガリウムヒ素フィールド効果トランジスタ(GaAs FET)の売上予測を包括的に提供しています。ガリウムヒ素フィールド効果トランジスタ(GaAs FET)の売上を地域、市場セクター、サブセクター別に分類し、この報告書は世界ガリウムヒ素フィールド効果トランジスタ(GaAs FET)業界の売上を米ドル百万単位で詳細に分析しています。
このインサイトレポートは、世界のガリウムヒ素フィールド効果トランジスタ(GaAs FET)の市場動向を包括的に分析し、製品セグメンテーション、企業設立、売上高、市場シェア、最新の動向、およびM&A活動に関する主要なトレンドを強調しています。本レポートでは、ガリウムヒ素フィールド効果トランジスタ(GaAs FET)ポートフォリオと能力、市場参入戦略、市場ポジション、地理的展開に焦点を当て、主要なグローバル企業の戦略を分析し、加速するグローバルガリウムヒ素フィールド効果トランジスタ(GaAs FET)市場におけるこれらの企業の独自のポジションを深く理解します。
このインサイトレポートは、ガリウムヒ素フィールド効果トランジスタ(GaAs FET)の世界の展望を形作る主要な市場動向、ドライバー、影響要因を評価し、タイプ、アプリケーション、地域、市場規模別に予測を分解し、新興の機会領域を強調しています。数百のボトムアップ定性・定量市場データに基づく透明性の高いメソドロジーを採用した本調査の予測は、世界のガリウムヒ素フィールド効果トランジスタ(GaAs FET)市場の現在の状態と将来の動向について、高度に詳細な見解を提供します。
本報告書では、ガリウムヒ素フィールド効果トランジスタ(GaAs FET)市場について、製品タイプ、アプリケーション、主要メーカー、主要地域および国別に見た市場シェアと成長機会を包括的に概観しています。

タイプ別セグメンテーション:
3.3-3.6 GHz
3.7-4.2 GHz
4.4-5.0 GHz
5.3-5.9 GHz
5.9-6.4 GHz
その他

アプリケーション別分類:
RF制御装置
その他

このレポートでは、市場を地域別に分類しています:
アメリカ
アメリカ合衆国
カナダ
メキシコ
ブラジル
アジア太平洋
中国
日本
韓国
東南アジア
インド
オーストラリア
ヨーロッパ
ドイツ
フランス
イギリス
イタリア
ロシア
中東・アフリカ
エジプト
南アフリカ
イスラエル
トルコ
GCC諸国

以下の企業は、主要な専門家からの情報収集と、企業の事業範囲、製品ポートフォリオ、市場浸透率の分析に基づいて選定されました。
東芝
トランコム
中央電子工業
住友電気デバイスイノベーションズ

本報告書で取り上げる主要な質問
世界のガリウムヒ素フィールド効果トランジスタ(GaAs FET)市場の10年後の見通しはどのようなものですか?
ガリウムヒ素フィールド効果トランジスタ(GaAs FET)市場の成長を促進する要因は、グローバルおよび地域別で何ですか?
市場と地域別に最も急速な成長が見込まれる技術は何か?
ガリウムヒ素フィールド効果トランジスタ(GaAs FET)市場の機会は、最終市場規模によってどのように異なるか?
ガリウムヒ素フィールド効果トランジスタ(GaAs FET)は、タイプ別、用途別にどのように分類されますか?
ガリウムヒ素フィールド効果トランジスタ(GaAs FET)市場は、地域別に見てどのような成長を遂げていますか?

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❖ レポートの目次 ❖

1 報告の範囲
1.1 市場概要
1.2 対象期間
1.3 研究目的
1.4 市場調査手法
1.5 研究プロセスとデータソース
1.6 経済指標
1.7 対象通貨
1.8 市場推計の注意点
2 執行要約
2.1 世界市場の概要
2.1.1 グローバル・ガリウムヒ素場効果トランジスタ(GaAs FET)の年間売上高(2020年~2031年)
2.1.2 ガリウムヒ素フィールド効果トランジスタ(GaAs FET)の地域別市場分析(2020年、2024年、2031年)
2.1.3 ガリウムヒ素フィールド効果トランジスタ(GaAs FET)の地域別市場動向(2020年、2024年、2031年)
2.2 ガリウムヒ素フィールド効果トランジスタ(GaAs FET)のセグメント別分析(タイプ別)
2.2.1 3.3-3.6 GHz
2.2.2 3.7-4.2 GHz
2.2.3 4.4-5.0 GHz
2.2.4 5.3-5.9 GHz
2.2.5 5.9-6.4 GHz
2.2.6 その他
2.3 ガリウムヒ素場効果トランジスタ(GaAs FET)のタイプ別販売量
2.3.1 グローバル ガリウムヒ素フィールド効果トランジスタ(GaAs FET)の売上高市場シェア(種類別)(2020-2025)
2.3.2 グローバルガリウムヒ素フィールド効果トランジスタ(GaAs FET)の売上高と市場シェア(種類別)(2020-2025)
2.3.3 グローバルガリウムヒ素フィールド効果トランジスタ(GaAs FET)のタイプ別販売価格(2020-2025)
2.4 ガリウムヒ素フィールド効果トランジスタ(GaAs FET)のアプリケーション別セグメント
2.4.1 RF制御デバイス
2.4.2 その他
2.5 ガリウムヒ素フィールド効果トランジスタ(GaAs FET)のアプリケーション別売上
2.5.1 グローバルガリウムヒ素フィールド効果トランジスタ(GaAs FET)のアプリケーション別販売市場シェア(2020-2025)
2.5.2 グローバルガリウムヒ素フィールド効果トランジスタ(GaAs FET)の売上高と市場シェア(用途別)(2020-2025)
2.5.3 グローバル ガリウムヒ素フィールド効果トランジスタ(GaAs FET)の用途別販売価格(2020-2025)
3 グローバル企業別
3.1 グローバルガリウムヒ素フィールド効果トランジスタ(GaAs FET)企業別詳細データ
3.1.1 グローバル ガリウムヒ素フィールド効果トランジスタ(GaAs FET)の年間売上高(企業別)(2020-2025)
3.1.2 グローバル ガリウムヒ素フィールド効果トランジスタ(GaAs FET)の企業別販売市場シェア(2020-2025)
3.2 グローバル ガリウムヒ素フィールド効果トランジスタ(GaAs FET)年間売上高(企業別)(2020-2025)
3.2.1 グローバル ガリウムヒ素フィールド効果トランジスタ(GaAs FET)売上高(企業別)(2020-2025)
3.2.2 グローバル ガリウムヒ素フィールド効果トランジスタ(GaAs FET)売上高市場シェア(企業別)(2020-2025)
3.3 グローバル ガリウムヒ素フィールド効果トランジスタ(GaAs FET)の企業別販売価格
3.4 主要メーカーのガリウムヒ素フィールド効果トランジスタ(GaAs FET)生産地域分布、販売地域、製品タイプ
3.4.1 主要メーカーのガリウムヒ素フィールド効果トランジスタ(GaAs FET)製品立地分布
3.4.2 主要メーカーのガリウムヒ素フィールド効果トランジスタ(GaAs FET)製品ラインナップ
3.5 市場集中率分析
3.5.1 競争環境分析
3.5.2 集中率(CR3、CR5、CR10)および(2023-2025)
3.6 新製品と潜在的な新規参入企業
3.7 市場M&A活動と戦略
4 ガリウムヒ素フィールド効果トランジスタ(GaAs FET)の世界歴史的レビュー(地域別)
4.1 地域別ガリウムヒ素フィールド効果トランジスタ(GaAs FET)市場規模(2020-2025)
4.1.1 地域別ガリウムヒ素フィールド効果トランジスタ(GaAs FET)年間売上高(2020-2025)
4.1.2 地域別グローバルガリウムヒ素フィールド効果トランジスタ(GaAs FET)年間売上高(2020-2025)
4.2 世界歴史的ガリウムヒ素フィールド効果トランジスタ(GaAs FET)市場規模(国/地域別)(2020-2025)
4.2.1 グローバルガリウムヒ素フィールド効果トランジスタ(GaAs FET)の地域別年間売上高(2020-2025)
4.2.2 グローバルガリウムヒ素フィールド効果トランジスタ(GaAs FET)の年間売上高(国/地域別)(2020-2025)
4.3 アメリカズ ガリウムヒ素フィールド効果トランジスタ(GaAs FET)販売成長率
4.4 アジア太平洋地域 ガリウムヒ素フィールド効果トランジスタ(GaAs FET)の売上高成長率
4.5 ヨーロッパ ガリウムヒ素フィールド効果トランジスタ(GaAs FET)売上高成長率
4.6 中東・アフリカ ガリウムヒ素フィールド効果トランジスタ(GaAs FET)販売成長率
5 アメリカ
5.1 アメリカズ ガリウムヒ素フィールド効果トランジスタ(GaAs FET)の売上高(国別)
5.1.1 アメリカズ ガリウムヒ素フィールド効果トランジスタ(GaAs FET)の売上高(国別)(2020-2025)
5.1.2 アメリカズ ガリウムヒ素フィールド効果トランジスタ(GaAs FET)の売上高(国別)(2020-2025)
5.2 アメリカズ ガリウムヒ素フィールド効果トランジスタ(GaAs FET)の売上高(種類別)(2020-2025)
5.3 アメリカズ ガリウムヒ素フィールド効果トランジスタ(GaAs FET)の売上高(2020-2025年)
5.4 アメリカ合衆国
5.5 カナダ
5.6 メキシコ
5.7 ブラジル
6 アジア太平洋
6.1 APAC ガリウムヒ素場効果トランジスタ(GaAs FET)の地域別販売額
6.1.1 アジア太平洋地域 ガリウムヒ素フィールド効果トランジスタ(GaAs FET)の地域別販売額(2020-2025)
6.1.2 アジア太平洋地域 ガリウムヒ素フィールド効果トランジスタ(GaAs FET)の売上高(地域別)(2020-2025)
6.2 アジア太平洋地域(APAC)ガリウムヒ素フィールド効果トランジスタ(GaAs FET)の売上高(2020-2025)
6.3 アジア太平洋地域(APAC)ガリウムヒ素フィールド効果トランジスタ(GaAs FET)の売上高(2020-2025年)
6.4 中国
6.5 日本
6.6 韓国
6.7 東南アジア
6.8 インド
6.9 オーストラリア
6.10 中国・台湾
7 ヨーロッパ
7.1 ヨーロッパ ガリウムヒ素フィールド効果トランジスタ(GaAs FET)の地域別市場規模
7.1.1 ヨーロッパ ガリウムヒ素フィールド効果トランジスタ(GaAs FET)の売上高(国別)(2020-2025)
7.1.2 ヨーロッパ ガリウムヒ素フィールド効果トランジスタ(GaAs FET)の売上高(国別)(2020-2025)
7.2 ヨーロッパ ガリウムヒ素フィールド効果トランジスタ(GaAs FET)の売上高(2020-2025)
7.3 ヨーロッパ ガリウムヒ素フィールド効果トランジスタ(GaAs FET)の売上高(2020-2025年)
7.4 ドイツ
7.5 フランス
7.6 イギリス
7.7 イタリア
7.8 ロシア
8 中東・アフリカ
8.1 中東・アフリカ ガリウムヒ素場効果トランジスタ(GaAs FET)の地域別市場規模
8.1.1 中東・アフリカ ガリウムヒ素フィールド効果トランジスタ(GaAs FET)の売上高(国別)(2020-2025)
8.1.2 中東・アフリカ ガリウムヒ素フィールド効果トランジスタ(GaAs FET)の売上高(国別)(2020-2025)
8.2 中東・アフリカ ガリウムヒ素フィールド効果トランジスタ(GaAs FET)の売上高(2020-2025年)
8.3 中東・アフリカ ガリウムヒ素フィールド効果トランジスタ(GaAs FET)の売上高(2020-2025年)
8.4 エジプト
8.5 南アフリカ
8.6 イスラエル
8.7 トルコ
8.8 GCC諸国
9 市場動向、課題、およびトレンド
9.1 市場ドライバーと成長機会
9.2 市場課題とリスク
9.3 業界の動向
10 製造コスト構造分析
10.1 原材料とサプライヤー
10.2 ガリウムヒ素フィールド効果トランジスタ(GaAs FET)の製造コスト構造分析
10.3 ガリウムヒ素フィールド効果トランジスタ(GaAs FET)の製造プロセス分析
10.4 ガリウムヒ素フィールド効果トランジスタ(GaAs FET)の産業チェーン構造
11 マーケティング、販売代理店および顧客
11.1 販売チャネル
11.1.1 直接チャネル
11.1.2 間接チャネル
11.2 ガリウムヒ素フィールド効果トランジスタ(GaAs FET)のディストリビューター
11.3 ガリウムヒ素フィールド効果トランジスタ(GaAs FET)の顧客
12 地域別ガリウムヒ素フィールド効果トランジスタ(GaAs FET)の世界市場予測レビュー
12.1 地域別ガリウムヒ素フィールド効果トランジスタ(GaAs FET)市場規模予測
12.1.1 地域別ガリウムヒ素フィールド効果トランジスタ(GaAs FET)予測(2026-2031)
12.1.2 地域別ガリウムヒ素フィールド効果トランジスタ(GaAs FET)年間売上高予測(2026-2031)
12.2 アメリカ地域別予測(2026-2031)
12.3 アジア太平洋地域別予測(2026-2031)
12.4 欧州地域別予測(2026-2031年)
12.5 中東・アフリカ地域別予測(2026-2031年)
12.6 グローバルガリウムヒ素フィールド効果トランジスタ(GaAs FET)市場予測(タイプ別)(2026-2031)
12.7 グローバルガリウムヒ素フィールド効果トランジスタ(GaAs FET)市場予測(用途別)(2026-2031)
13 主要企業分析
13.1 東芝
13.1.1 東芝会社概要
13.1.2 東芝ガリウムヒ素フィールド効果トランジスタ(GaAs FET)製品ポートフォリオと仕様
13.1.3 東芝ガリウムヒ素フィールド効果トランジスタ(GaAs FET)の売上高、収益、価格、粗利益率(2020-2025)
13.1.4 東芝の主要事業概要
13.1.5 東芝の最新動向
13.2 トランスコム
13.2.1 トランスコム会社情報
13.2.2 トランスコム ガリウムヒ素フィールド効果トランジスタ(GaAs FET)製品ポートフォリオと仕様
13.2.3 トランスコム ガリウムヒ素フィールド効果トランジスタ(GaAs FET)の売上高、収益、価格、粗利益率(2020-2025)
13.2.4 トランスコムの主要事業概要
13.2.5 Transcomの最新動向
13.3 中央電子工業
13.3.1 中央電子工業会社概要
13.3.2 中央電子工業 ガリウムヒ素フィールド効果トランジスタ(GaAs FET)製品ポートフォリオと仕様
13.3.3 中央電子工業ガリウムヒ素フィールド効果トランジスタ(GaAs FET)の売上高、収益、価格、粗利益率(2020-2025)
13.3.4 中央電子工業の主要事業概要
13.3.5 中央電子工業の最新動向
13.4 住友電気デバイスイノベーションズ
13.4.1 住友電気デバイスイノベーションズ 会社概要
13.4.2 住友電気デバイスイノベーションズ ガリウムヒ素フィールド効果トランジスタ(GaAs FET)製品ポートフォリオと仕様
13.4.3 住友電気デバイスイノベーションズ ガリウムヒ素フィールド効果トランジスタ(GaAs FET)の売上高、収益、価格、粗利益率(2020-2025)
13.4.4 住友電気デバイス・イノベーションズ 主な事業概要
13.4.5 住友電気機器イノベーションズ 最新の動向
14 研究結果と結論
13.4.4 住友電気デバイス・イノベーションズ ガリウムヒ素フィールド効果トランジスタ(GaAs FET)の売上高、売上高、価格、および粗利益(2020-2025)


1 Scope of the Report
1.1 Market Introduction
1.2 Years Considered
1.3 Research Objectives
1.4 Market Research Methodology
1.5 Research Process and Data Source
1.6 Economic Indicators
1.7 Currency Considered
1.8 Market Estimation Caveats
2 Executive Summary
2.1 World Market Overview
2.1.1 Global Gallium Arsenide Field Effect Transistor(GaAs FET) Annual Sales 2020-2031
2.1.2 World Current & Future Analysis for Gallium Arsenide Field Effect Transistor(GaAs FET) by Geographic Region, 2020, 2024 & 2031
2.1.3 World Current & Future Analysis for Gallium Arsenide Field Effect Transistor(GaAs FET) by Country/Region, 2020, 2024 & 2031
2.2 Gallium Arsenide Field Effect Transistor(GaAs FET) Segment by Type
2.2.1 3.3-3.6 GHz
2.2.2 3.7-4.2 GHz
2.2.3 4.4-5.0 GHz
2.2.4 5.3-5.9 GHz
2.2.5 5.9-6.4 GHz
2.2.6 Other
2.3 Gallium Arsenide Field Effect Transistor(GaAs FET) Sales by Type
2.3.1 Global Gallium Arsenide Field Effect Transistor(GaAs FET) Sales Market Share by Type (2020-2025)
2.3.2 Global Gallium Arsenide Field Effect Transistor(GaAs FET) Revenue and Market Share by Type (2020-2025)
2.3.3 Global Gallium Arsenide Field Effect Transistor(GaAs FET) Sale Price by Type (2020-2025)
2.4 Gallium Arsenide Field Effect Transistor(GaAs FET) Segment by Application
2.4.1 RF Control Devices
2.4.2 Other
2.5 Gallium Arsenide Field Effect Transistor(GaAs FET) Sales by Application
2.5.1 Global Gallium Arsenide Field Effect Transistor(GaAs FET) Sale Market Share by Application (2020-2025)
2.5.2 Global Gallium Arsenide Field Effect Transistor(GaAs FET) Revenue and Market Share by Application (2020-2025)
2.5.3 Global Gallium Arsenide Field Effect Transistor(GaAs FET) Sale Price by Application (2020-2025)
3 Global by Company
3.1 Global Gallium Arsenide Field Effect Transistor(GaAs FET) Breakdown Data by Company
3.1.1 Global Gallium Arsenide Field Effect Transistor(GaAs FET) Annual Sales by Company (2020-2025)
3.1.2 Global Gallium Arsenide Field Effect Transistor(GaAs FET) Sales Market Share by Company (2020-2025)
3.2 Global Gallium Arsenide Field Effect Transistor(GaAs FET) Annual Revenue by Company (2020-2025)
3.2.1 Global Gallium Arsenide Field Effect Transistor(GaAs FET) Revenue by Company (2020-2025)
3.2.2 Global Gallium Arsenide Field Effect Transistor(GaAs FET) Revenue Market Share by Company (2020-2025)
3.3 Global Gallium Arsenide Field Effect Transistor(GaAs FET) Sale Price by Company
3.4 Key Manufacturers Gallium Arsenide Field Effect Transistor(GaAs FET) Producing Area Distribution, Sales Area, Product Type
3.4.1 Key Manufacturers Gallium Arsenide Field Effect Transistor(GaAs FET) Product Location Distribution
3.4.2 Players Gallium Arsenide Field Effect Transistor(GaAs FET) Products Offered
3.5 Market Concentration Rate Analysis
3.5.1 Competition Landscape Analysis
3.5.2 Concentration Ratio (CR3, CR5 and CR10) & (2023-2025)
3.6 New Products and Potential Entrants
3.7 Market M&A Activity & Strategy
4 World Historic Review for Gallium Arsenide Field Effect Transistor(GaAs FET) by Geographic Region
4.1 World Historic Gallium Arsenide Field Effect Transistor(GaAs FET) Market Size by Geographic Region (2020-2025)
4.1.1 Global Gallium Arsenide Field Effect Transistor(GaAs FET) Annual Sales by Geographic Region (2020-2025)
4.1.2 Global Gallium Arsenide Field Effect Transistor(GaAs FET) Annual Revenue by Geographic Region (2020-2025)
4.2 World Historic Gallium Arsenide Field Effect Transistor(GaAs FET) Market Size by Country/Region (2020-2025)
4.2.1 Global Gallium Arsenide Field Effect Transistor(GaAs FET) Annual Sales by Country/Region (2020-2025)
4.2.2 Global Gallium Arsenide Field Effect Transistor(GaAs FET) Annual Revenue by Country/Region (2020-2025)
4.3 Americas Gallium Arsenide Field Effect Transistor(GaAs FET) Sales Growth
4.4 APAC Gallium Arsenide Field Effect Transistor(GaAs FET) Sales Growth
4.5 Europe Gallium Arsenide Field Effect Transistor(GaAs FET) Sales Growth
4.6 Middle East & Africa Gallium Arsenide Field Effect Transistor(GaAs FET) Sales Growth
5 Americas
5.1 Americas Gallium Arsenide Field Effect Transistor(GaAs FET) Sales by Country
5.1.1 Americas Gallium Arsenide Field Effect Transistor(GaAs FET) Sales by Country (2020-2025)
5.1.2 Americas Gallium Arsenide Field Effect Transistor(GaAs FET) Revenue by Country (2020-2025)
5.2 Americas Gallium Arsenide Field Effect Transistor(GaAs FET) Sales by Type (2020-2025)
5.3 Americas Gallium Arsenide Field Effect Transistor(GaAs FET) Sales by Application (2020-2025)
5.4 United States
5.5 Canada
5.6 Mexico
5.7 Brazil
6 APAC
6.1 APAC Gallium Arsenide Field Effect Transistor(GaAs FET) Sales by Region
6.1.1 APAC Gallium Arsenide Field Effect Transistor(GaAs FET) Sales by Region (2020-2025)
6.1.2 APAC Gallium Arsenide Field Effect Transistor(GaAs FET) Revenue by Region (2020-2025)
6.2 APAC Gallium Arsenide Field Effect Transistor(GaAs FET) Sales by Type (2020-2025)
6.3 APAC Gallium Arsenide Field Effect Transistor(GaAs FET) Sales by Application (2020-2025)
6.4 China
6.5 Japan
6.6 South Korea
6.7 Southeast Asia
6.8 India
6.9 Australia
6.10 China Taiwan
7 Europe
7.1 Europe Gallium Arsenide Field Effect Transistor(GaAs FET) by Country
7.1.1 Europe Gallium Arsenide Field Effect Transistor(GaAs FET) Sales by Country (2020-2025)
7.1.2 Europe Gallium Arsenide Field Effect Transistor(GaAs FET) Revenue by Country (2020-2025)
7.2 Europe Gallium Arsenide Field Effect Transistor(GaAs FET) Sales by Type (2020-2025)
7.3 Europe Gallium Arsenide Field Effect Transistor(GaAs FET) Sales by Application (2020-2025)
7.4 Germany
7.5 France
7.6 UK
7.7 Italy
7.8 Russia
8 Middle East & Africa
8.1 Middle East & Africa Gallium Arsenide Field Effect Transistor(GaAs FET) by Country
8.1.1 Middle East & Africa Gallium Arsenide Field Effect Transistor(GaAs FET) Sales by Country (2020-2025)
8.1.2 Middle East & Africa Gallium Arsenide Field Effect Transistor(GaAs FET) Revenue by Country (2020-2025)
8.2 Middle East & Africa Gallium Arsenide Field Effect Transistor(GaAs FET) Sales by Type (2020-2025)
8.3 Middle East & Africa Gallium Arsenide Field Effect Transistor(GaAs FET) Sales by Application (2020-2025)
8.4 Egypt
8.5 South Africa
8.6 Israel
8.7 Turkey
8.8 GCC Countries
9 Market Drivers, Challenges and Trends
9.1 Market Drivers & Growth Opportunities
9.2 Market Challenges & Risks
9.3 Industry Trends
10 Manufacturing Cost Structure Analysis
10.1 Raw Material and Suppliers
10.2 Manufacturing Cost Structure Analysis of Gallium Arsenide Field Effect Transistor(GaAs FET)
10.3 Manufacturing Process Analysis of Gallium Arsenide Field Effect Transistor(GaAs FET)
10.4 Industry Chain Structure of Gallium Arsenide Field Effect Transistor(GaAs FET)
11 Marketing, Distributors and Customer
11.1 Sales Channel
11.1.1 Direct Channels
11.1.2 Indirect Channels
11.2 Gallium Arsenide Field Effect Transistor(GaAs FET) Distributors
11.3 Gallium Arsenide Field Effect Transistor(GaAs FET) Customer
12 World Forecast Review for Gallium Arsenide Field Effect Transistor(GaAs FET) by Geographic Region
12.1 Global Gallium Arsenide Field Effect Transistor(GaAs FET) Market Size Forecast by Region
12.1.1 Global Gallium Arsenide Field Effect Transistor(GaAs FET) Forecast by Region (2026-2031)
12.1.2 Global Gallium Arsenide Field Effect Transistor(GaAs FET) Annual Revenue Forecast by Region (2026-2031)
12.2 Americas Forecast by Country (2026-2031)
12.3 APAC Forecast by Region (2026-2031)
12.4 Europe Forecast by Country (2026-2031)
12.5 Middle East & Africa Forecast by Country (2026-2031)
12.6 Global Gallium Arsenide Field Effect Transistor(GaAs FET) Forecast by Type (2026-2031)
12.7 Global Gallium Arsenide Field Effect Transistor(GaAs FET) Forecast by Application (2026-2031)
13 Key Players Analysis
13.1 Toshiba
13.1.1 Toshiba Company Information
13.1.2 Toshiba Gallium Arsenide Field Effect Transistor(GaAs FET) Product Portfolios and Specifications
13.1.3 Toshiba Gallium Arsenide Field Effect Transistor(GaAs FET) Sales, Revenue, Price and Gross Margin (2020-2025)
13.1.4 Toshiba Main Business Overview
13.1.5 Toshiba Latest Developments
13.2 Transcom
13.2.1 Transcom Company Information
13.2.2 Transcom Gallium Arsenide Field Effect Transistor(GaAs FET) Product Portfolios and Specifications
13.2.3 Transcom Gallium Arsenide Field Effect Transistor(GaAs FET) Sales, Revenue, Price and Gross Margin (2020-2025)
13.2.4 Transcom Main Business Overview
13.2.5 Transcom Latest Developments
13.3 Chuo Denshi Kogyo
13.3.1 Chuo Denshi Kogyo Company Information
13.3.2 Chuo Denshi Kogyo Gallium Arsenide Field Effect Transistor(GaAs FET) Product Portfolios and Specifications
13.3.3 Chuo Denshi Kogyo Gallium Arsenide Field Effect Transistor(GaAs FET) Sales, Revenue, Price and Gross Margin (2020-2025)
13.3.4 Chuo Denshi Kogyo Main Business Overview
13.3.5 Chuo Denshi Kogyo Latest Developments
13.4 SUMITOMO ELECTRIC DEVICE INNOVATIONS
13.4.1 SUMITOMO ELECTRIC DEVICE INNOVATIONS Company Information
13.4.2 SUMITOMO ELECTRIC DEVICE INNOVATIONS Gallium Arsenide Field Effect Transistor(GaAs FET) Product Portfolios and Specifications
13.4.3 SUMITOMO ELECTRIC DEVICE INNOVATIONS Gallium Arsenide Field Effect Transistor(GaAs FET) Sales, Revenue, Price and Gross Margin (2020-2025)
13.4.4 SUMITOMO ELECTRIC DEVICE INNOVATIONS Main Business Overview
13.4.5 SUMITOMO ELECTRIC DEVICE INNOVATIONS Latest Developments
14 Research Findings and Conclusion

※参考情報

ガリウム砒素電界効果トランジスタ(GaAs FET)は、半導体素子の一種であり、特に高周波や高出力のアプリケーションにおいて優れた特性を発揮します。このトランジスタは、ガリウムと砒素からなる化合物半導体で構成されており、シリコン(Si)などの他の半導体材料とは異なる特性を有しています。GaAs FETは、通信システムや電子機器、さらには光通信技術などの分野で広く利用されています。

GaAs FETの主要な特徴の一つは、従来のシリコンベースのトランジスタと比較して、電子移動度が高いことです。これにより、GaAs FETは高速動作が可能となり、高周波数の信号処理に適しています。さらに、GaAs FETは、低いノイズ特性を持つことでも知られており、高感度な受信機などに使用されることが多いです。また、温度依存性が比較的小さく、高温環境でも安定して動作するので、過酷な条件下でも使用されることがあります。

GaAs FETにはいくつかの異なる種類がありますが、その中でも最も一般的なものはHEMT(High Electron Mobility Transistor)と呼ばれる高電子移動度トランジスタです。HEMTは、異なるバンドギャップを持つ層を組み合わせることで、優れた電気的特性を実現します。これにより、GaAs FETは電力効率が高く、高出力で動作することができます。HEMTは、無線通信や衛星通信など、要求される性能が非常に高い分野で多く用いられています。

もう一つの重要な種類はMESFET(Metal-Semiconductor Field-Effect Transistor)です。MESFETは、金属と半導体が接触する部分を利用して動作します。この構造により、MESFETも高周波数の信号処理に適しており、特にミリ波帯での応用において有利です。MESFETは、主にRF(ラジオ周波数)アンプやミリ波送信機などで使用されています。

GaAs FETの主な用途は、高周波機器における信号増幅です。具体的には、携帯電話の送信機や受信機、無線LANルータ、衛星通信装置などで広く使用されています。さらに、GaAs FETは、光通信技術においても重要な役割を果たしており、光信号を電気信号に変換するプロセスに利用されています。これにより、高速なデータ通信が求められるインターネット通信やデータセンターの通信インフラにおいて、GaAs FETの採用が進んでいます。

関連技術としては、GaAs FETと他の半導体デバイスとのハイブリッド化や、集積回路技術の進展が挙げられます。GaAs FETの特性を活かすため、高度な集積化が進められており、複数のGaAs FETを一つのチップ上に集積することで、より高機能なデバイスが実現されています。このような技術は、電子機器の小型化と高性能化を同時に実現するために不可欠です。

また、GaAs FETは、トランジスタの特性を向上させるための新しい材料開発の研究が進められています。例えば、シリコンカーバイド(SiC)やインジウムリン(InP)など、他の化合物半導体との組み合わせが模索されており、さらなる性能向上が期待されています。これにより、GaAs FETは、今後の通信技術や電子機器において重要な役割を果たすことでしょう。

総じて、ガリウム砒素電界効果トランジスタは、高速・高出力が求められるアプリケーションにおいて非常に有用な半導体素子であり、その特性を活かしたさまざまな用途が展開されています。その進化は、今後の技術革新にすら影響を与えるものと考えられ、ますます重要視されることでしょう。私たちの生活における通信や情報処理の効率を支える基盤として、GaAs FETはこれからも重要な役割を果たすと期待されています。


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