1 序文
2 範囲と方法論
2.1 研究の目的
2.2 関係者
2.3 データソース
2.3.1 一次情報源
2.3.2 二次情報源
2.4 市場推定
2.4.1 ボトムアップアプローチ
2.4.2 トップダウンアプローチ
2.5 予測方法論
3 エグゼクティブサマリー
4 導入
4.1 概要
4.2 主要な業界動向
5 世界の強誘電体RAM市場
5.1 市場概要
5.2 市場パフォーマンス
5.3 COVID-19の影響
5.4 市場予測
6 タイプ別市場分析
6.1 シリアルメモリ
6.1.1 市場動向
6.1.2 市場予測
6.2 パラレルメモリ
6.2.1 市場動向
6.2.2 市場予測
6.3 その他
6.3.1 市場動向
6.3.2 市場予測
7 用途別市場分析
7.1 大容量ストレージ
7.1.1 市場動向
7.1.2 市場予測
7.2 組み込みストレージ
7.2.1 市場動向
7.2.2 市場予測
7.3 その他
7.3.1 市場動向
7.3.2 市場予測
8 最終用途別市場分析
8.1 セキュリティシステム
8.1.1 市場動向
8.1.2 市場予測
8.2 エネルギーメーター
8.2.1 市場動向
8.2.2 市場予測
8.3 スマートカード
8.3.1 市場動向
8.3.2 市場予測
8.4 民生用電子機器
8.4.1 市場動向
8.4.2 市場予測
8.5 ウェアラブル電子機器
8.5.1 市場動向
8.5.2 市場予測
8.6 自動車用電子機器
8.6.1 市場動向
8.6.2 市場予測
8.7 その他
8.7.1 市場動向
8.7.2 市場予測
9 地域別市場分析
9.1 北米
9.1.1 アメリカ合衆国
9.1.1.1 市場動向
9.1.1.2 市場予測
9.1.2 カナダ
9.1.2.1 市場動向
9.1.2.2 市場予測
9.2 アジア太平洋
9.2.1 中国
9.2.1.1 市場動向
9.2.1.2 市場予測
9.2.2 日本
9.2.2.1 市場動向
9.2.2.2 市場予測
9.2.3 インド
9.2.3.1 市場動向
9.2.3.2 市場予測
9.2.4 韓国
9.2.4.1 市場動向
9.2.4.2 市場予測
9.2.5 オーストラリア
9.2.5.1 市場動向
9.2.5.2 市場予測
9.2.6 インドネシア
9.2.6.1 市場動向
9.2.6.2 市場予測
9.2.7 その他
9.2.7.1 市場動向
9.2.7.2 市場予測
9.3 欧州
9.3.1 ドイツ
9.3.1.1 市場動向
9.3.1.2 市場予測
9.3.2 フランス
9.3.2.1 市場動向
9.3.2.2 市場予測
9.3.3 イギリス
9.3.3.1 市場動向
9.3.3.2 市場予測
9.3.4 イタリア
9.3.4.1 市場動向
9.3.4.2 市場予測
9.3.5 スペイン
9.3.5.1 市場動向
9.3.5.2 市場予測
9.3.6 ロシア
9.3.6.1 市場動向
9.3.6.2 市場予測
9.3.7 その他
9.3.7.1 市場動向
9.3.7.2 市場予測
9.4 ラテンアメリカ
9.4.1 ブラジル
9.4.1.1 市場動向
9.4.1.2 市場予測
9.4.2 メキシコ
9.4.2.1 市場動向
9.4.2.2 市場予測
9.4.3 その他
9.4.3.1 市場動向
9.4.3.2 市場予測
9.5 中東・アフリカ
9.5.1 市場動向
9.5.2 国別市場分析
9.5.3 市場予測
10 SWOT分析
10.1 概要
10.2 強み
10.3 弱み
10.4 機会
10.5 脅威
11 バリューチェーン分析
12 ポーターの5つの力分析
12.1 概要
12.2 買い手の交渉力
12.3 供給者の交渉力
12.4 競争の激しさ
12.5 新規参入の脅威
12.6 代替品の脅威
13 価格分析
14 競争環境
14.1 市場構造
14.2 主要プレイヤー
14.3 主要プレイヤーのプロファイル
14.3.1 富士通株式会社（古河グループ）
14.3.1.1 会社概要
14.3.1.2 製品ポートフォリオ
14.3.1.3 財務状況
14.3.1.4 SWOT分析
14.3.2 インフィニオン・テクノロジーズAG
14.3.2.1 会社概要
14.3.2.2 製品ポートフォリオ
14.3.2.3 財務状況
14.3.2.4 SWOT分析
14.3.3 インターナショナル・ビジネス・マシーンズ・コーポレーション
14.3.3.1 会社概要
14.3.3.2 製品ポートフォリオ
14.3.3.3 財務状況
14.3.3.4 SWOT分析
14.3.4 ラピスセミコンダクタ株式会社（ロームセミコンダクタ）
14.3.4.1 会社概要
14.3.4.2 製品ポートフォリオ
14.3.5 サムスン電子株式会社
14.3.5.1 会社概要
14.3.5.2 製品ポートフォリオ
14.3.5.3 財務状況
14.3.5.4 SWOT分析
14.3.6 テキサス・インスツルメンツ株式会社
14.3.6.1 会社概要
14.3.6.2 製品ポートフォリオ
14.3.6.3 財務状況
14.3.6.4 SWOT分析
14.3.7 東芝株式会社
14.3.7.1 会社概要
14.3.7.2 製品ポートフォリオ
14.3.7.3 財務状況
14.3.7.4 SWOT分析
図2：世界：強誘電体RAM市場：売上高（百万米ドル）、2017-2022年
図3：世界：強誘電体RAM市場：タイプ別内訳（％）、2022年
図4：世界：強誘電体RAM市場：用途別内訳（%）、2022年
図5：世界：強誘電体RAM市場：最終用途別内訳（%）、2022年
図6：世界：強誘電体RAM市場：地域別内訳（%）、2022年
図7：世界：強誘電体RAM市場予測：売上高（百万米ドル）、2023-2028年
図8：世界：強誘電体RAM（シリアルメモリ）市場：売上高（百万米ドル）、2017年及び2022年
図9：世界：強誘電体RAM（シリアルメモリ）市場予測：売上高（百万米ドル）、2023-2028年
図10：世界：強誘電体RAM（パラレルメモリ）市場：売上高（百万米ドル）、2017年及び2022年
図11：世界：強誘電体RAM（並列メモリ）市場予測：売上高（百万米ドル）、2023-2028年
図12：世界：強誘電体RAM（その他タイプ）市場：売上高（百万米ドル）、2017年及び2022年
図13：世界：強誘電体RAM（その他タイプ）市場予測：売上高（百万米ドル）、2023-2028年
図14：世界：強誘電体RAM（大容量ストレージ）市場：売上高（百万米ドル）、2017年及び2022年
図15：世界：強誘電体RAM（大容量ストレージ）市場予測：売上高（百万米ドル）、2023-2028年
図16：世界：強誘電体RAM（組み込みストレージ）市場：売上高（百万米ドル）、2017年及び2022年
図17：世界：強誘電体RAM（組込みストレージ）市場予測：売上高（百万米ドル）、2023-2028年
図18：世界：強誘電体RAM（その他）市場：売上高（百万米ドル）、2017年及び2022年
図19：世界：強誘電体RAM（その他）市場予測：売上高（百万米ドル）、2023-2028年
図20：世界：強誘電体RAM（セキュリティシステム）市場：売上高（百万米ドル）、2017年及び2022年
図21：世界：強誘電体RAM（セキュリティシステム）市場予測：売上高（百万米ドル）、2023-2028年
図22：世界：強誘電体RAM（エネルギーメーター）市場：売上高（百万米ドル）、2017年及び2022年
図23：世界：強誘電体RAM（エネルギーメーター）市場予測：売上高（百万米ドル）、2023-2028年
図24：世界：強誘電体RAM（スマートカード）市場：売上高（百万米ドル）、2017年及び2022年
図25：世界：強誘電体RAM（スマートカード）市場予測：売上高（百万米ドル）、2023-2028年
図26：世界：強誘電体RAM（民生用電子機器）市場：売上高（百万米ドル）、2017年及び2022年
図27：世界：強誘電体RAM（民生用電子機器）市場予測：売上高（百万米ドル）、2023-2028年
図28：世界：強誘電体RAM（ウェアラブル電子機器）市場：売上高（百万米ドル）、2017年及び2022年
図29：世界：強誘電体RAM（ウェアラブル電子機器）市場予測：売上高（百万米ドル）、2023-2028年
図30：世界：強誘電体RAM（自動車電子機器）市場：売上高（百万米ドル）、2017年及び2022年
図31：世界：強誘電体RAM（自動車用電子機器）市場予測：売上高（百万米ドル）、2023-2028年
図32：世界：強誘電体RAM（その他の用途）市場：売上高（百万米ドル）、2017年及び2022年
図33：世界：強誘電体RAM（その他用途）市場予測：売上高（百万米ドル）、2023-2028年
図34：北米：強誘電体RAM市場：売上高（百万米ドル）、2017年及び2022年
図35：北米：強誘電体RAM市場予測：売上高（百万米ドル）、2023-2028年
図36：米国：強誘電体RAM市場：売上高（百万米ドル）、2017年及び2022年
図37：米国：強誘電体RAM市場予測：売上高（百万米ドル）、2023-2028年
図38：カナダ：強誘電体RAM市場：売上高（百万米ドル）、2017年及び2022年
図39：カナダ：強誘電体RAM市場予測：売上高（百万米ドル）、2023-2028年
図40：アジア太平洋地域：強誘電体RAM市場：売上高（百万米ドル）、2017年及び2022年
図41：アジア太平洋地域：強誘電体RAM市場予測：売上高（百万米ドル）、2023-2028年
図42：中国：強誘電体RAM市場：売上高（百万米ドル）、2017年及び2022年
図43：中国：強誘電体RAM市場予測：売上高（百万米ドル）、2023-2028年
図44：日本：強誘電体RAM市場：売上高（百万米ドル）、2017年及び2022年
図45：日本：強誘電体RAM市場予測：売上高（百万米ドル）、2023-2028年
図46：インド：強誘電体RAM市場：売上高（百万米ドル）、2017年及び2022年
図47：インド：強誘電体RAM市場予測：売上高（百万米ドル）、2023-2028年
図48：韓国：強誘電体RAM市場：売上高（百万米ドル）、2017年及び2022年
図49：韓国：強誘電体RAM市場予測：売上高（百万米ドル）、2023-2028年
図50：オーストラリア：強誘電体RAM市場：売上高（百万米ドル）、2017年及び2022年
図51：オーストラリア：強誘電体RAM市場予測：売上高（百万米ドル）、2023-2028年
図52：インドネシア：強誘電体RAM市場：売上高（百万米ドル）、2017年及び2022年
図53：インドネシア：強誘電体RAM市場予測：売上高（百万米ドル）、2023-2028年
図54：その他地域：強誘電体RAM市場：売上高（百万米ドル）、2017年及び2022年
図55：その他地域：強誘電体RAM市場予測：売上高（百万米ドル）、2023-2028年
図56：欧州：強誘電体RAM市場：売上高（百万米ドル）、2017年及び2022年
図57：欧州：強誘電体RAM市場予測：売上高（百万米ドル）、2023-2028年
図58：ドイツ：強誘電体RAM市場：売上高（百万米ドル）、2017年及び2022年
図59：ドイツ：強誘電体RAM市場予測：売上高（百万米ドル）、2023-2028年
図60：フランス：強誘電体RAM市場：売上高（百万米ドル）、2017年及び2022年
図61：フランス：強誘電体RAM市場予測：売上高（百万米ドル）、2023-2028年
図62：イギリス：強誘電体RAM市場：売上高（百万米ドル）、2017年及び2022年
図63：英国：強誘電体RAM市場予測：売上高（百万米ドル）、2023-2028年
図64：イタリア：強誘電体RAM市場：売上高（百万米ドル）、2017年及び2022年
図65：イタリア：強誘電体RAM市場予測：売上高（百万米ドル）、2023-2028年
図66：スペイン：強誘電体RAM市場：売上高（百万米ドル）、2017年及び2022年
図67：スペイン：強誘電体RAM市場予測：売上高（百万米ドル）、2023-2028年
図68：ロシア：強誘電体RAM市場：売上高（百万米ドル）、2017年及び2022年
図69：ロシア：強誘電体RAM市場予測：売上高（百万米ドル）、2023-2028年
図70：その他地域：強誘電体RAM市場：売上高（百万米ドル）、2017年及び2022年
図71：その他地域：強誘電体RAM市場予測：売上高（百万米ドル）、2023-2028年
図72：ラテンアメリカ：強誘電体RAM市場：売上高（百万米ドル）、2017年及び2022年
図73：ラテンアメリカ：強誘電体RAM市場予測：売上高（百万米ドル）、2023-2028年
図74：ブラジル：強誘電体RAM市場：売上高（百万米ドル）、2017年及び2022年
図75：ブラジル：強誘電体RAM市場予測：売上高（百万米ドル）、2023-2028年
図76：メキシコ：強誘電体RAM市場：売上高（百万米ドル）、2017年及び2022年
図77：メキシコ：強誘電体RAM市場予測：売上高（百万米ドル）、2023-2028年
図78：その他地域：強誘電体RAM市場：売上高（百万米ドル）、2017年及び2022年
図79：その他地域：強誘電体RAM市場予測：売上高（百万米ドル）、2023-2028年
図80：中東・アフリカ：強誘電体RAM市場：売上高（百万米ドル）、2017年及び2022年
図81：中東・アフリカ地域：強誘電体RAM市場予測：売上高（百万米ドル）、2023-2028年
図82：グローバル：強誘電体RAM産業：SWOT分析
図83：グローバル：強誘電体RAM産業：バリューチェーン分析
図84：グローバル：強誘電体RAM産業：ポーターの5つの力分析
1 Preface
2 Scope and Methodology
2.1 Objectives of the Study
2.2 Stakeholders
2.3 Data Sources
2.3.1 Primary Sources
2.3.2 Secondary Sources
2.4 Market Estimation
2.4.1 Bottom-Up Approach
2.4.2 Top-Down Approach
2.5 Forecasting Methodology
3 Executive Summary
4 Introduction
4.1 Overview
4.2 Key Industry Trends
5 Global Ferroelectric RAM Market
5.1 Market Overview
5.2 Market Performance
5.3 Impact of COVID-19
5.4 Market Forecast
6 Market Breakup by Type
6.1 Serial Memory
6.1.1 Market Trends
6.1.2 Market Forecast
6.2 Parallel Memory
6.2.1 Market Trends
6.2.2 Market Forecast
6.3 Others
6.3.1 Market Trends
6.3.2 Market Forecast
7 Market Breakup by Application
7.1 Mass Storage
7.1.1 Market Trends
7.1.2 Market Forecast
7.2 Embedded Storage
7.2.1 Market Trends
7.2.2 Market Forecast
7.3 Others
7.3.1 Market Trends
7.3.2 Market Forecast
8 Market Breakup by End Use
8.1 Security Systems
8.1.1 Market Trends
8.1.2 Market Forecast
8.2 Energy Meters
8.2.1 Market Trends
8.2.2 Market Forecast
8.3 Smart Cards
8.3.1 Market Trends
8.3.2 Market Forecast
8.4 Consumer Electronics
8.4.1 Market Trends
8.4.2 Market Forecast
8.5 Wearable Electronics
8.5.1 Market Trends
8.5.2 Market Forecast
8.6 Automotive Electronics
8.6.1 Market Trends
8.6.2 Market Forecast
8.7 Others
8.7.1 Market Trends
8.7.2 Market Forecast
9 Market Breakup by Region
9.1 North America
9.1.1 United States
9.1.1.1 Market Trends
9.1.1.2 Market Forecast
9.1.2 Canada
9.1.2.1 Market Trends
9.1.2.2 Market Forecast
9.2 Asia Pacific
9.2.1 China
9.2.1.1 Market Trends
9.2.1.2 Market Forecast
9.2.2 Japan
9.2.2.1 Market Trends
9.2.2.2 Market Forecast
9.2.3 India
9.2.3.1 Market Trends
9.2.3.2 Market Forecast
9.2.4 South Korea
9.2.4.1 Market Trends
9.2.4.2 Market Forecast
9.2.5 Australia
9.2.5.1 Market Trends
9.2.5.2 Market Forecast
9.2.6 Indonesia
9.2.6.1 Market Trends
9.2.6.2 Market Forecast
9.2.7 Others
9.2.7.1 Market Trends
9.2.7.2 Market Forecast
9.3 Europe
9.3.1 Germany
9.3.1.1 Market Trends
9.3.1.2 Market Forecast
9.3.2 France
9.3.2.1 Market Trends
9.3.2.2 Market Forecast
9.3.3 United Kingdom
9.3.3.1 Market Trends
9.3.3.2 Market Forecast
9.3.4 Italy
9.3.4.1 Market Trends
9.3.4.2 Market Forecast
9.3.5 Spain
9.3.5.1 Market Trends
9.3.5.2 Market Forecast
9.3.6 Russia
9.3.6.1 Market Trends
9.3.6.2 Market Forecast
9.3.7 Others
9.3.7.1 Market Trends
9.3.7.2 Market Forecast
9.4 Latin America
9.4.1 Brazil
9.4.1.1 Market Trends
9.4.1.2 Market Forecast
9.4.2 Mexico
9.4.2.1 Market Trends
9.4.2.2 Market Forecast
9.4.3 Others
9.4.3.1 Market Trends
9.4.3.2 Market Forecast
9.5 Middle East and Africa
9.5.1 Market Trends
9.5.2 Market Breakup by Country
9.5.3 Market Forecast
10 SWOT Analysis
10.1 Overview
10.2 Strengths
10.3 Weaknesses
10.4 Opportunities
10.5 Threats
11 Value Chain Analysis
12 Porters Five Forces Analysis
12.1 Overview
12.2 Bargaining Power of Buyers
12.3 Bargaining Power of Suppliers
12.4 Degree of Competition
12.5 Threat of New Entrants
12.6 Threat of Substitutes
13 Price Analysis
14 Competitive Landscape
14.1 Market Structure
14.2 Key Players
14.3 Profiles of Key Players
14.3.1 Fujitsu Limited (Furukawa Group)
14.3.1.1 Company Overview
14.3.1.2 Product Portfolio
14.3.1.3 Financials
14.3.1.4 SWOT Analysis
14.3.2 Infineon Technologies AG
14.3.2.1 Company Overview
14.3.2.2 Product Portfolio
14.3.2.3 Financials
14.3.2.4 SWOT Analysis
14.3.3 International Business Machines Corporation
14.3.3.1 Company Overview
14.3.3.2 Product Portfolio
14.3.3.3 Financials
14.3.3.4 SWOT Analysis
14.3.4 LAPIS Semiconductor Co. Ltd. (Rohm Semiconductor)
14.3.4.1 Company Overview
14.3.4.2 Product Portfolio
14.3.5 Samsung Electronics Co. Ltd.
14.3.5.1 Company Overview
14.3.5.2 Product Portfolio
14.3.5.3 Financials
14.3.5.4 SWOT Analysis
14.3.6 Texas Instruments Incorporated
14.3.6.1 Company Overview
14.3.6.2 Product Portfolio
14.3.6.3 Financials
14.3.6.4 SWOT Analysis
14.3.7 Toshiba Corporation
14.3.7.1 Company Overview
14.3.7.2 Product Portfolio
14.3.7.3 Financials
14.3.7.4 SWOT Analysis
| ※参考情報 強誘電性RAM（Ferroelectric RAM、FeRAM）は、強誘電体を活用した不揮発性メモリの一種です。強誘電体は、特定の条件下で電場を印加すると、その電気的極性が変化し、元の状態を保持する特性を持っています。この特性を利用することで、データを記憶することが可能になります。強誘電性RAMは、データを保持するために電源が不要であり、電源が切れた後でも情報が保持されることが特長です。このため、通常のRAM（ランダムアクセスメモリ）とは異なり、コンピュータの電源がOFFになった際にもデータを失わないのです。 強誘電性RAMにはいくつかの種類があります。第一に、単純な強誘電体メモリデバイスが挙げられます。これは基本的に強誘電体材料を用いたものです。次に、MOS（Metal-Oxide-Semiconductor）構造を持つ強誘電性RAMが存在します。これにより、高密度のデータ格納が実現され、従来のフラッシュメモリよりも高速な読み書きが可能となります。さらに、電流を使ってデータの書き込みと読み出しを行うことができるため、動作速度の向上が期待されます。 強誘電性RAMの用途は多岐にわたります。主に、スマートフォン、デジタルカメラ、ゲーム機などの電子機器に使用されています。特に、高速で低消費電力が求められるデバイスや、データ保持が重要な組み込みシステムにおいて強誘電性RAMが重宝されています。また、自動車の運転支援システムやIoTデバイスなどでの活用も注目されています。これらの領域では、強誘電性RAMの不揮発性と耐久性が大きなメリットとなります。 さらに、強誘電性RAMは、従来の不揮発性メモリであるフラッシュメモリと比較して、いくつかの優れた点があります。まず、データの書き込み速度が速く、トランザクションの応答性を向上させることができます。また、繰り返し書き込み可能な回数が多く、耐久性が高いため、長期間の使用が可能です。これに対し、フラッシュメモリは書き込み回数に制限があり、寿命が短くなる傾向があります。さらに、強誘電性RAMは消費電力が低いため、バッテリー駆動のデバイスには特に理想的な選択肢とされています。 関連技術としては、強誘電体材料の開発があります。強誘電性RAMの性能を向上させるためには、強誘電体の特性を最適化する必要があります。現在、多くの研究が行われており、新しい材料が次々と提案されています。また、製造技術に関しても進歩があり、ナノスケールの薄膜技術が強誘電性RAMの製造に適用されています。これにより、デバイスのサイズを小型化しつつ、性能を向上させることが期待されています。 強誘電性RAMは、次世代のメモリ技術として期待されています。これまでのメモリ技術の限界を克服し、新たな市場を切り開く可能性を秘めています。特に、高速処理が求められるアプリケーションや、データ保持が重要なシステムにおける利用が進むことで、今後ますます注目される分野となるでしょう。そのため、強誘電性RAMに関する研究開発は今後も続き、さらなる技術革新が期待されています。これにより、より効率的で高性能な電子デバイスの実現が可能になると考えられています。 |
