世界の極端紫外線(EUV)リソグラフィー市場(~2032年):コンポーネント別(光源、光学系、マスク)、システム種類別(0.33 NA EUVシステム(NXE)、0.55 NA EUVシステム(EXE))、集積デバイスメーカー別、ファウンドリ別、ロジックチップ別、メモリチップ別

【英語タイトル】Extreme Ultraviolet (EUV) Lithography Market by Component (Light Sources, Optics, Masks), System Type (0.33 NA EUV System (NXE), 0.55 NA EUV System (EXE)), Integrated Device Manufacturers, Foundries, Logic Chips, Memory Chips - Global Forecast to 2032

MarketsandMarketsが出版した調査資料(SE 6398)・商品コード:SE 6398
・発行会社(調査会社):MarketsandMarkets
・発行日:2026年1月
・ページ数:206
・レポート言語:英語
・レポート形式:PDF
・納品方法:Eメール(受注後24時間以内)
・調査対象地域:グローバル
・産業分野:半導体・電子
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❖ レポートの概要 ❖

極端紫外線(EUV)リソグラフィー市場は、2026年の158億4,000万米ドルから2032年には303億6,000万米ドルへと、年平均成長率(CAGR)11.4%で成長すると予測されております。
7nm、5nmをはじめとする最先端ファウンドリノードへの移行加速は、世界的な半導体産業におけるEUVリソグラフィ導入の核心的な推進要因です。

従来の光学リソグラフィ手法では、10nm以下の微細構造において解像度とパターン忠実度に根本的な限界が生じるため、EUVリソグラフィはより微細な特徴構造、より狭いピッチ、そしてますます複雑化するデバイス構造を実現する上で不可欠な技術となっております。

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❖ レポートの目次 ❖

主なポイント

  • アジア太平洋地域は2025年に85.8%の市場シェアを占めました。
  • 構成部品別では、光源が2025年に53.4%と最大の市場シェアを占めました。
  • システムの種類別では、0.55 NA EUVシステムが予測期間中に28.0%という最高のCAGRを記録すると見込まれています。
  • エンドユーザー別では、ファウンドリが予測期間中に極端紫外線(EUV)リソグラフィ市場において著しいCAGRを記録すると見込まれます。
  • ASML、KLA Corporation、ZEISS Group、Lasertec Corporation、TRUMPF、AGC Inc.は、強力な市場シェア、システムおよびコンポーネントの展開基盤を背景に、極端紫外線(EUV)リソグラフィ市場の主要プレイヤーとして特定されました。

Energetiq、Imagine Optic、EUV Tech、MLOPTIC Corporationなどの新興企業は、特殊部品およびサブシステムプロバイダーとしてEUVリソグラフィ市場で存在感を高めています。その成長は、次世代半導体製造に不可欠な高精度EUV光源、波面センシングソリューション、多層ミラー、光学計測、高度な診断部品に対する需要増加に支えられています。さらに、データ分析、AIを活用したプロセス監視、リアルタイムシステム診断の統合により、先進的なEUVリソグラフィプラットフォーム全体で装置性能、稼働時間、歩留まり最適化が向上しています。

極端紫外線(EUV)リソグラフィ市場は、データ駆動型技術、人工知能(AI)、高性能コンピューティング(HPC)アプリケーションの採用によって牽引されており、これらがより先進的で効率的な半導体ソリューションへの需要を促進しています。産業分野において意思決定と業務効率の向上のためにデータ分析、AI、機械学習(ML)への依存度が高まるにつれ、高密度・高性能集積回路(IC)への需要が増加しています。EUVリソグラフィはこの需要の中核を成し、こうした先進技術を支えるために必要な演算能力とエネルギー効率を備えた半導体の製造を可能にします。

顧客の顧客に影響を与えるトレンドとディスラプション

このトレンドの変革の影響は、リソグラフィ技術における収益構成の変化を示しており、従来型の光学式やDUVリソグラフィからEUVリソグラフィへの移行が進み、将来の成長を牽引していることがわかります。この移行は、産業の微細化と効率化への要求を満たすため、先進的な半導体ノード(例:3nm、5nm、7nm、13.5nm)への需要が高まっていることが背景にあります。ファウンドリやIDMなどの主要顧客は、半導体生産能力を強化するためにEUVリソグラフィーを採用しており、技術進歩が従来型ビジネスモデルを破壊し、将来の戦略を形作っていることを反映しています。

推進要因:HPCシステムにおけるAIアクセラレータおよび深層学習プロセッサの利用拡大

AIおよび高性能コンピューティングの採用拡大が、先進的で高密度の半導体チップの需要を牽引しています。EUVリソグラフィ技術は、より微細なトランジスタと高密度な配線を実現し、チップの速度とエネルギー効率を向上させます。AIアクセラレータや深層学習ワークロードに必要な複雑なプロセッサ設計をサポートします。また、EUV技術は、大容量データ処理に対応する高容量メモリの製造も可能にします。これらの機能は総合的に、現代のHPCシステムの性能要件を支えています。

制約要因:多額の先行投資の必要性

EUVリソグラフィの導入には、主に特殊で高度に複雑な装置や部品が必要となるため、多額の先行投資が求められます。EUVリソグラフィ装置は従来の光学式リソグラフィシステムよりも高価であり、特に資本力の限られた中小の半導体メーカーやファウンドリにとって財務的な障壁となります。EUV光源、マスク、フォトレジスト、スキャナーなどの主要部品は、開発・製造・保守に多大なコストがかかるため、必要な総投資額に大きく寄与しています。

機会:メモリモジュールおよびチップの進歩

EUVリソグラフィ市場のプレイヤーは、先進的なメモリデバイスの開発への注目が高まっていることから、成長の機会を得られる可能性が高いです。DRAM(ダイナミックランダムアクセスメモリ)やNAND(ノットアンド)フラッシュなどのメモリソリューションは、コンピューター、スマートフォン、データセンターソリューションなどの電子機器の性能に不可欠です。大容量化、高速化、省エネルギー化が求められるメモリソリューションへの需要が高まる中、EUVリソグラフィは次世代メモリデバイス実現の重要な基盤技術となります。

市場エコシステム

EUVリソグラフィーのエコシステムは、システムメーカー、部品サプライヤー、半導体メーカーが緊密に連携したネットワークで構成され、先進的なチップ製造を可能にしております。システムインテグレーターはEUV露光装置一式を提供し、部品メーカーは重要な光学系、光源、マスク、計測・検査ソリューションを供給します。集積デバイスメーカーやファウンドリを含むエンドユーザーは、このエコシステムに依存し、先進技術ノードにおいてより小型・高速・高効率なチップを生産しております。装置性能、生産安定性、スケーラブルな半導体製造を確保するためには、エコシステム全体での強力な連携が不可欠です。

地域別動向

予測期間中、アジア太平洋地域がEUVリソグラフィ市場で最も急速な成長を遂げる見込み

アジア太平洋地域は、台湾、韓国、中国、日本などにおける先進的半導体製造の急速な拡大を背景に、EUVリソグラフィ市場で最も高い成長率を示すと予測されています。主要ファウンドリによる5nm未満および次世代ノード実現のための大規模な設備投資、AIおよび高性能コンピューティングチップへの需要増加、政府の支援政策が相まって、同地域におけるEUV技術の採用を加速させています。

極端紫外線(EUV)リソグラフィー市場規模、シェア、動向:企業評価マトリックス

EUVリソグラフィー市場のエコシステムにおいて、ASML(スタープレイヤー)は、フルスケールEUVリソグラフィーシステムの唯一の供給元という独占的な立場により、圧倒的な市場シェアで主導的な地位を占めています。同社は、深いシステム統合の専門知識、主要ファウンドリやIDMとの強固な顧客ロックイン、露光装置、アップグレード、長期サービスサポートを網羅する包括的なポートフォリオという強みを有しています。NTTアドバンステクノロジ株式会社(新興リーダー)は、光学関連技術、検査・測定コンポーネントなどの専門ソリューションを提供し、主要なEUV部品サプライヤーとしての地位を強化しています。高精度EUVサブシステムの供給における役割の拡大は、先進的な製造ニーズを支えており、市場リーダーと比較して、焦点を絞ったながらも拡大を続ける存在感を示しています。

主要市場プレイヤー

ASML (Netherlands)
KLA Corporation (US)
ZEISS Group (Germany)
TRUMPF (Germany)
AGC Inc. (Japan)
Lasertec Corporation (Japan)
HOYA Corporation (Japan)
Applied Materials, Inc. (US)
Ushio Inc. (Japan)
NTT Advanced Technology Corporation (Japan)
ADVANTEST CORPORATION (Japan)
SUSS MicroTec SE (Germany)
Rigaku Holdings Corporation (Japan)
Tekscend Photomask (Japan)
ADVANTEST CORPORATION (Japan)

最近の動向

2025年10月:レーザーテック株式会社は、次世代半導体フォトマスクおよびマスクブランクの品質管理に特化したACTIS A200HiTシリーズを発表いたしました。本製品の導入は、特にEUVおよび高NAプロセスへの移行により牽引される、高度なリソグラフィ検査に対する産業の需要増大に対応する同社の取り組みを反映したものです。本製品の発売により、レーザーテックは高精度検査装置の主要サプライヤーとしての地位強化、フォトマスク/マスクブランクの欠陥検出能力向上、チップの微細化と複雑化が進む中での世界的な半導体メーカーの歩留まり・品質基準維持支援を目指します。

2025年9月:ツァイス・セミコンダクター・技術(SMT)は、次世代エアリアルイメージ測定システム「AIMS EUV 3.0」を発表しました。本システムは低NAおよび高NA EUVリソグラフィの両方をサポートするよう設計されています。新プラットフォームはマスク認定の生産性を大幅に向上させ、従来モデル比で最大3倍のスループットを実現しながら、高い稼働率、性能安定性、コスト効率的な運用を維持します。主要半導体メーカーに既に導入されているAIMS EUV 3.0は、次世代EUVリソグラフィプロセスに不可欠な、マスクとウエハー間の正確な撮像条件を実現します。

2025年7月:レーザーテック株式会社は、次世代EUVカーボンナノチューブペリクル上の粒子を検出・分類する高度な検査システム「EPM200」を発表しました。本製品は、ペリクルの表裏どちらに欠陥があるかを識別する画期的な機能を導入し、ペリクルメーカーおよびデバイスメーカーの品質管理を強化します。これにより、レーザーテックのEUV検査ソリューション群(マスク、マスクブランク、ペリクル)がさらに拡充されます。

2025年3月:ASMLとimecは、ヨーロッパにおける半導体研究の推進と持続可能なイノベーションの創出を目的とした複数年にわたる戦略的パートナーシップを締結しました。本連携は共同研究開発、パイロット生産ラインの共有アクセス、ならびにASMLの全技術ポートフォリオ(0.55 NA EUV、0.33 NA EUV、DUV液浸、YieldStar光学計測、HMI単一・多ビーム技術を含む)における深い統合を包含し、技術成熟の加速とより持続可能な製造手法の推進を図ります。

2025年3月:ツァイスとイメックは、次世代半導体研究・製造を推進するため、協業を2029年まで延長する新たな戦略的パートナーシップ契約を締結いたしました。本契約に基づき、ツァイスはimecの新規NanoICパイロットライン(サブ2nm技術に特化した最先端施設)に対し、高精度リソグラフィ光学系(ASML製スキャナーに採用)の供給ならびに先進プロセス開発・検査・測定手段における協業を通じて支援を行います。本提携の中核的な目的は、高NA EUVリソグラフィ技術の推進と改良により、より高性能で効率的かつコンパクトなマイクロチップの生産を可能とし、ヨーロッパチップ法などの取り組みを通じてヨーロッパの競争力を強化することにあります。

1    はじめに    20
1.1    調査目的    20
1.2    市場定義    20
1.3    調査範囲    21
1.3.1    対象市場と地域範囲    21
1.3.2    対象範囲と除外事項    22
1.3.3    対象期間    22
1.4    対象通貨    23
1.5    対象単位    23
1.6    制限事項 23
1.7    ステークホルダー    23
1.8    変更点の要約    24
2    エグゼクティブサマリー    25
2.1    市場のハイライトと主要な洞察    25
2.2    主要市場参加者:戦略的展開のマッピング    26
2.3    極端紫外線(EUV)リソグラフィ市場における破壊的トレンド    27
2.4    高成長セグメント    28
2.5    地域別概況:市場規模、成長率、および予測    29
3    プレミアムインサイト    30
3.1    極端紫外線(EUV)リソグラフィ市場におけるプレイヤーにとっての魅力的な機会    30
3.2    極端紫外線(EUV)リソグラフィ市場、エンドユーザー別    31
3.3    用途別 エクストリーム・ウルトラバイオレット(EUV)リソグラフィー市場    31
3.4    地域別 エクストリーム・ウルトラバイオレット(EUV)リソグラフィー市場    32
4    市場概要    33
4.1    はじめに 33
4.2    市場動向    33
4.2.1    推進要因    34
4.2.1.1    最先端ファウンドリノードにおけるEUVリソグラフィの急増    34
4.2.1.2    HPCシステムにおけるAIアクセラレータおよびディープラーニングプロセッサの利用拡大    34
4.2.1.3    集積回路の複雑化が進んでいること    35
4.2.1.4    民生用電子機器の急速な進歩    35
4.2.2    抑制要因    36
4.2.2.1    初期投資額が高いこと    36
4.2.2.2    高度なインフラと熟練労働力の必要性    37
4.2.3    機会    38
4.2.3.1    先進的なEUVリソグラフィーおよび半導体デバイスへの投資増加    38
4.2.3.2    EUVリソグラフィーの新規応用分野    38
4.2.3.3    メモリモジュールおよびチップの進歩    39
4.2.3.4    先進ディスプレイ製造へのEUVリソグラフィーの統合    39
4.2.3.5    フォトニクスおよび光学製品における先進パターニング技術の応用    40
4.2.3.6    高NA EUVリソグラフィーの商用化    40
4.2.4    課題    41
4.2.4.1    代替リソグラフィ技術との競争    41
4.2.4.2    高出力光源と生産性の維持の難しさ    42
4.2.4.3    マスク欠陥の検出と対応、および歩留まり関連の課題    42
5    産業動向    44
5.1    はじめに    44
5.2    ポーターの5つの力分析    44
5.2.1    競争の激しさ    45
5.2.2    新規参入の脅威    45
5.2.3    代替品の脅威    45
5.2.4    買い手の交渉力    45
5.2.5    供給者の交渉力    46
5.3    マクロ経済の見通し    46
5.3.1    はじめに    46
5.3.2    GDPの動向と予測    46
5.3.3    ファウンドリの動向 48
5.3.4    集積デバイスメーカー(IDM)の動向    48
5.4    バリューチェーン分析    48
5.4.1    研究開発エンジニアリング担当者    49
5.4.2    原材料供給業者および部品メーカー 49
5.4.3    システムインテグレーターおよびメーカー    49
5.4.4    マーケティング・販売サービス提供者    50
5.4.5    エンドユーザー    50
5.5    エコシステム分析    50
5.6    価格分析    51
5.6.1 EUVリソグラフィシステムの種類別平均販売価格の推移、
主要企業別、2021年~2025年    52
5.6.2    EUVリソグラフィシステムの平均販売価格の推移、地域別、2021年~2025年    53
5.7 貿易分析    53
5.7.1    輸入状況(HSコード8442)    54
5.7.2    輸出状況(HSコード8442)    55
5.8    主要カンファレンスおよびイベント(2026年~2027年)    56
5.9    顧客ビジネスに影響を与えるトレンド/ディスラプション    57
5.10    投資および資金調達シナリオ    58
5.11    ケーススタディ分析    58
5.11.1    インテル、EUV露光装置の独占供給を確保しサプライチェーンを再構築    58
5.11.2    TSMC、EUV露光システムを導入し生産能力を拡大    58
5.11.3 サムスン電子、EUVリソグラフィ技術を用いた3nm GAAプロセス生産を推進    59
5.12    2025年アメリカ関税がEUVリソグラフィ市場に与える影響    59
5.12.1    はじめに    59
5.12.2    主な関税率    60
5.12.3    価格への影響分析    61
5.12.4    国・地域への影響    62
5.12.4.1    アメリカ    62
5.12.4.2    ヨーロッパ    62
5.12.4.3    アジア太平洋地域    63
5.12.5    エンドユーザーへの影響    63
6    技術的進歩、AIによる影響、特許、
およびイノベーション    64
6.1    技術分析    64
6.1.1    主要な新興技術    64
6.1.1.1    高NA EUVリソグラフィ技術    64
6.1.1.2    先進的なEUVレジストおよびパターニング材料    64
6.1.2    補完技術    64
6.1.2.1    マスクペリクル    64
6.1.2.2    プラズマ発生技術    65
6.1.3    関連技術    65
6.1.3.1    極端紫外線反射測定(EUVR)    65
6.1.3.2    原子層堆積(ALD)    66
6.2    技術/製品ロードマップ    66
6.2.1    短期(2025~2027年):生産性最適化と先進ノードの微細化    66
6.2.2    中期(2027~2030年):高NA EUVの商用化とプロセスの成熟化    67
6.2.3 長期(2030~2035+):完全な高NA導入と次世代リソグラフィー統合    68
6.3    特許分析    69
6.4    EUVリソグラフィーへのAIの影響    71
6.4.1    主要なユースケースと市場可能性 72
6.4.2    極端紫外線(EUV)リソグラフィー市場におけるベストプラクティス    72
6.4.3    極端紫外線(EUV)リソグラフィー市場におけるAI導入の事例研究    73
6.4.4 相互接続された/隣接するエコシステムと市場プレイヤーへの影響    73
6.4.5    極端紫外線(EUV)リソグラフィ市場におけるAI導入に対する顧客の準備状況    73
7    規制環境    74
7.1    はじめに    74
7.2    規制機関、政府機関、その他の組織    74
7.3    規制    75
7.4    規格    76
7.4.1    SEMI規格    76
7.4.2    ISOおよびIEC電気・機械・安全規格    76
7.4.3    ISO 9001:2015品質マネジメントシステム規格    76
7.4.4 ISO 14001 環境マネジメント規格    76
7.4.5    RoHS および REACH 適合性基準    76
7.4.6    サイバーセキュリティおよびデータ完全性基準    76
7.5    政府規制    77
7.5.1 アメリカ 77
7.5.2 ヨーロッパ 77
7.5.3 中国 77
7.5.4 日本 77
7.5.5 インド 77
7.6 持続可能性への影響と規制政策の取り組み 78
7.7    認証、表示、および環境基準    78
8    顧客環境と購買行動    80
8.1    意思決定プロセス 80
8.2    主要なステークホルダーと購買基準    82
8.2.1    購買プロセスにおける主要なステークホルダー    82
8.2.2    購買基準    82
8.3    導入障壁と内部課題    83
8.4    様々なエンドユーザーの満たされていないニーズ    84
8.5    市場の収益性    85
9    極端紫外線(EUV)リソグラフィ技術の応用分野    86
9.1    はじめに    86
9.2    7ナノメートル    86
86
9.3    5 ナノメートル    86
9.4    3 ナノメートル    87
9.5    2 ナノメートル    87
9.6    サブ2ナノメートル    87
10    極紫外線(EUV)リソグラフィー市場、コンポーネント別    88
10.1    はじめに    89
10.2    光源    90
10.2.1    半導体における精度とスループットの向上への関心の高まりが需要を促進    90
10.3    光学系    91
10.3.1    セグメント成長を支える高開口数 (高NA)EUVシステムへの需要拡大がセグメント成長を支えます    91
10.4    マスク    91
10.4.1    EUVマスク製造におけるプロセス効率と持続可能性への重点強化がセグメント成長に寄与します    91
10.5    その他のコンポーネント    92
11    システムタイプ別極端紫外線(EUV)リソグラフィ市場    93
11.1    はじめに    94
11.2    0.33 NA EUVシステム(NXE)    96
11.2.1    コスト効率性と信頼性が需要を促進    96
11.3    0.55 NA EUV システム(EXE)    96
11.3.1    先進ロジック、メモリ、AIチップの歩留まり向上能力が市場を牽引    96
12    エンドユーザー別 エクストリーム・ウルトラバイオレット(EUV)リソグラフィ市場    97
12.1    はじめに 98
12.2    集積デバイスメーカー(IDM)    99
12.2.1    先進的かつ省エネルギーなマイクロチップの革新が市場成長を促進    99
12.3    ファウンドリ    101
12.3.1    セグメント成長を支える大量生産半導体製造への注力    101
13    アプリケーション別極端紫外線(EUV)リソグラフィー市場    104
13.1    はじめに 105
13.2    ロジックチップ    106
13.2.1    ロジックデバイスの複雑化とコスト増加がEUVリソグラフィーの需要を促進    106
13.2.2    CPU    106
13.2.3    GPU    106
13.2.4    AIアクセラレータ    107
13.2.5    SOC    107
13.2.6    ASIC    107
13.3    メモリチップ    107
13.3.1    人工知能、クラウドコンピューティング、および高性能アプリケーションに対する需要の増加が機会を創出    107
13.3.2    DRAM    107
13.3.3    HBM    108
14    地域別 エクストリーム・ウルトラバイオレット(EUV)リソグラフィー市場    109
14.1    はじめに    110
14.2    南米アメリカ    111
14.2.1    高性能で省エネルギーな半導体ソリューションへの需要拡大が市場を牽引    111
14.3    欧州・中東・アフリカ地域(EMEA)    113
14.3.1    極端紫外線(EUV)リソグラフィーの初期段階の商業化が成長機会を創出    113
14.4    アジア太平洋地域    115
14.4.1    中国    117
14.4.1.1    国内半導体生産能力の構築と技術の現地化による市場牽引    117
14.4.2    日本    118
14.4.2.1    主要技術プロバイダーの存在が市場成長に寄与    118
14.4.3    韓国    118
14.4.3.1    メモリおよびロジック半導体製造における強力なグローバルな地位が市場成長を促進    118
14.4.4    台湾    119
14.4.4.1    エコフレンドリーなEUVシステム部品への多額の投資が市場を推進    119
14.4.5    その他のアジア太平洋地域    120
15    競争環境    121
15.1    概要    121
15.2    主要企業の競争戦略/勝つための権利、2024–2025年 121
15.3    収益分析(2021年~2025年)    123
15.4    市場シェア分析(2025年)    123
15.5    企業評価と財務指標    125
15.5.1    企業評価    125
15.5.2    財務指標    125
15.6    製品比較    126
15.7    企業評価マトリックス:主要企業、2025年    127
15.7.1    スター企業    127
15.7.2    新興リーダー企業 127
15.7.3    普及型プレイヤー    127
15.7.4    参加者    127
15.7.5    企業フットプリント:主要プレイヤー、2025年    129
15.7.5.1    企業フットプリント    129
15.7.5.2    地域別フットプリント    130
15.7.5.3    エンドユーザー別フットプリント    131
15.7.5.4    コンポーネント別フットプリント    132
15.8    企業評価マトリックス:スタートアップ/中小企業、2025年    132
15.8.1    先進的企業 132
15.8.2    対応型企業    133
15.8.3    ダイナミック企業    133
15.8.4    スタート地点    133
15.8.5    競争力ベンチマーク:スタートアップ/中小企業、2025年    134
15.8.5.1    主要スタートアップ企業/中小企業の詳細リスト    134
15.8.5.2    主要スタートアップ企業/中小企業の競争力ベンチマーキング    134
15.9    競争シナリオ    135
15.9.1    製品発売    135
15.9.2    取引事例    137
16    企業プロファイル    138
16.1    はじめに    138
16.2    主要システムメーカー    138
16.2.1    ASML    138
16.2.1.1    事業概要    138
16.2.1.2    提供製品・ソリューション・サービス    140
16.2.1.3    最近の動向    141
16.2.1.3.1    取引実績    141
16.2.1.4    MnMの見解    141
16.2.1.4.1    主な強み/優位性    141
16.2.1.4.2    戦略的選択    141
16.2.1.4.3    弱み/競合上の脅威    141
16.3    主要部品メーカー    142
16.3.1    光源メーカー    142
16.3.1.1    TRUMPF    142
16.3.1.1.1    事業概要    142
16.3.1.1.2    提供製品・ソリューション・サービス    144
16.3.1.1.3    MnMの見解    144
16.3.1.1.3.1    主な強み/勝因    144
16.3.1.1.3.2    戦略的選択    144
16.3.1.1.3.3    弱み/競合上の脅威    144
16.3.1.2    ウシオ電機株式会社    145
16.3.1.2.1    事業概要    145
16.3.1.2.2    提供製品・ソリューション・サービス    146
16.3.1.2.3    MnMの見解    147
16.3.1.2.3.1    主要強み/勝因    147
16.3.1.2.3.2    戦略的選択    147
16.3.1.2.3.3    弱み/競合上の脅威    147
16.3.1.3    エナジェティック    148
16.3.1.3.1    事業概要    148
16.3.1.3.2    提供製品・ソリューション・サービス    148
16.3.1.3.3    最近の動向    149
16.3.1.3.3.1    製品発売    149
16.3.1.3.4    MnMの見解    149
16.3.1.3.4.1 主要な強み/勝因    149
16.3.1.3.4.2    戦略的選択    150
16.3.1.3.4.3    弱み/競合上の脅威    150
16.3.2    光学機器メーカー    151
16.3.2.1    ツァイスグループ    151
16.3.2.1.1    事業概要    151
16.3.2.1.2    提供製品・ソリューション・サービス    153
16.3.2.1.3    最近の動向    154
16.3.2.1.3.1    製品発売    154
16.3.2.1.3.2    取引    154
16.3.2.2    NTTアドバンストテクノロジー株式会社    155
16.3.2.2.1    事業概要    155
16.3.2.2.2    提供製品・ソリューション・サービス    156
16.3.2.3    理学ホールディングス株式会社    157
16.3.2.3.1    事業概要    157
16.3.2.3.2    提供製品・ソリューション・サービス    158
16.3.2.4    エドマンド・オプティクス社    159
16.3.2.4.1    事業概要    159
16.3.2.4.2    提供製品・ソリューション・サービス    160
16.3.3    マスクメーカー    161
16.3.3.1 AGC株式会社    161
16.3.3.1.1    事業概要    161
16.3.3.1.2    提供製品・ソリューション・サービス    162
16.3.3.2    テックスケンドフォトマスク    163
16.3.3.2.1    事業概要    163
16.3.3.2.2 提供製品・ソリューション・サービス    164
16.3.3.3    レーザーテック株式会社    165
16.3.3.3.1    事業概要    165
16.3.3.3.2    提供製品・ソリューション・サービス    167
16.3.3.3.3    最近の動向    169
16.3.3.3.3.1    製品発売    169
16.3.3.4    HOYA株式会社    170
16.3.3.4.1    事業概要    170
16.3.3.4.2    提供製品・ソリューション・サービス    172
16.3.3.5    株式会社ニューフレア技術    173
16.3.3.5.1    事業概要    173
16.3.3.5.2    提供製品・ソリューション・サービス    173
16.3.4    その他の部品メーカー    174
16.3.4.1    KLA Corporation    174
16.3.4.2    株式会社アドバンテスト 175
16.3.4.3    SUSS MicroTec SE    176
16.3.4.4    Applied Materials, Inc.    177
16.3.4.5    Park Systems    178
16.3.4.6    Imagine Optic    179
16.3.4.7    MKS Inc.    180
16.4    エンドユーザー    181
16.4.1    台湾積体電路製造株式会社    181
16.4.2    インテル株式会社    182
16.4.3    サムスン    183
16.4.4    SKハイニックス株式会社    184
16.4.5    マイクロン・テクノロジー社    185
17    調査方法論    186
17.1    調査データ    186
17.2    二次調査および一次調査    187
17.2.1    二次データ 189
17.2.1.1    主要な二次情報源の一覧    189
17.2.1.2    二次情報源からの主要データ    189
17.2.2    一次データ    190
17.2.2.1    一次インタビュー参加者一覧    190
17.2.2.2    一次データの分類    190
17.2.2.3    一次情報源からの主要データ    191
17.2.2.4    主要な産業インサイト    191
17.3    市場規模の推定    192
17.3.1    ボトムアップアプローチ    192
17.3.1.1 ボトムアップ分析を用いた市場規模算出手法
(需要側)    193
17.3.2    トップダウンアプローチ    193
17.3.2.1    トップダウン分析を用いた市場規模算出手法
(供給側)    193
17.4    基準年度の市場規模推定 194
17.5    市場予測アプローチ    195
17.5.1    供給側    195
17.5.2    需要側    195
17.6    データの三角測量    196
17.7    調査の前提条件 197
17.8 調査の限界 197
17.9 リスク分析 198
18 付録 199
18.1 産業専門家からの知見 199
18.2 ディスカッションガイド 199
18.3    ナレッジストア:マーケッツアンドマーケッツの購読ポータル    202
18.4    カスタマイズオプション    204
18.5    関連レポート    204
18.6    著者詳細    205
表1 極端紫外線(EUV)リソグラフィー市場:対象範囲と除外範囲 22
表2 極端紫外線(EUV)リソグラフィー市場:変更点の要約 24
表3 ポーターの5つの力分析:極端紫外線(EUV)リソグラフィー市場
45
表4 主要国別GDP変化率(2021年~2029年) 46
表5 EUVリソグラフィーエコシステムにおける企業の役割 51
表6 ASML社が提供するEUVリソグラフィーシステムの種類別平均販売価格の推移(2021年~2025年、米ドル) 52
表7 EUVリソグラフィシステムの平均販売価格動向(地域別、2021年~2025年)(百万米ドル) 53
表8 HSコード8442準拠製品の輸入データ(国別、
2020~2024年(百万米ドル)) 54
表9 HSコード8442準拠製品の輸出データ(国別、
2020~2024年 (百万ドル) 55
表10 極端紫外線(EUV)リソグラフィー市場:主要カンファレンス及びイベント、2026–2027年 56
表11 アメリカ調整済み相互関税率 60
表12 主要特許リスト、2023年~2024年 70
表13 主なユースケースと市場潜在性 72
表14 企業が実践するベストプラクティス 72
表15 極端紫外線(EUV)リソグラフィ市場: AI導入に関する事例研究 73
表16 相互接続された/隣接するエコシステムと市場プレイヤーへの影響 73
表17 南米アメリカ:規制機関、政府機関、その他の組織 74
表18 ヨーロッパ:規制機関、政府機関、その他の組織 75
表19 アジア太平洋地域:規制機関、政府機関、その他の組織 75
表20 EUVリソグラフィー:規制 75
表21 エンドユーザーにおける購買プロセスへのステークホルダーの影響度(%) 82
表22 エンドユーザーの主要購買基準 83
表23 EUVリソグラフィ技術エンドユーザーの未充足ニーズ 85
表24 極紫外線(EUV)リソグラフィー市場、コンポーネント別、
2022–2025年(百万米ドル) 89
表25 極紫外線(EUV)リソグラフィー市場、コンポーネント別、
2026–2032年 (百万米ドル) 90
表26 極紫外線(EUV)リソグラフィ市場、システム種類別、金額および数量ベース、2022–2025年 94
表27 極紫外線(EUV)リソグラフィ市場、システム種類別、金額別および数量ベース、2026年~2032年 94
表28 極紫外線(EUV)リソグラフィー市場、システム種類別、
2022年~2025年(百万米ドル) 95
表29 極紫外線(EUV)リソグラフィ市場、システム種類別、
2026–2032年(百万米ドル) 95
表30 極紫外線(EUV)リソグラフィ市場、エンドユーザー別、
2022–2025年 (百万米ドル) 98
表31 エンドユーザー別 エクストリーム・ウルトラバイオレット(EUV)リソグラフィ市場、
2026–2032年(百万米ドル) 99
表32 集積デバイスメーカー(IDM):地域別極端紫外線(EUV)リソグラフィ市場、2022年~2025年(百万米ドル) 100
表33 集積デバイスメーカー(IDMS):地域別、極紫外線(EUV)リソグラフィ市場、2026年~2032年(百万米ドル) 100
表34 集積デバイスメーカー(IDMS):アジア太平洋地域における極端紫外線(EUV)リソグラフィ市場、国別、2022年~2025年(百万米ドル) 100
表35 集積デバイスメーカー(IDMS):アジア太平洋地域における極端紫外線(EUV)リソグラフィー市場、国別、2026年~2032年(百万米ドル) 101
表36 ファウンドリ:地域別、2022~2025年における極端紫外線(EUV)リソグラフィー市場(百万米ドル) 102
表37 ファウンドリ:極端紫外線(EUV)リソグラフィー市場、地域別、2026年~2032年(百万米ドル) 102
表38 ファウンドリ:極端紫外線(EUV)リソグラフィー市場、

アジア太平洋地域におけるファウンドリ:極端紫外線(EUV)リソグラフィー市場、国別、2022–2025年(百万米ドル) 102
表39 ファウンドリ:アジア太平洋地域における極端紫外線(EUV)リソグラフィー市場、国別、2026–2032年(百万米ドル) 103
表40 極紫外線(EUV)リソグラフィー市場、用途別、
2022年~2025年(百万米ドル) 105
表41 極端紫外線(EUV)リソグラフィ市場、用途別、
2026年~2032年(百万米ドル) 105
表42 極端紫外線(EUV)リソグラフィー市場、地域別、
2022–2025年(百万米ドル) 110
表43 極端紫外線(EUV)リソグラフィー市場、地域別、
2026–2032年 (百万米ドル) 111
表44 南米アメリカ:エンドユーザー別極端紫外線(EUV)リソグラフィ市場、2022年~2025年(百万米ドル) 112
表 45 南米アメリカ:エンドユーザー別 エクストリーム・ウルトラバイオレット(EUV)リソグラフィー市場、2026年~2032年(百万米ドル) 112
表46 EMEA地域:エンドユーザー別極端紫外線(EUV)リソグラフィ市場、2022年~2025年(百万米ドル) 114
表 47 EMEA:エンドユーザー別 エクストリーム・ウルトラバイオレット(EUV)リソグラフィ市場、2026年~2032年(百万米ドル) 114
表48 アジア太平洋地域:極端紫外線(EUV)リソグラフィ市場、国別、2022年~2025年(百万米ドル) 116
表49 アジア太平洋地域:極端紫外線(EUV)リソグラフィ市場、国別、2026年~2032年(百万米ドル) 116
表50 アジア太平洋地域:極端紫外線(EUV)リソグラフィー市場、エンドユーザー別、2022年~2025年(百万米ドル) 116
表51 アジア太平洋地域:エンドユーザー別 エクストリーム・ウルトラバイオレット(EUV)リソグラフィ市場、2026年~2032年(百万米ドル) 117
表52 中国:エンドユーザー別 エクストリーム・ウルトラバイオレット(EUV)リソグラフィ市場、2022年~2025年(百万米ドル) 117
表53 中国:エンドユーザー別極端紫外線(EUV)リソグラフィ市場、2026年~2032年(百万米ドル) 117
表54 日本: 極端紫外線(EUV)リソグラフィ市場、エンドユーザー別、2022年~2025年(百万米ドル) 118
表55 日本:極端紫外線(EUV)リソグラフィ市場、エンドユーザー別、2026年~2032年 (百万米ドル) 118
表56 韓国:極端紫外線(EUV)リソグラフィ市場、
エンドユーザー別、2022年~2025年(百万米ドル) 119
表57 韓国:極端紫外線(EUV)リソグラフィ市場、
エンドユーザー別、2026年~2032年(百万米ドル) 119
表58 台湾:極端紫外線(EUV)リソグラフィ市場、エンドユーザー別、2022年~2025年(百万米ドル) 119
表59 台湾:エンドユーザー別 エクストリーム・ウルトラバイオレット(EUV)リソグラフィ市場、2026年~2032年(百万米ドル) 120
表60 アジア太平洋地域その他:エンドユーザー別、極紫外線(EUV)リソグラフィ市場、2022年~2025年(百万米ドル) 120
表61 アジア太平洋地域その他:極端紫外線(EUV)リソグラフィ市場、
エンドユーザー別、2026年~2032年(百万米ドル) 120
表62 極端紫外線(EUV)リソグラフィ市場:主要企業の戦略/勝因、2024年~2025年 121
表63 極端紫外線(EUV)リソグラフィ市場:競争の度合い 124
表64 極端紫外線(EUV)リソグラフィ市場:地域別シェア、2025年 130
表65 極端紫外線(EUV)リソグラフィ市場:
エンドユーザー別シェア、2025年 131
表66 極端紫外線(EUV)リソグラフィー市場:
コンポーネント別市場規模、2025年 132
表67 極端紫外線(EUV)リソグラフィー市場:
主要スタートアップ/中小企業一覧、2025年 134
表68 極端紫外線(EUV)リソグラフィ市場:主要スタートアップ/中小企業における競争力ベンチマーク、2025年 134
表69 極端紫外線(EUV)リソグラフィ市場: 製品発表状況(2024年10月~2025年12月) 135
表70 極端紫外線(EUV)リソグラフィ市場:取引状況(
2024年10月~2025年12月) 137
表71 ASML:企業概要 139
表72 ASML:提供製品・ソリューション・サービス 140
表73 ASML:取引実績 141
表74 TRUMPF:企業概要 142
表75 TRUMPF:提供製品・ソリューション・サービス 144
表76 ウシオ電機株式会社:会社概要 145
表77 ウシオ電機株式会社:提供製品・ソリューション・サービス 146
表78 ENERGETIQ:会社概要 148
表79 ENERGETIQ:提供製品・ソリューション・サービス 148
表80 ENERGETIQ:製品発売 149
表81 ツァイスグループ:会社概要 151
表82 ツァイスグループ:提供製品・ソリューション・サービス 153
表83 ツァイスグループ:製品発売 154
表84 ツァイスグループ:取引実績 154
表85 NTTアドバンステクノロジ株式会社:会社概要 155
表86 NTTアドバンステクノロジ株式会社:
提供製品・ソリューション・サービス 156
表87 理学ホールディングス株式会社:会社概要 157
表88 理学ホールディングス株式会社:提供製品・ソリューション・サービス 158
表89 エドマンドオプティクス社:会社概要 159
表90 エドマンドオプティクス社:提供製品・ソリューション・サービス 160
表91 AGC株式会社:会社概要 161
表92 AGC株式会社:提供製品・ソリューション・サービス 162
表93 テクシンドフォトマスク:会社概要 163
表94 テックスセンドフォトマスク:提供製品・ソリューション・サービス 164
表95 レーザーテック株式会社:会社概要 165
表96 レーザーテック株式会社:提供製品・ソリューション・サービス 167
表97 LASERTEC CORPORATION:新製品発表 169
表98 HOYA CORPORATION:会社概要 170
表99 HOYA CORPORATION:提供製品・ソリューション・サービス 172
表100 ヌフレア・テクノロジー株式会社:会社概要 173
表101 ヌフレア・テクノロジー株式会社:提供製品・ソリューション・サービス 173
表102 KLA株式会社:会社概要 174
表103 株式会社アドバンテスト:会社概要 175
表104 SUSS MICROTEC SE:会社概要 176
表105 アプライド マテリアルズ社:会社概要 177
表106 パークシステムズ:会社概要 178
表107 イマジン・オプティック:会社概要 179
表108 エムケーエス株式会社:会社概要 180
表109 台湾セミコンダクター・マニュファクチャリング・カンパニー・リミテッド:
会社概要 181
表110 インテル株式会社:企業概要 182
表111 サムスン:企業概要 183
表112 SKハイニックス株式会社:企業概要 184
表113 マイクロン・テクノロジー社:企業概要 185
表114 主要な二次情報源 189
表115 主要インタビュー参加者 190
表116 極端紫外線(EUV)リソグラフィー市場:リスク分析 198



★調査レポート[世界の極端紫外線(EUV)リソグラフィー市場(~2032年):コンポーネント別(光源、光学系、マスク)、システム種類別(0.33 NA EUVシステム(NXE)、0.55 NA EUVシステム(EXE))、集積デバイスメーカー別、ファウンドリ別、ロジックチップ別、メモリチップ別] (コード:SE 6398)販売に関する免責事項を必ずご確認ください。
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