1 市場概要
1.1 GaN半導体デバイスの定義
1.2 グローバルGaN半導体デバイスの市場規模と予測
1.2.1 売上別のグローバルGaN半導体デバイスの市場規模（2019-2030）
1.2.2 販売量別のグローバルGaN半導体デバイスの市場規模（2019-2030）
1.2.3 グローバルGaN半導体デバイスの平均販売価格（ASP）（2019-2030）
1.3 中国GaN半導体デバイスの市場規模・予測
1.3.1 売上別の中国GaN半導体デバイス市場規模（2019-2030）
1.3.2 販売量別の中国GaN半導体デバイス市場規模（2019-2030）
1.3.3 中国GaN半導体デバイスの平均販売価格（ASP）（2019-2030）
1.4 世界における中国GaN半導体デバイスの市場シェア
1.4.1 世界における売上別の中国GaN半導体デバイス市場シェア（2019～2030）
1.4.2 世界市場における販売量別の中国GaN半導体デバイス市場シェア（2019～2030）
1.4.3 GaN半導体デバイスの市場規模、中国VS世界（2019-2030）
1.5 GaN半導体デバイス市場ダイナミックス
1.5.1 GaN半導体デバイスの市場ドライバ
1.5.2 GaN半導体デバイス市場の制約
1.5.3 GaN半導体デバイス業界動向
1.5.4 GaN半導体デバイス産業政策
2 世界主要会社市場シェアとランキング
2.1 会社別の世界GaN半導体デバイス売上の市場シェア（2019～2024）
2.2 会社別の世界GaN半導体デバイス販売量の市場シェア（2019～2024）
2.3 会社別のGaN半導体デバイスの平均販売価格（ASP）、2019～2024
2.4 グローバルGaN半導体デバイスのトップ会社、マーケットポジション（ティア1、ティア2、ティア3）
2.5 グローバルGaN半導体デバイスの市場集中度
2.6 グローバルGaN半導体デバイスの合併と買収、拡張計画
2.7 主要会社のGaN半導体デバイス製品タイプ
2.8 主要会社の本社と生産拠点
2.9 主要会社の生産能力の推移と今後の計画
3 中国主要会社市場シェアとランキング
3.1 会社別の中国GaN半導体デバイス売上の市場シェア（2019-2024年）
3.2 GaN半導体デバイスの販売量における中国の主要会社市場シェア（2019～2024）
3.3 中国GaN半導体デバイスのトップ会社、マーケットポジション（ティア1、ティア2、ティア3）
4 世界の生産地域
4.1 グローバルGaN半導体デバイスの生産能力、生産量、稼働率（2019～2030）
4.2 地域別のグローバルGaN半導体デバイスの生産能力
4.3 地域別のグローバルGaN半導体デバイスの生産量と予測、2019年 VS 2023年 VS 2030年
4.4 地域別のグローバルGaN半導体デバイスの生産量（2019～2030）
4.5 地域別のグローバルGaN半導体デバイスの生産量市場シェアと予測（2019-2030）
5 産業チェーン分析
5.1 GaN半導体デバイス産業チェーン
5.2 上流産業分析
5.2.1 GaN半導体デバイスの主な原材料
5.2.2 主な原材料の主要サプライヤー
5.3 中流産業分析
5.4 下流産業分析
5.5 生産モード
5.6 GaN半導体デバイス調達モデル
5.7 GaN半導体デバイス業界の販売モデルと販売チャネル
5.7.1 GaN半導体デバイス販売モデル
5.7.2 GaN半導体デバイス代表的なディストリビューター
6 製品別のGaN半導体デバイス一覧
6.1 GaN半導体デバイス分類
6.1.1 GaN Power Devices (Schottky Diodes, Field Effect Transistors (FETs))
6.1.2 GaN RF Devices (Power Amplifier PA, Low Noise Amplifier LNA, RF Switch SWITCH, Monolithic Integrated Circuit MMIC)
6.2 製品別のグローバルGaN半導体デバイスの売上とCAGR、2019年 VS 2023年 VS 2030年
6.3 製品別のグローバルGaN半導体デバイスの売上（2019～2030）
6.4 製品別のグローバルGaN半導体デバイスの販売量（2019～2030）
6.5 製品別のグローバルGaN半導体デバイスの平均販売価格（ASP）（2019～2030）
7 アプリケーション別のGaN半導体デバイス一覧
7.1 GaN半導体デバイスアプリケーション
7.1.1 Consumer Electronics
7.1.2 Telecom & Datacom
7.1.3 Industrial Industry
7.1.4 Defence & Aerospace
7.1.5 Energy Industry
7.1.6 Automobile & Mobility
7.1.7 Others
7.2 アプリケーション別のグローバルGaN半導体デバイスの売上とCAGR、2019 VS 2023 VS 2030
7.3 アプリケーション別のグローバルGaN半導体デバイスの売上（2019～2030）
7.4 アプリケーション別のグローバルGaN半導体デバイス販売量（2019～2030）
7.5 アプリケーション別のグローバルGaN半導体デバイス価格（2019～2030）
8 地域別のGaN半導体デバイス市場規模一覧
8.1 地域別のグローバルGaN半導体デバイスの売上、2019 VS 2023 VS 2030
8.2 地域別のグローバルGaN半導体デバイスの売上（2019～2030）
8.3 地域別のグローバルGaN半導体デバイスの販売量（2019～2030）
8.4 北米
8.4.1 北米GaN半導体デバイスの市場規模・予測（2019～2030）
8.4.2 国別の北米GaN半導体デバイス市場規模シェア
8.5 ヨーロッパ
8.5.1 ヨーロッパGaN半導体デバイス市場規模・予測（2019～2030）
8.5.2 国別のヨーロッパGaN半導体デバイス市場規模シェア
8.6 アジア太平洋地域
8.6.1 アジア太平洋地域GaN半導体デバイス市場規模・予測（2019～2030）
8.6.2 国・地域別のアジア太平洋地域GaN半導体デバイス市場規模シェア
8.7 南米
8.7.1 南米GaN半導体デバイスの市場規模・予測（2019～2030）
8.7.2 国別の南米GaN半導体デバイス市場規模シェア
8.8 中東・アフリカ
9 国別のGaN半導体デバイス市場規模一覧
9.1 国別のグローバルGaN半導体デバイスの市場規模＆CAGR、2019年 VS 2023年 VS 2030年
9.2 国別のグローバルGaN半導体デバイスの売上（2019～2030）
9.3 国別のグローバルGaN半導体デバイスの販売量（2019～2030）
9.4 米国
9.4.1 米国GaN半導体デバイス市場規模（2019～2030）
9.4.2 製品別の米国販売量の市場シェア、2023年 VS 2030年
9.4.3 “アプリケーション別の米国販売量市場のシェア、2023年 VS 2030年
9.5 ヨーロッパ
9.5.1 ヨーロッパGaN半導体デバイス市場規模（2019～2030）
9.5.2 製品別のヨーロッパGaN半導体デバイス販売量の市場シェア、2023年 VS 2030年
9.5.3 アプリケーション別のヨーロッパGaN半導体デバイス販売量の市場シェア、2023年 VS 2030年
9.6 中国
9.6.1 中国GaN半導体デバイス市場規模（2019～2030）
9.6.2 製品別の中国GaN半導体デバイス販売量の市場シェア、2023年 VS 2030年
9.6.3 アプリケーション別の中国GaN半導体デバイス販売量の市場シェア、2023年 VS 2030年
9.7 日本
9.7.1 日本GaN半導体デバイス市場規模（2019～2030）
9.7.2 製品別の日本GaN半導体デバイス販売量の市場シェア、2023年 VS 2030年
9.7.3 アプリケーション別の日本GaN半導体デバイス販売量の市場シェア、2023年 VS 2030年
9.8 韓国
9.8.1 韓国GaN半導体デバイス市場規模（2019～2030）
9.8.2 製品別の韓国GaN半導体デバイス販売量の市場シェア、2023年 VS 2030年
9.8.3 アプリケーション別の韓国GaN半導体デバイス販売量の市場シェア、2023年 VS 2030年
9.9 東南アジア
9.9.1 東南アジアGaN半導体デバイス市場規模（2019～2030）
9.9.2 製品別の東南アジアGaN半導体デバイス販売量の市場シェア、2023年 VS 2030年
9.9.3 アプリケーション別の東南アジアGaN半導体デバイス販売量の市場シェア、2023年 VS 2030年
9.10 インド
9.10.1 インドGaN半導体デバイス市場規模（2019～2030）
9.10.2 製品別のインドGaN半導体デバイス販売量の市場シェア、2023 VS 2030年
9.10.3 アプリケーション別のインドGaN半導体デバイス販売量の市場シェア、2023 VS 2030年
9.11 中東・アフリカ
9.11.1 中東・アフリカGaN半導体デバイス市場規模（2019～2030）
9.11.2 製品別の中東・アフリカGaN半導体デバイス販売量の市場シェア、2023年 VS 2030年
9.11.3 アプリケーション別の中東・アフリカGaN半導体デバイス販売量の市場シェア、2023 VS 2030年
10 会社概要
10.1 Toshiba
10.1.1 Toshiba 企業情報、本社、販売地域、市場地位
10.1.2 Toshiba GaN半導体デバイス製品モデル、仕様、アプリケーション
10.1.3 Toshiba GaN半導体デバイス販売量、売上、価格、粗利益率、2019～2024
10.1.4 Toshiba 会社紹介と事業概要
10.1.5 Toshiba 最近の開発状況
10.2 Wolfspeed
10.2.1 Wolfspeed 企業情報、本社、販売地域、市場地位
10.2.2 Wolfspeed GaN半導体デバイス製品モデル、仕様、アプリケーション
10.2.3 Wolfspeed GaN半導体デバイス販売量、売上、価格、粗利益率、2019～2024
10.2.4 Wolfspeed 会社紹介と事業概要
10.2.5 Wolfspeed 最近の開発状況
10.3 GaN Systems
10.3.1 GaN Systems 企業情報、本社、販売地域、市場地位
10.3.2 GaN Systems GaN半導体デバイス製品モデル、仕様、アプリケーション
10.3.3 GaN Systems GaN半導体デバイス販売量、売上、価格、粗利益率、2019～2024
10.3.4 GaN Systems 会社紹介と事業概要
10.3.5 GaN Systems 最近の開発状況
10.4 Infineon Technologies
10.4.1 Infineon Technologies 企業情報、本社、販売地域、市場地位
10.4.2 Infineon Technologies GaN半導体デバイス製品モデル、仕様、アプリケーション
10.4.3 Infineon Technologies GaN半導体デバイス販売量、売上、価格、粗利益率、2019～2024
10.4.4 Infineon Technologies 会社紹介と事業概要
10.4.5 Infineon Technologies 最近の開発状況
10.5 Efficient Power Conversion (EPC)
10.5.1 Efficient Power Conversion (EPC) 企業情報、本社、販売地域、市場地位
10.5.2 Efficient Power Conversion (EPC) GaN半導体デバイス製品モデル、仕様、アプリケーション
10.5.3 Efficient Power Conversion (EPC) GaN半導体デバイス販売量、売上、価格、粗利益率、2019～2024
10.5.4 Efficient Power Conversion (EPC) 会社紹介と事業概要
10.5.5 Efficient Power Conversion (EPC) 最近の開発状況
10.6 Mitsubishi Electric
10.6.1 Mitsubishi Electric 企業情報、本社、販売地域、市場地位
10.6.2 Mitsubishi Electric GaN半導体デバイス製品モデル、仕様、アプリケーション
10.6.3 Mitsubishi Electric GaN半導体デバイス販売量、売上、価格、粗利益率、2019～2024
10.6.4 Mitsubishi Electric 会社紹介と事業概要
10.6.5 Mitsubishi Electric 最近の開発状況
10.7 STMicroelectronics
10.7.1 STMicroelectronics 企業情報、本社、販売地域、市場地位
10.7.2 STMicroelectronics GaN半導体デバイス製品モデル、仕様、アプリケーション
10.7.3 STMicroelectronics GaN半導体デバイス販売量、売上、価格、粗利益率、2019～2024
10.7.4 STMicroelectronics 会社紹介と事業概要
10.7.5 STMicroelectronics 最近の開発状況
10.8 Transphorm
10.8.1 Transphorm 企業情報、本社、販売地域、市場地位
10.8.2 Transphorm GaN半導体デバイス製品モデル、仕様、アプリケーション
10.8.3 Transphorm GaN半導体デバイス販売量、売上、価格、粗利益率、2019～2024
10.8.4 Transphorm 会社紹介と事業概要
10.8.5 Transphorm 最近の開発状況
10.9 NexGen
10.9.1 NexGen 企業情報、本社、販売地域、市場地位
10.9.2 NexGen GaN半導体デバイス製品モデル、仕様、アプリケーション
10.9.3 NexGen GaN半導体デバイス販売量、売上、価格、粗利益率、2019～2024
10.9.4 NexGen 会社紹介と事業概要
10.9.5 NexGen 最近の開発状況
10.10 ROHM Semiconductor
10.10.1 ROHM Semiconductor 企業情報、本社、販売地域、市場地位
10.10.2 ROHM Semiconductor GaN半導体デバイス製品モデル、仕様、アプリケーション
10.10.3 ROHM Semiconductor GaN半導体デバイス販売量、売上、価格、粗利益率、2019～2024
10.10.4 ROHM Semiconductor 会社紹介と事業概要
10.10.5 ROHM Semiconductor 最近の開発状況
10.11 Sumitomo Electric Device Innovations Inc (SEDI)
10.11.1 Sumitomo Electric Device Innovations Inc (SEDI) 企業情報、本社、販売地域、市場地位
10.11.2 Sumitomo Electric Device Innovations Inc (SEDI) GaN半導体デバイス製品モデル、仕様、アプリケーション
10.11.3 Sumitomo Electric Device Innovations Inc (SEDI) GaN半導体デバイス販売量、売上、価格、粗利益率、2019～2024
10.11.4 Sumitomo Electric Device Innovations Inc (SEDI) 会社紹介と事業概要
10.11.5 Sumitomo Electric Device Innovations Inc (SEDI) 最近の開発状況
10.12 Qorvo
10.12.1 Qorvo 企業情報、本社、販売地域、市場地位
10.12.2 Qorvo GaN半導体デバイス製品モデル、仕様、アプリケーション
10.12.3 Qorvo GaN半導体デバイス販売量、売上、価格、粗利益率、2019～2024
10.12.4 Qorvo 会社紹介と事業概要
10.12.5 Qorvo 最近の開発状況
10.13 MACOM
10.13.1 MACOM 企業情報、本社、販売地域、市場地位
10.13.2 MACOM GaN半導体デバイス製品モデル、仕様、アプリケーション
10.13.3 MACOM GaN半導体デバイス販売量、売上、価格、粗利益率、2019～2024
10.13.4 MACOM 会社紹介と事業概要
10.13.5 MACOM 最近の開発状況
10.14 Renesas Electronics
10.14.1 Renesas Electronics 企業情報、本社、販売地域、市場地位
10.14.2 Renesas Electronics GaN半導体デバイス製品モデル、仕様、アプリケーション
10.14.3 Renesas Electronics GaN半導体デバイス販売量、売上、価格、粗利益率、2019～2024
10.14.4 Renesas Electronics 会社紹介と事業概要
10.14.5 Renesas Electronics 最近の開発状況
10.15 Dynax Semiconductor
10.15.1 Dynax Semiconductor 企業情報、本社、販売地域、市場地位
10.15.2 Dynax Semiconductor GaN半導体デバイス製品モデル、仕様、アプリケーション
10.15.3 Dynax Semiconductor GaN半導体デバイス販売量、売上、価格、粗利益率、2019～2024
10.15.4 Dynax Semiconductor 会社紹介と事業概要
10.15.5 Dynax Semiconductor 最近の開発状況
10.16 Jiangsu Corenergy Semiconductor
10.16.1 Jiangsu Corenergy Semiconductor 企業情報、本社、販売地域、市場地位
10.16.2 Jiangsu Corenergy Semiconductor GaN半導体デバイス製品モデル、仕様、アプリケーション
10.16.3 Jiangsu Corenergy Semiconductor GaN半導体デバイス販売量、売上、価格、粗利益率、2019～2024
10.16.4 Jiangsu Corenergy Semiconductor 会社紹介と事業概要
10.16.5 Jiangsu Corenergy Semiconductor 最近の開発状況
10.17 Ampleon
10.17.1 Ampleon 企業情報、本社、販売地域、市場地位
10.17.2 Ampleon GaN半導体デバイス製品モデル、仕様、アプリケーション
10.17.3 Ampleon GaN半導体デバイス販売量、売上、価格、粗利益率、2019～2024
10.17.4 Ampleon 会社紹介と事業概要
10.17.5 Ampleon 最近の開発状況
10.18 Innoscience
10.18.1 Innoscience 企業情報、本社、販売地域、市場地位
10.18.2 Innoscience GaN半導体デバイス製品モデル、仕様、アプリケーション
10.18.3 Innoscience GaN半導体デバイス販売量、売上、価格、粗利益率、2019～2024
10.18.4 Innoscience 会社紹介と事業概要
10.18.5 Innoscience 最近の開発状況
10.19 NXP Semiconductors
10.19.1 NXP Semiconductors 企業情報、本社、販売地域、市場地位
10.19.2 NXP Semiconductors GaN半導体デバイス製品モデル、仕様、アプリケーション
10.19.3 NXP Semiconductors GaN半導体デバイス販売量、売上、価格、粗利益率、2019～2024
10.19.4 NXP Semiconductors 会社紹介と事業概要
10.19.5 NXP Semiconductors 最近の開発状況
11 結論
12 付録
12.1 研究方法論
12.2 データソース
12.2.1 二次資料
12.2.2 一次資料
12.3 データ クロスバリデーション
12.4 免責事項
| ※参考情報 ガリウムナイトライド（GaN）半導体デバイスは、近年の電子機器の革新において、非常に注目されている材料および技術の一つです。GaNは、主に高効率の電力変換や高周波通信に利用される半導体材料であり、その特性は従来のシリコン（Si）やシリコンカーバイド（SiC）に代わる選択肢として評価されています。 まず初めに、GaNの基本的な定義について述べます。ガリウムナイトライドは、ガリウムと窒素から成る化合物半導体であり、主に青色LEDやレーザーダイオードの素子として広く利用されてきました。ここで特筆すべきは、GaNがワイドバンドギャップ半導体であるという点です。ワイドバンドギャップ半導体は、約3.4エレクトロンボルト（eV）のバンドギャップを持っており、これにより高温環境下でも高い性能を維持できる特性があります。 次に、GaN半導体デバイスの特徴について詳しく見ていきましょう。まず、GaNは高い電子移動度を持つため、高周波数での動作が可能です。これにより、4Gや5G通信技術に適したアンプや送信機に利用されます。また、GaNデバイスは高耐圧に優れており、より高い電圧で安定して動作できるため、電力変換効率が向上します。この結果、電源装置やインバーターにおいて、発熱の低減やサイズの小型化が実現されます。 GaNデバイスの種類については、主に以下のように分類されます。まず、GaN HEMT（High Electron Mobility Transistor）は、特に高周波数や高出力に適したトランジスタです。HEMTは、RF（ラジオ周波数）アプリケーションや高効率の電源回路、交通機器、レーダーなどに用いられています。また、GaN基板を用いたLEDデバイスも人気があります。これらは、照明やディスプレイ技術の分野で非常に重要な役割を果たしています。さらに、GaNのパワーMOSFET（Metal-Oxide-Semiconductor Field-Effect Transistor）も、高効率な電力変換デバイスとして注目されています。これにより、電源供給装置や電動機制御、モータードライブにおける高効率化が進められています。 次に、GaNデバイスの用途について考察します。まず、通信分野においては、GaN HEMTは基地局や衛星通信などで使用されており、高出力と高周波の特性を活かしてデータ通信の速度向上に寄与しています。また、GaN基板を使用したLEDは、スマートフォンやテレビにおけるバックライト、さらには家庭用照明や街路灯の分野でも利用されています。エネルギー効率の観点からも、大規模な照明改修プロジェクトにおいてGaN LEDが選ばれるケースが増えています。 さらに、電力エレクトロニクスにおいてもGaNデバイスは重要です。データセンターや再生可能エネルギー発電システム（たとえば太陽光発電）において、GaNの電源変換デバイスは高効率を実現し、消費電力を削減する役割を果たしています。これにより、エコロジーとコスト効率の両立が図られます。また、電気自動車（EV）やハイブリッド車においても、GaNデバイスを使用した充電器やパワートレインは、動力性能の向上とエネルギー効率の向上に寄与しています。 最後に、GaN半導体デバイスに関連する技術について触れます。GaNデバイスの製造には、高品質なガリウムナイトライド基板の成長技術が求められます。一般的に、エピタキシャル成長技術が用いられることが多く、この方法により、素材の結晶構造の品質を向上させることができます。さらに、GaNデバイスのパッケージング技術も進化しており、冷却性能を向上させることで、デバイスの持続的な性能を確保するための取り組みが行われています。 これらの技術の進化により、GaN半導体デバイスは、従来のシリコンデバイスに比べて飛躍的に効率が良く、小型化に成功することが可能となっています。このように、GaNデバイスは、将来的な電力エレクトロニクスや通信技術の重要な基盤を形成することが期待されています。 結論として、GaN半導体デバイスは、高効率、高耐圧、そして高周波数動作が可能な特性から、今後の電子機器の革新において不可欠な技術となっています。さまざまな応用分野での需要が高まる中で、GaN技術の進展は我々の生活を大きく変える可能性を秘めています。これからも多様な研究開発が進む中、GaN半導体デバイスの可能性に大いに期待が寄せられています。 |
