SiC・GaN用エピタキシャル成長装置の世界市場2025-2031

【英語タイトル】Global Epitaxial Growth Equipment for SiC and GaN Market Growth 2025-2031

LP Informationが出版した調査資料(LP23MY1498)・商品コード:LP23MY1498
・発行会社(調査会社):LP Information
・発行日:2025年8月
・ページ数:98
・レポート言語:英語
・レポート形式:PDF
・納品方法:Eメール(受注後2-3営業日)
・調査対象地域:グローバル、日本、アメリカ、ヨーロッパ、アジア、中国など
・産業分野:機械&装置
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❖ レポートの概要 ❖

シリコンカーバイド(SiC)およびガリウムナイトライド(GaN)用のエピタキシャル成長装置の世界市場規模は、2025年のUS$ 12億2,100万から2031年にはUS$ 18億8,300万に成長すると予測されています。2025年から2031年までの年間平均成長率(CAGR)は7.5%と予想されています。
エピタキシャル成長またはエピタキシーとは、結晶性基板上に結晶性被覆層(エピタキシャル層)を堆積するプロセスを指します。エピタキシーは、シリコンインゴットの製造やウェハ表面に適切な結晶性層を堆積するために使用されます。エピタキシーは、均一エピタキシーと不均一エピタキシーに分類されます。異なる応用分野における抵抗などのパラメーターに対するデバイスの特定要件を満たすため、基板上に条件を満たすエピタキシーを実施した後でしかデバイスを製造できません。したがって、エピタキシーの品質はデバイスの性能に影響を与えます。ガリウムナイトライド(GaN)やシリコンカーバイド(SiC)などの第2世代および第3世代半導体材料は、エピタキシー技術を基盤として広く必要とされています。
SiCおよびGaN用エピタキシャル成長装置
シリコンカーバイド(SiC)とガリウムナイトライド(GaN)用のエピタキシャル成長装置の世界市場規模は、2025年のUS$ 12億2,100万から2031年にはUS$ 18億8,300万に成長すると予測されており、2025年から2031年までの年平均成長率(CAGR)は7.5%と予想されています。
SiCおよびGaN用エピタキシャル成長装置は、エピタキシャル成長技術を通じて半導体製造において重要な役割を果たしています。この装置は、多様な半導体デバイスや機能性材料の製造に高品質で高度に制御されたエピタキシャル層を提供可能です。
シリコンカーバイド(SiC)とガリウムナイトライド(GaN)半導体用のエピタキシャル成長装置市場は、多様な先進応用分野からの需要に牽引され、急速に進化しています。これらの応用には、性能基準を満たすための精密なエピタキシャル成長が求められるパワーデバイス、マイクロLED、レーザーダイオードなどが含まれます。GaN材料はシリコン基板に次ぐエピタキシャル市場を支配しており、特に伝統的なGaNベースのLEDにおいて重要です。一方、SiC基板は、広帯域ギャップ特性により高効率と高耐圧性を備えるため、パワーエレクトロニクス分野で注目されています。SiC基板は依然として高コストですが、最先端のMOSFETやダイオード技術に不可欠とされ、エピタキシャル成長装置市場の動向を左右する役割を果たしています。
世界的に見ると、SiCとGaNのエピタキシャル成長装置市場では中国が主導権を握っており、総シェアの約40%を占めています。この優位性は、中国が半導体製造に多額の投資を行い、重要な材料と装置の国内サプライチェーン開発に注力していることに起因しています。
この分野の主要なプレイヤーには、NuFlare Technology Inc.、Tokyo Electron Limited、NAURA、VEECOなどが挙げられ、これら4社で市場シェアの約60%を占めています。これらの企業は、半導体アプリケーションの複雑さと精度要件の増加に対応するため、先進的なソリューションを提供し、イノベーションの先頭を走っています。この市場は、設備製造に要する高い資本集約性と技術的専門知識により、激しい競争が展開されています。
化学気相成長(CVD)エピタキシー装置は、市場全体の約50%を占める最大の製品セグメントです。この人気は、高度な半導体デバイスに不可欠な高品質なエピタキシャル層を実現できる汎用性に起因しています。用途別では、SiCエピタキシーが市場全体の約60%を占めています。SiCベースのソリューションは、高電圧・高温環境下での優れた性能から、電気自動車、再生可能エネルギー、産業用電力システムなどの分野で不可欠な役割を果たしています。GaNエピタキシーも重要なセグメントであり、光電子デバイスでの広範な採用と、RFおよび5G技術における新興役割が成長を後押ししています。
LP Information, Inc.(LPI)の最新の調査報告書「SiCおよびGaN産業向けエピタキシャル成長装置市場予測」は、過去の販売実績を分析し、2024年の世界全体のSiCおよびGaN向けエピタキシャル成長装置の販売総額をまとめ、2025年から2031年までの地域別・市場セグメント別の予測を詳細に分析しています。地域、市場セクター、サブセクター別に分類されたSiCおよびGaN用エピタキシャル成長装置の売上を分析し、この報告書は世界中のSiCおよびGaN用エピタキシャル成長装置業界の売上を米ドル百万単位で詳細に分析しています。
このインサイトレポートは、SiCおよびGaNエピタキシャル成長装置のグローバル市場動向を包括的に分析し、製品セグメンテーション、企業設立、売上高、市場シェア、最新動向、M&A活動に関する主要なトレンドを強調しています。本レポートでは、SiCおよびGaNエピタキシャル成長装置のポートフォリオと能力、市場参入戦略、市場ポジション、地理的展開に焦点を当て、主要なグローバル企業の戦略を分析し、加速するグローバルSiCおよびGaNエピタキシャル成長装置市場におけるこれらの企業の独自のポジションを深く理解します。
このインサイトレポートは、SiCおよびGaN用エピタキシャル成長装置の世界の市場動向、ドライバー、影響要因を評価し、タイプ、アプリケーション、地域、市場規模別に予測を分解し、新興の機会領域を浮き彫りにします。数百のボトムアップ定性・定量市場データに基づく透明性の高いメソドロジーを採用した本調査の予測は、SiCおよびGaN向けエピタキシャル成長装置のグローバル市場における現在の状態と将来の動向について、高度に詳細な見解を提供します。
本報告書は、SiCおよびGaN用エピタキシャル成長装置市場について、製品タイプ、アプリケーション、主要メーカー、主要地域および国別に見た市場シェアと成長機会を包括的に概説しています。

タイプ別セグメンテーション:
CVD
MOCVD
その他

用途別分類:
SiCエピタキシー
GaNエピタキシー

この報告書では、地域別にも市場を分類しています:
アメリカ
アメリカ
カナダ
メキシコ
ブラジル
アジア太平洋
中国
日本
韓国
東南アジア
インド
オーストラリア
ヨーロッパ
ドイツ
フランス
イギリス
イタリア
ロシア
中東・アフリカ
エジプト
南アフリカ
イスラエル
トルコ
GCC諸国

以下の企業は、主要な専門家からの情報収集と、企業の市場カバー範囲、製品ポートフォリオ、市場浸透率の分析に基づいて選定されました。
NuFlare Technology Inc.
東京エレクトロン株式会社
NAURA
VEECO
Taiyo Nippon Sanso
アイクストロン
アドバンスト・マイクロ・ファブリケーション・エクイップメント・インク・チャイナ(AMEC)
ASMインターナショナル
アイクストロン
リベール
CETC
タン・オプトエレクトロニクス・エクイップメント
科学のテクノロジーエンジン
ヘルメス・エピテック
リベル
本報告書で取り上げる主要な課題
シリコンカーバイド(SiC)とガリウムナイトライド(GaN)用のエピタキシャル成長装置のグローバル市場における10年後の見通しはどのようなものか?
SiCおよびGaNエピタキシャル成長装置市場の成長を牽引する要因は、グローバルおよび地域別で何ですか?
市場と地域別に最も急速な成長が見込まれる技術は何か?
SiCおよびGaN用エピタキシャル成長装置の市場機会は、最終市場規模によってどのように異なるか?
SiCおよびGaN用エピタキシャル成長装置は、タイプ別、アプリケーション別にどのように分類されますか?
SiCおよびGaNエピタキシャル成長装置市場は、地域別に見てどのような成長を遂げるでしょうか?

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❖ レポートの目次 ❖

1 報告の範囲
1.1 市場概要
1.2 対象期間
1.3 研究目的
1.4 市場調査手法
1.5 研究プロセスとデータソース
1.6 経済指標
1.7 対象通貨
1.8 市場推計の留意点
2 執行要約
2.1 世界市場の概要
2.1.1 シリコンカーバイド(SiC)およびガリウムナイトライド(GaN)用エピタキシャル成長装置のグローバル年間販売額(2020年~2031年)
2.1.2 地域別SiCおよびGaNエピタキシャル成長装置の世界市場動向(2020年、2024年、2031年)
2.1.3 2020年、2024年、2031年の国/地域別SiCおよびGaNエピタキシャル成長装置の現状と将来分析
2.2 SiCおよびGaN用エピタキシャル成長装置のセグメント別分析(タイプ別)
2.2.1 CVD
2.2.2 MOCVD
2.2.3 その他
2.3 SiCおよびGaN用エピタキシャル成長装置の売上高(タイプ別)
2.3.1 グローバルSiCおよびGaNエピタキシャル成長装置の売上高市場シェア(種類別)(2020-2025)
2.3.2 シリコンカーバイド(SiC)およびガリウムナイトライド(GaN)用エピタキシャル成長装置の売上高と市場シェア(種類別)(2020-2025)
2.3.3 グローバルSiCおよびGaNエピタキシャル成長装置の売上価格(種類別)(2020-2025)
2.4 SiCおよびGaN用エピタキシャル成長装置のセグメント別アプリケーション
2.4.1 SiCエピタキシー
2.4.2 GaNエピタキシー
2.5 SiCおよびGaN用エピタキシャル成長装置の売上高(用途別)
2.5.1 SiCおよびGaN用エピタキシャル成長装置のアプリケーション別販売市場シェア(2020-2025)
2.5.2 グローバルSiCおよびGaNエピタキシャル成長装置の売上高および市場シェア(用途別)(2020-2025)
2.5.3 グローバルSiCおよびGaNエピタキシャル成長装置のアプリケーション別販売価格(2020-2025)
3 グローバル企業別
3.1 グローバル SiCおよびGaN用エピタキシャル成長装置の企業別詳細データ
3.1.1 グローバルSiCおよびGaNエピタキシャル成長装置の年間売上高(企業別)(2020-2025)
3.1.2 グローバルSiCおよびGaNエピタキシャル成長装置の企業別売上高市場シェア(2020-2025年)
3.2 グローバル SiCおよびGaN用エピタキシャル成長装置の年間売上高(企業別)(2020-2025)
3.2.1 グローバルSiCおよびGaN用エピタキシャル成長装置の売上高(2020-2025年)
3.2.2 グローバルSiCおよびGaNエピタキシャル成長装置の売上高市場シェア(企業別)(2020-2025)
3.3 シリコンカーバイド(SiC)およびガリウムナイトライド(GaN)用エピタキシャル成長装置の企業別販売価格
3.4 主要メーカーのSiCおよびGaN用エピタキシャル成長装置の製造地域分布、販売地域、製品タイプ
3.4.1 主要メーカーのSiCおよびGaNエピタキシャル成長装置の製品立地分布
3.4.2 主要メーカーのSiCおよびGaNエピタキシャル成長装置製品ラインナップ
3.5 市場集中率分析
3.5.1 競争環境分析
3.5.2 集中率(CR3、CR5、CR10)および(2023-2025)
3.6 新製品と潜在的な新規参入企業
3.7 市場M&A活動と戦略
4 地域別SiCおよびGaN用エピタキシャル成長装置の世界歴史的レビュー
4.1 地域別SiCおよびGaNエピタキシャル成長装置の世界市場規模(2020-2025)
4.1.1 地域別SiCおよびGaNエピタキシャル成長装置の年間売上高(2020-2025)
4.1.2 地域別SiCおよびGaNエピタキシャル成長装置の年間売上高(2020-2025)
4.2 世界におけるSiCおよびGaN用エピタキシャル成長装置の市場規模(地域別)(2020-2025)
4.2.1 シリコンカーバイド(SiC)およびガリウムナイトライド(GaN)用エピタキシャル成長装置の年間売上高(地域別)(2020-2025)
4.2.2 グローバル SiCおよびGaN用エピタキシャル成長装置の年間売上高(地域別)(2020-2025)
4.3 アメリカズ SiCおよびGaN用エピタキシャル成長装置の売上成長
4.4 アジア太平洋地域(APAC)のSiCおよびGaN用エピタキシャル成長装置の売上高成長率
4.5 欧州のSiCおよびGaN用エピタキシャル成長装置の売上高成長率
4.6 中東・アフリカ地域におけるSiCおよびGaN用エピタキシャル成長装置の売上高成長率
5 アメリカ
5.1 アメリカ大陸 シリコンカーバイド(SiC)およびガリウムナイトライド(GaN)用エピタキシャル成長装置の売上高(国別)
5.1.1 アメリカ大陸におけるSiCおよびGaN用エピタキシャル成長装置の売上高(国別)(2020-2025)
5.1.2 アメリカ大陸におけるSiCおよびGaN用エピタキシャル成長装置の売上高(国別)(2020-2025)
5.2 アメリカズ SiCおよびGaN用エピタキシャル成長装置の売上高(タイプ別)(2020-2025)
5.3 アメリカズ SiCおよびGaN用エピタキシャル成長装置の売上高(用途別)(2020-2025)
5.4 アメリカ合衆国
5.5 カナダ
5.6 メキシコ
5.7 ブラジル
6 アジア太平洋
6.1 APAC 地域別 SiC および GaN 用エピタキシャル成長装置の販売額
6.1.1 APAC 地域別 SiC および GaN 用エピタキシャル成長装置の販売額(2020-2025)
6.1.2 アジア太平洋地域におけるSiCおよびGaN用エピタキシャル成長装置の売上高(地域別)(2020-2025)
6.2 アジア太平洋地域(APAC)のSiCおよびGaN用エピタキシャル成長装置の売上高(2020-2025年)
6.3 アジア太平洋地域(APAC)のSiCおよびGaN用エピタキシャル成長装置の売上高(2020-2025年)
6.4 中国
6.5 日本
6.6 韓国
6.7 東南アジア
6.8 インド
6.9 オーストラリア
6.10 中国・台湾
7 ヨーロッパ
7.1 ヨーロッパ SiCおよびGaN用エピタキシャル成長装置の地域別市場規模
7.1.1 欧州 SiCおよびGaN用エピタキシャル成長装置の売上高(国別)(2020-2025)
7.1.2 欧州 SiCおよびGaN用エピタキシャル成長装置の売上高(国別)(2020-2025)
7.2 ヨーロッパ SiCおよびGaN用エピタキシャル成長装置の売上高(種類別)(2020-2025)
7.3 欧州 SiCおよびGaN用エピタキシャル成長装置の売上高(用途別)(2020-2025)
7.4 ドイツ
7.5 フランス
7.6 イギリス
7.7 イタリア
7.8 ロシア
8 中東・アフリカ
8.1 中東・アフリカ SiCおよびGaN用エピタキシャル成長装置の地域別市場規模
8.1.1 中東・アフリカ地域におけるSiCおよびGaN用エピタキシャル成長装置の売上高(国別)(2020-2025)
8.1.2 中東・アフリカ地域におけるSiCおよびGaN用エピタキシャル成長装置の売上高(国別)(2020-2025)
8.2 中東・アフリカ地域におけるSiCおよびGaN用エピタキシャル成長装置の売上高(2020-2025年)
8.3 中東・アフリカ地域におけるSiCおよびGaN用エピタキシャル成長装置の売上高(2020-2025年)
8.4 エジプト
8.5 南アフリカ
8.6 イスラエル
8.7 トルコ
8.8 GCC諸国
9 市場動向、課題、およびトレンド
9.1 市場ドライバーと成長機会
9.2 市場課題とリスク
9.3 業界の動向
10 製造コスト構造分析
10.1 原材料とサプライヤー
10.2 SiCおよびGaN用エピタキシャル成長装置の製造コスト構造分析
10.3 SiCおよびGaN用エピタキシャル成長装置の製造プロセス分析
10.4 SiCおよびGaN用エピタキシャル成長装置の産業チェーン構造
11 マーケティング、販売代理店および顧客
11.1 販売チャネル
11.1.1 直接チャネル
11.1.2 間接チャネル
11.2 SiCおよびGaNエピタキシャル成長装置のディストリビューター
11.3 SiCおよびGaN用エピタキシャル成長装置の顧客
12 地域別SiCおよびGaN用エピタキシャル成長装置の世界市場予測レビュー
12.1 地域別SiCおよびGaNエピタキシャル成長装置の世界市場規模予測
12.1.1 地域別SiCおよびGaN用エピタキシャル成長装置のグローバル予測(2026-2031)
12.1.2 地域別SiCおよびGaNエピタキシャル成長装置の年間売上高予測(2026-2031)
12.2 アメリカ地域別予測(2026-2031)
12.3 アジア太平洋地域別予測(2026-2031)
12.4 欧州地域別予測(2026-2031年)
12.5 中東・アフリカ地域別予測(2026-2031)
12.6 グローバルSiCおよびGaNエピタキシャル成長装置のタイプ別予測(2026-2031年)
12.7 グローバル SiCおよびGaN用エピタキシャル成長装置の市場予測(用途別)(2026-2031)
13 主要企業分析
13.1 ヌフレア・テクノロジー株式会社
13.1.1 NuFlare Technology Inc. 会社概要
13.1.2 NuFlare Technology Inc. シリコンカーバイド(SiC)およびガリウムナイトライド(GaN)用エピタキシャル成長装置の製品ポートフォリオと仕様
13.1.3 NuFlare Technology Inc. SiCおよびGaN用エピタキシャル成長装置の売上高、収益、価格、粗利益率(2020-2025年)
13.1.4 NuFlare Technology Inc. 主な事業概要
13.1.5 NuFlare Technology Inc. 最新の動向
13.2 東京エレクトロン株式会社
13.2.1 東京エレクトロン株式会社 会社概要
13.2.2 東京エレクトロン株式会社 シリコンカーバイド(SiC)およびガリウムナイトライド(GaN)用エピタキシャル成長装置の製品ポートフォリオと仕様
13.2.3 東京エレクトロン株式会社 SiCおよびGaN用エピタキシャル成長装置の売上高、収益、価格、粗利益率(2020-2025)
13.2.4 東京エレクトロン株式会社 主要事業概要
13.2.5 東京エレクトロン株式会社 最新動向
13.3 NAURA
13.3.1 NAURA 会社概要
13.3.2 NAURA シリコンカーバイド(SiC)およびガリウムナイトライド(GaN)用エピタキシャル成長装置の製品ポートフォリオと仕様
13.3.3 NAURA シリコンカーバイド(SiC)およびガリウムナイトライド(GaN)用エピタキシャル成長装置の売上高、収益、価格、粗利益率(2020-2025)
13.3.4 NAURA 主な事業概要
13.3.5 NAURAの最新動向
13.4 VEECO
13.4.1 VEECO 会社概要
13.4.2 VEECO シリコンカーバイド(SiC)およびガリウムナイトライド(GaN)用エピタキシャル成長装置の製品ポートフォリオと仕様
13.4.3 VEECO シリコンカーバイド(SiC)およびガリウムナイトライド(GaN)用エピタキシャル成長装置の売上高、収益、価格、粗利益率(2020-2025)
13.4.4 VEECO 主な事業概要
13.4.5 VEECOの最新動向
13.5 タイヨウニッポンサンソ
13.5.1 Taiyo Nippon Sanso 会社概要
13.5.2 Taiyo Nippon SansoのSiCおよびGaN用エピタキシャル成長装置の製品ポートフォリオと仕様
13.5.3 Taiyo Nippon Sanso SiCおよびGaN用エピタキシャル成長装置の売上高、収益、価格、粗利益率(2020-2025)
13.5.4 タイヨウニホンサンソ 主な事業概要
13.5.5 タイヨウニッポンサンソの最新動向
13.6 アイクストロン
13.6.1 Aixtron 会社概要
13.6.2 AixtronのSiCおよびGaN用エピタキシャル成長装置の製品ポートフォリオと仕様
13.6.3 AixtronのSiCおよびGaN用エピタキシャル成長装置の売上高、収益、価格、粗利益率(2020-2025)
13.6.4 Aixtron 主な事業概要
13.6.5 Aixtronの最新動向
13.7 先進マイクロファブリケーション機器株式会社(AMEC)中国13.7.1 アドバンスト・マイクロ・ファブリケーション・エクイップメント・インク・チャイナ(AMEC) 会社情報
13.7.2 Advanced Micro-Fabrication Equipment Inc. China (AMEC) SiCおよびGaN用エピタキシャル成長装置の製品ポートフォリオと仕様
13.7.3 アドバンスト・マイクロ・ファブリケーション・エクイップメント・インク・チャイナ(AMEC) SiCおよびGaN用エピタキシャル成長装置の売上高、収益、価格、粗利益率(2020-2025)
13.7.4 アドバンスト・マイクロ・ファブリケーション・エクイップメント・インク・チャイナ(AMEC) 主な事業概要
13.7.5 アドバンスト・マイクロ・ファブリケーション・エクイップメント・インク・チャイナ(AMEC) 最新動向
13.8 ASMインターナショナル
13.8.1 ASMインターナショナル 会社概要
13.8.2 ASMインターナショナル シリコンカーバイド(SiC)およびガリウムナイトライド(GaN)用エピタキシャル成長装置の製品ポートフォリオと仕様
13.8.3 ASMインターナショナル SiCおよびGaN用エピタキシャル成長装置の売上高、収益、価格、粗利益率(2020-2025)
13.8.4 ASMインターナショナル 主な事業概要
13.8.5 ASM Internationalの最新動向
13.9 Aixtron
13.9.1 Aixtron 会社概要
13.9.2 Aixtron SiCおよびGaN用エピタキシャル成長装置の製品ポートフォリオと仕様
13.9.3 AixtronのSiCおよびGaN用エピタキシャル成長装置の売上高、収益、価格、粗利益率(2020-2025)
13.9.4 Aixtron 主な事業概要
13.9.5 Aixtronの最新動向
13.10 Riber
13.10.1 Riber 会社概要
13.10.2 RiberのSiCおよびGaN用エピタキシャル成長装置の製品ポートフォリオと仕様
13.10.3 RiberのSiCおよびGaN用エピタキシャル成長装置の売上高、収益、価格、粗利益率(2020-2025)
13.10.4 Riber 主な事業概要
13.10.5 リベルの最新動向
13.11 CETC
13.11.1 CETC 会社情報
13.11.2 CETC シリコンカーバイド(SiC)およびガリウムナイトライド(GaN)用エピタキシャル成長装置の製品ポートフォリオと仕様
13.11.3 CETC シリコンカーバイド(SiC)およびガリウムナイトライド(GaN)用エピタキシャル成長装置の売上高、収益、価格、粗利益率(2020-2025)
13.11.4 CETC 主な事業概要
13.11.5 CETCの最新動向
13.12 タン・オプトエレクトロニクス機器
13.12.1 タン・オプトエレクトロニクス装置会社情報
13.12.2 Tang Optoelectronics Equipment SiCおよびGaN用エピタキシャル成長装置の製品ポートフォリオと仕様
13.12.3 タン・オプトエレクトロニクス機器のSiCおよびGaN用エピタキシャル成長装置の売上高、収益、価格、粗利益率(2020-2025)
13.12.4 タン・オプトエレクトロニクス機器 主な事業概要
13.12.5 タン・オプトエレクトロニクス機器の最新動向
13.13 テクノロジー・エンジン・オブ・サイエンス
13.13.1 テクノロジー・エンジン・オブ・サイエンス 会社情報
13.13.2 テクノロジー・エンジン・オブ・サイエンス SiCおよびGaN用エピタキシャル成長装置の製品ポートフォリオと仕様
13.13.3 テクノロジー・エンジン・オブ・サイエンス SiCおよびGaN用エピタキシャル成長装置の売上高、収益、価格、粗利益率(2020-2025)
13.13.4 科学のテクノロジーエンジン 主な事業概要
13.13.5 テクノロジー・エンジン・オブ・サイエンス 最新の動向
13.14 HERMES Epitek
13.14.1 HERMES Epitek 会社情報
13.14.2 HERMES Epitek シリコンカーバイド(SiC)およびガリウムナイトライド(GaN)用エピタキシャル成長装置の製品ポートフォリオと仕様
13.14.3 HERMES Epitek シリコンカーバイド(SiC)およびガリウムナイトライド(GaN)用エピタキシャル成長装置の売上高、収益、価格、粗利益率(2020-2025)
13.14.4 HERMES Epitek 主な事業概要
13.14.5 HERMES Epitek 最新の動向
14 研究結果と結論
13.14.3 HERMES Epitek SiCおよびGaN用エピタキシャル成長装置の売上、収益、価格、粗利益(2020-2025)


1 Scope of the Report
1.1 Market Introduction
1.2 Years Considered
1.3 Research Objectives
1.4 Market Research Methodology
1.5 Research Process and Data Source
1.6 Economic Indicators
1.7 Currency Considered
1.8 Market Estimation Caveats
2 Executive Summary
2.1 World Market Overview
2.1.1 Global Epitaxial Growth Equipment for SiC and GaN Annual Sales 2020-2031
2.1.2 World Current & Future Analysis for Epitaxial Growth Equipment for SiC and GaN by Geographic Region, 2020, 2024 & 2031
2.1.3 World Current & Future Analysis for Epitaxial Growth Equipment for SiC and GaN by Country/Region, 2020, 2024 & 2031
2.2 Epitaxial Growth Equipment for SiC and GaN Segment by Type
2.2.1 CVD
2.2.2 MOCVD
2.2.3 Others
2.3 Epitaxial Growth Equipment for SiC and GaN Sales by Type
2.3.1 Global Epitaxial Growth Equipment for SiC and GaN Sales Market Share by Type (2020-2025)
2.3.2 Global Epitaxial Growth Equipment for SiC and GaN Revenue and Market Share by Type (2020-2025)
2.3.3 Global Epitaxial Growth Equipment for SiC and GaN Sale Price by Type (2020-2025)
2.4 Epitaxial Growth Equipment for SiC and GaN Segment by Application
2.4.1 SiC Epitaxy
2.4.2 GaN Epitaxy
2.5 Epitaxial Growth Equipment for SiC and GaN Sales by Application
2.5.1 Global Epitaxial Growth Equipment for SiC and GaN Sale Market Share by Application (2020-2025)
2.5.2 Global Epitaxial Growth Equipment for SiC and GaN Revenue and Market Share by Application (2020-2025)
2.5.3 Global Epitaxial Growth Equipment for SiC and GaN Sale Price by Application (2020-2025)
3 Global by Company
3.1 Global Epitaxial Growth Equipment for SiC and GaN Breakdown Data by Company
3.1.1 Global Epitaxial Growth Equipment for SiC and GaN Annual Sales by Company (2020-2025)
3.1.2 Global Epitaxial Growth Equipment for SiC and GaN Sales Market Share by Company (2020-2025)
3.2 Global Epitaxial Growth Equipment for SiC and GaN Annual Revenue by Company (2020-2025)
3.2.1 Global Epitaxial Growth Equipment for SiC and GaN Revenue by Company (2020-2025)
3.2.2 Global Epitaxial Growth Equipment for SiC and GaN Revenue Market Share by Company (2020-2025)
3.3 Global Epitaxial Growth Equipment for SiC and GaN Sale Price by Company
3.4 Key Manufacturers Epitaxial Growth Equipment for SiC and GaN Producing Area Distribution, Sales Area, Product Type
3.4.1 Key Manufacturers Epitaxial Growth Equipment for SiC and GaN Product Location Distribution
3.4.2 Players Epitaxial Growth Equipment for SiC and GaN Products Offered
3.5 Market Concentration Rate Analysis
3.5.1 Competition Landscape Analysis
3.5.2 Concentration Ratio (CR3, CR5 and CR10) & (2023-2025)
3.6 New Products and Potential Entrants
3.7 Market M&A Activity & Strategy
4 World Historic Review for Epitaxial Growth Equipment for SiC and GaN by Geographic Region
4.1 World Historic Epitaxial Growth Equipment for SiC and GaN Market Size by Geographic Region (2020-2025)
4.1.1 Global Epitaxial Growth Equipment for SiC and GaN Annual Sales by Geographic Region (2020-2025)
4.1.2 Global Epitaxial Growth Equipment for SiC and GaN Annual Revenue by Geographic Region (2020-2025)
4.2 World Historic Epitaxial Growth Equipment for SiC and GaN Market Size by Country/Region (2020-2025)
4.2.1 Global Epitaxial Growth Equipment for SiC and GaN Annual Sales by Country/Region (2020-2025)
4.2.2 Global Epitaxial Growth Equipment for SiC and GaN Annual Revenue by Country/Region (2020-2025)
4.3 Americas Epitaxial Growth Equipment for SiC and GaN Sales Growth
4.4 APAC Epitaxial Growth Equipment for SiC and GaN Sales Growth
4.5 Europe Epitaxial Growth Equipment for SiC and GaN Sales Growth
4.6 Middle East & Africa Epitaxial Growth Equipment for SiC and GaN Sales Growth
5 Americas
5.1 Americas Epitaxial Growth Equipment for SiC and GaN Sales by Country
5.1.1 Americas Epitaxial Growth Equipment for SiC and GaN Sales by Country (2020-2025)
5.1.2 Americas Epitaxial Growth Equipment for SiC and GaN Revenue by Country (2020-2025)
5.2 Americas Epitaxial Growth Equipment for SiC and GaN Sales by Type (2020-2025)
5.3 Americas Epitaxial Growth Equipment for SiC and GaN Sales by Application (2020-2025)
5.4 United States
5.5 Canada
5.6 Mexico
5.7 Brazil
6 APAC
6.1 APAC Epitaxial Growth Equipment for SiC and GaN Sales by Region
6.1.1 APAC Epitaxial Growth Equipment for SiC and GaN Sales by Region (2020-2025)
6.1.2 APAC Epitaxial Growth Equipment for SiC and GaN Revenue by Region (2020-2025)
6.2 APAC Epitaxial Growth Equipment for SiC and GaN Sales by Type (2020-2025)
6.3 APAC Epitaxial Growth Equipment for SiC and GaN Sales by Application (2020-2025)
6.4 China
6.5 Japan
6.6 South Korea
6.7 Southeast Asia
6.8 India
6.9 Australia
6.10 China Taiwan
7 Europe
7.1 Europe Epitaxial Growth Equipment for SiC and GaN by Country
7.1.1 Europe Epitaxial Growth Equipment for SiC and GaN Sales by Country (2020-2025)
7.1.2 Europe Epitaxial Growth Equipment for SiC and GaN Revenue by Country (2020-2025)
7.2 Europe Epitaxial Growth Equipment for SiC and GaN Sales by Type (2020-2025)
7.3 Europe Epitaxial Growth Equipment for SiC and GaN Sales by Application (2020-2025)
7.4 Germany
7.5 France
7.6 UK
7.7 Italy
7.8 Russia
8 Middle East & Africa
8.1 Middle East & Africa Epitaxial Growth Equipment for SiC and GaN by Country
8.1.1 Middle East & Africa Epitaxial Growth Equipment for SiC and GaN Sales by Country (2020-2025)
8.1.2 Middle East & Africa Epitaxial Growth Equipment for SiC and GaN Revenue by Country (2020-2025)
8.2 Middle East & Africa Epitaxial Growth Equipment for SiC and GaN Sales by Type (2020-2025)
8.3 Middle East & Africa Epitaxial Growth Equipment for SiC and GaN Sales by Application (2020-2025)
8.4 Egypt
8.5 South Africa
8.6 Israel
8.7 Turkey
8.8 GCC Countries
9 Market Drivers, Challenges and Trends
9.1 Market Drivers & Growth Opportunities
9.2 Market Challenges & Risks
9.3 Industry Trends
10 Manufacturing Cost Structure Analysis
10.1 Raw Material and Suppliers
10.2 Manufacturing Cost Structure Analysis of Epitaxial Growth Equipment for SiC and GaN
10.3 Manufacturing Process Analysis of Epitaxial Growth Equipment for SiC and GaN
10.4 Industry Chain Structure of Epitaxial Growth Equipment for SiC and GaN
11 Marketing, Distributors and Customer
11.1 Sales Channel
11.1.1 Direct Channels
11.1.2 Indirect Channels
11.2 Epitaxial Growth Equipment for SiC and GaN Distributors
11.3 Epitaxial Growth Equipment for SiC and GaN Customer
12 World Forecast Review for Epitaxial Growth Equipment for SiC and GaN by Geographic Region
12.1 Global Epitaxial Growth Equipment for SiC and GaN Market Size Forecast by Region
12.1.1 Global Epitaxial Growth Equipment for SiC and GaN Forecast by Region (2026-2031)
12.1.2 Global Epitaxial Growth Equipment for SiC and GaN Annual Revenue Forecast by Region (2026-2031)
12.2 Americas Forecast by Country (2026-2031)
12.3 APAC Forecast by Region (2026-2031)
12.4 Europe Forecast by Country (2026-2031)
12.5 Middle East & Africa Forecast by Country (2026-2031)
12.6 Global Epitaxial Growth Equipment for SiC and GaN Forecast by Type (2026-2031)
12.7 Global Epitaxial Growth Equipment for SiC and GaN Forecast by Application (2026-2031)
13 Key Players Analysis
13.1 NuFlare Technology Inc.
13.1.1 NuFlare Technology Inc. Company Information
13.1.2 NuFlare Technology Inc. Epitaxial Growth Equipment for SiC and GaN Product Portfolios and Specifications
13.1.3 NuFlare Technology Inc. Epitaxial Growth Equipment for SiC and GaN Sales, Revenue, Price and Gross Margin (2020-2025)
13.1.4 NuFlare Technology Inc. Main Business Overview
13.1.5 NuFlare Technology Inc. Latest Developments
13.2 Tokyo Electron Limited
13.2.1 Tokyo Electron Limited Company Information
13.2.2 Tokyo Electron Limited Epitaxial Growth Equipment for SiC and GaN Product Portfolios and Specifications
13.2.3 Tokyo Electron Limited Epitaxial Growth Equipment for SiC and GaN Sales, Revenue, Price and Gross Margin (2020-2025)
13.2.4 Tokyo Electron Limited Main Business Overview
13.2.5 Tokyo Electron Limited Latest Developments
13.3 NAURA
13.3.1 NAURA Company Information
13.3.2 NAURA Epitaxial Growth Equipment for SiC and GaN Product Portfolios and Specifications
13.3.3 NAURA Epitaxial Growth Equipment for SiC and GaN Sales, Revenue, Price and Gross Margin (2020-2025)
13.3.4 NAURA Main Business Overview
13.3.5 NAURA Latest Developments
13.4 VEECO
13.4.1 VEECO Company Information
13.4.2 VEECO Epitaxial Growth Equipment for SiC and GaN Product Portfolios and Specifications
13.4.3 VEECO Epitaxial Growth Equipment for SiC and GaN Sales, Revenue, Price and Gross Margin (2020-2025)
13.4.4 VEECO Main Business Overview
13.4.5 VEECO Latest Developments
13.5 Taiyo Nippon Sanso
13.5.1 Taiyo Nippon Sanso Company Information
13.5.2 Taiyo Nippon Sanso Epitaxial Growth Equipment for SiC and GaN Product Portfolios and Specifications
13.5.3 Taiyo Nippon Sanso Epitaxial Growth Equipment for SiC and GaN Sales, Revenue, Price and Gross Margin (2020-2025)
13.5.4 Taiyo Nippon Sanso Main Business Overview
13.5.5 Taiyo Nippon Sanso Latest Developments
13.6 Aixtron
13.6.1 Aixtron Company Information
13.6.2 Aixtron Epitaxial Growth Equipment for SiC and GaN Product Portfolios and Specifications
13.6.3 Aixtron Epitaxial Growth Equipment for SiC and GaN Sales, Revenue, Price and Gross Margin (2020-2025)
13.6.4 Aixtron Main Business Overview
13.6.5 Aixtron Latest Developments
13.7 Advanced Micro-Fabrication Equipment Inc. China (AMEC)
13.7.1 Advanced Micro-Fabrication Equipment Inc. China (AMEC) Company Information
13.7.2 Advanced Micro-Fabrication Equipment Inc. China (AMEC) Epitaxial Growth Equipment for SiC and GaN Product Portfolios and Specifications
13.7.3 Advanced Micro-Fabrication Equipment Inc. China (AMEC) Epitaxial Growth Equipment for SiC and GaN Sales, Revenue, Price and Gross Margin (2020-2025)
13.7.4 Advanced Micro-Fabrication Equipment Inc. China (AMEC) Main Business Overview
13.7.5 Advanced Micro-Fabrication Equipment Inc. China (AMEC) Latest Developments
13.8 ASM International
13.8.1 ASM International Company Information
13.8.2 ASM International Epitaxial Growth Equipment for SiC and GaN Product Portfolios and Specifications
13.8.3 ASM International Epitaxial Growth Equipment for SiC and GaN Sales, Revenue, Price and Gross Margin (2020-2025)
13.8.4 ASM International Main Business Overview
13.8.5 ASM International Latest Developments
13.9 Aixtron
13.9.1 Aixtron Company Information
13.9.2 Aixtron Epitaxial Growth Equipment for SiC and GaN Product Portfolios and Specifications
13.9.3 Aixtron Epitaxial Growth Equipment for SiC and GaN Sales, Revenue, Price and Gross Margin (2020-2025)
13.9.4 Aixtron Main Business Overview
13.9.5 Aixtron Latest Developments
13.10 Riber
13.10.1 Riber Company Information
13.10.2 Riber Epitaxial Growth Equipment for SiC and GaN Product Portfolios and Specifications
13.10.3 Riber Epitaxial Growth Equipment for SiC and GaN Sales, Revenue, Price and Gross Margin (2020-2025)
13.10.4 Riber Main Business Overview
13.10.5 Riber Latest Developments
13.11 CETC
13.11.1 CETC Company Information
13.11.2 CETC Epitaxial Growth Equipment for SiC and GaN Product Portfolios and Specifications
13.11.3 CETC Epitaxial Growth Equipment for SiC and GaN Sales, Revenue, Price and Gross Margin (2020-2025)
13.11.4 CETC Main Business Overview
13.11.5 CETC Latest Developments
13.12 Tang Optoelectronics Equipment
13.12.1 Tang Optoelectronics Equipment Company Information
13.12.2 Tang Optoelectronics Equipment Epitaxial Growth Equipment for SiC and GaN Product Portfolios and Specifications
13.12.3 Tang Optoelectronics Equipment Epitaxial Growth Equipment for SiC and GaN Sales, Revenue, Price and Gross Margin (2020-2025)
13.12.4 Tang Optoelectronics Equipment Main Business Overview
13.12.5 Tang Optoelectronics Equipment Latest Developments
13.13 Technology Engine of Science
13.13.1 Technology Engine of Science Company Information
13.13.2 Technology Engine of Science Epitaxial Growth Equipment for SiC and GaN Product Portfolios and Specifications
13.13.3 Technology Engine of Science Epitaxial Growth Equipment for SiC and GaN Sales, Revenue, Price and Gross Margin (2020-2025)
13.13.4 Technology Engine of Science Main Business Overview
13.13.5 Technology Engine of Science Latest Developments
13.14 HERMES Epitek
13.14.1 HERMES Epitek Company Information
13.14.2 HERMES Epitek Epitaxial Growth Equipment for SiC and GaN Product Portfolios and Specifications
13.14.3 HERMES Epitek Epitaxial Growth Equipment for SiC and GaN Sales, Revenue, Price and Gross Margin (2020-2025)
13.14.4 HERMES Epitek Main Business Overview
13.14.5 HERMES Epitek Latest Developments
14 Research Findings and Conclusion

※参考情報

SiC(シリコンカーバイド)およびGaN(ガリウムナイトライド)用エピタキシャル成長装置は、これらの半導体材料の特性を最大限に引き出すための重要な装置です。エピタキシャル成長は、基板上に薄膜を形成する技術であり、特にこれらの材料は高い耐熱性や高い電力効率、さらには高い電子移動度を持つことから、パワーエレクトronicsや高周波デバイスにおいて非常に重要です。

まず、SiCは優れた耐熱性と大電流特性を持ち、半導体デバイスの冷却能力を向上させるために使われます。例えば、パワーMOSFETやダイオードなど、電力変換装置での利用が進んでいます。一方、GaNは高周波での動作が得意であり、特に通信機器やLED、レーザーダイオードなどに使用されています。これらの材料を用いたデバイスは、従来のシリコンベースのデバイスと比べて高い効率と性能を発揮することが期待されます。

エピタキシャル成長装置の特徴としては、高精度な温度制御、ガスフロー管理、真空環境の維持、およびプロセスの再現性が求められます。特に、材料特性を左右する成長速度や膜厚の均一性が極めて重要です。SiCやGaNはそれぞれ異なる蒸気圧や反応性を持つため、これに応じたプロセス条件の最適化が必要です。

この装置にはいくつかの種類があります。代表的なものとして、MBE(分子線エピタキシー)、MOCVD(メタル有機化学気相成長)、およびHVPE(高圧水素化化学蒸着)などが挙げられます。MBEは高い結晶品質が得られる一方で、成長速度が遅いため高価な装置となる傾向にあります。MOCVDは、比較的高い成長速度と均一性が得られるため、大量生産向けに適しています。HVPEは、特にSiCのエピタキシャル成長において優れた膜厚均一性を提供し、コストパフォーマンスが良好です。

これらの装置の用途としましては、まずSiCやGaNを用いたパワーデバイスの製造があります。これにより、高効率で小型の電源ユニットが実現され、電力消費の削減が期待されます。また、通信分野ではGaNがRF(高周波)デバイスに使われ、携帯電話の基地局や衛星通信機器において重要な役割を果たしています。

さらに、これらの材料の進展により、次世代のエネルギー変換技術が実現されつつあります。これに加え、SiCやGaNの特性を活かした新たなデバイス設計やプロセス開発も進んでおり、将来的な応用の可能性が広がっています。

関連技術としては、成長後の材料評価技術も重要です。特にX線回折(XRD)、高分解能走査型電子顕微鏡(HRSEM)、およびフォトルミネッセンスなどが使われ、エピタキシャル層の結晶品質や膜厚均一性の確認が行われます。これにより、生産したデバイスの信頼性や性能評価が可能となります。

最後に、SiCおよびGaN用エピタキシャル成長装置は、次世代のパワーエレクトロニクスや通信デバイスの革新に寄与する重要な技術であると言えます。市場はますます拡大し、これに伴い、より高度な装置やプロセスの開発が求められています。技術の進展により、これらの材料の普及が進むことで、より高効率で環境に優しいエネルギー利用が実現されることが期待されています。


★調査レポート[SiC・GaN用エピタキシャル成長装置の世界市場2025-2031] (コード:LP23MY1498)販売に関する免責事項を必ずご確認ください。
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