世界の不揮発性メモリ市場規模、シェア、動向および予測:タイプ別、産業分野別、地域別、2025-2033年

【英語タイトル】Global Non-Volatile Memory Market Size, Share, Trends and Forecast by Type, Industry Vertical, and Region, 2025-2033

IMARCが出版した調査資料(IMA25SM1730)・商品コード:IMA25SM1730
・発行会社(調査会社):IMARC
・発行日:2025年5月
・ページ数:139
・レポート言語:英語
・レポート形式:PDF
・納品方法:Eメール
・調査対象地域:グローバル
・産業分野:電子・半導体
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❖ レポートの概要 ❖

世界の不揮発性メモリ市場規模は、2024年に781億米ドルと評価されました。今後、IMARC Groupは、2025年から2033年の間に年平均成長率(CAGR)9.54%を示し、2033年までに1,848億5,000万米ドルに達すると予測しています。アジア太平洋地域は現在市場を支配しており、2024年には51.5%を超える大きな市場シェアを占めている。コストと電力消費の低減により、ノートパソコン、全地球測位システム(GPS)、ゲーム機器、電子楽器におけるフラッシュメモリの使用が増加していることが、市場を刺激している。

不揮発性メモリ(NVM)は、電源を切っても保存データを保持できるコンピュータメモリの一種を指す。データの定期的なリフレッシュを必要とせず、その結果、小売、情報技術(IT)、通信、自動車、医療産業など、世界中の幅広い分野で応用されている。一般的に使用されるNVMには、リードオンリーメモリ(ROM)、フラッシュメモリ、ハードディスク、フロッピーディスクドライブ、磁気テープ、光ディスクドライブ、および紙テープやパンチカードなどのその他のコンピュータ記憶方式がある。

不揮発性メモリ市場の動向:
スマートフォンが通信やその他の用途で急速に普及しており、高速データ転送を実現するために高度なプロセッサとNVMが採用されています。これは急成長するエレクトロニクス産業と相まって、市場成長を牽引する主要因の一つです。さらに、NVMはデジタルカメラ用メモリチップやUSBメモリスティックなど、長期保存や二次データストレージにも利用されています。これに加え、フラッシュメモリは低価格・低消費電力という特性から、ノートパソコン、GPS、ゲーム機器、電子楽器などでの採用が増加している。この傾向と、ウェアラブルデバイスにおけるNVM使用の拡大が相まって、市場に好影響を与えている。これとは別に、3D XPoint、磁気抵抗ランダムアクセスメモリ(MRAM)、ナノランダムアクセスメモリ(NRAM)などの先進的ストレージ技術の導入が、市場プレイヤーに有利な成長機会を提供している。さらに、主要市場プレイヤーによる広範な研究開発(R&D)活動と、世界的なデータセンターの急速な拡大が、業界の成長を促進すると予想される。

主要市場セグメンテーション:
IMARC Groupは、各市場セグメントにおける主要トレンドの分析に加え、2025年から2033年までのグローバル、地域、国レベルでの市場予測を提供します。本レポートでは、市場をタイプ別および産業分野別に分類しています。

タイプ別内訳:
• 電気式
• 電気式アドレス指定
• 機械式アドレス指定
• その他

業界別内訳:

• 通信・IT
• 医療
• 自動車
• 民生用電子機器
• エネルギー・電力
• その他

地域別内訳:

• 北米
• アメリカ合衆国
• カナダ
• アジア太平洋
• 中国
• 日本
• インド
• 韓国
• オーストラリア
• インドネシア
• その他
• ヨーロッパ
• ドイツ
• フランス
• イギリス
• イタリア
• スペイン
• ロシア
• その他
• ラテンアメリカ
• ブラジル
• メキシコ
• その他
• 中東・アフリカ

競争環境:
業界の競争環境についても調査が行われ、主要プレイヤーのプロファイルとして、アバランチ・テクノロジー、クロスバー社、ダイアログ・セミコンダクター社(ルネサス エレクトロニクス株式会社)、富士通株式会社、ハネウェル・インターナショナル社、インフィニオン・テクノロジーズ社、インテル社、マイクロチップ・テクノロジー社、マイクロン・テクノロジー社、サムスン電子株式会社、STマイクロエレクトロニクス社、テキサス・インスツルメンツ社、東芝株式会社、ウェスタンデジタル社が挙げられている。

本レポートで回答する主な質問
1.不揮発性メモリ市場の規模はどの程度か?
2.不揮発性メモリ市場の将来展望は?
3.不揮発性メモリ市場を牽引する主な要因は何か?
4. どの地域が不揮発性メモリ市場で最大のシェアを占めているか?
5. 世界の不揮発性メモリ市場における主要企業は?

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❖ レポートの目次 ❖

1 序文
2 範囲と方法論
2.1 研究の目的
2.2 関係者
2.3 データソース
2.3.1 一次資料
2.3.2 二次情報源
2.4 市場推定
2.4.1 ボトムアップアプローチ
2.4.2 トップダウンアプローチ
2.5 予測方法論
3 エグゼクティブサマリー
4 はじめに
4.1 概要
4.2 主要産業動向
5 グローバル不揮発性メモリ市場
5.1 市場概要
5.2 市場動向
5.3 COVID-19の影響
5.4 市場予測
6 タイプ別市場分析
6.1 電気的アドレス指定
6.1.1 市場動向
6.1.2 市場予測
6.2 機械的アドレス指定
6.2.1 市場動向
6.2.2 市場予測
6.3 その他
6.3.1 市場動向
6.3.2 市場予測
7 業界別市場分析
7.1 電気通信および IT
7.1.1 市場動向
7.1.2 市場予測
7.2 医療
7.2.1 市場動向
7.2.2 市場予測
7.3 自動車
7.3.1 市場動向
7.3.2 市場予測
7.4 民生用電子機器
7.4.1 市場動向
7.4.2 市場予測
7.5 エネルギー・電力
7.5.1 市場動向
7.5.2 市場予測
7.6 その他
7.6.1 市場動向
7.6.2 市場予測
8 地域別市場分析
8.1 北米
8.1.1 アメリカ合衆国
8.1.1.1 市場動向
8.1.1.2 市場予測
8.1.2 カナダ
8.1.2.1 市場動向
8.1.2.2 市場予測
8.2 アジア太平洋地域
8.2.1 中国
8.2.1.1 市場動向
8.2.1.2 市場予測
8.2.2 日本
8.2.2.1 市場動向
8.2.2.2 市場予測
8.2.3 インド
8.2.3.1 市場動向
8.2.3.2 市場予測
8.2.4 韓国
8.2.4.1 市場動向
8.2.4.2 市場予測
8.2.5 オーストラリア
8.2.5.1 市場動向
8.2.5.2 市場予測
8.2.6 インドネシア
8.2.6.1 市場動向
8.2.6.2 市場予測
8.2.7 その他
8.2.7.1 市場動向
8.2.7.2 市場予測
8.3 ヨーロッパ
8.3.1 ドイツ
8.3.1.1 市場動向
8.3.1.2 市場予測
8.3.2 フランス
8.3.2.1 市場動向
8.3.2.2 市場予測
8.3.3 イギリス
8.3.3.1 市場動向
8.3.3.2 市場予測
8.3.4 イタリア
8.3.4.1 市場動向
8.3.4.2 市場予測
8.3.5 スペイン
8.3.5.1 市場動向
8.3.5.2 市場予測
8.3.6 ロシア
8.3.6.1 市場動向
8.3.6.2 市場予測
8.3.7 その他
8.3.7.1 市場動向
8.3.7.2 市場予測
8.4 ラテンアメリカ
8.4.1 ブラジル
8.4.1.1 市場動向
8.4.1.2 市場予測
8.4.2 メキシコ
8.4.2.1 市場動向
8.4.2.2 市場予測
8.4.3 その他
8.4.3.1 市場動向
8.4.3.2 市場予測
8.5 中東およびアフリカ
8.5.1 市場動向
8.5.2 国別市場分析
8.5.3 市場予測
9 SWOT分析
9.1 概要
9.2 強み
9.3 弱み
9.4 機会
9.5 脅威
10 バリューチェーン分析
11 ポーターの5つの力分析
11.1 概要
11.2 購買者の交渉力
11.3 供給者の交渉力
11.4 競争の激しさ
11.5 新規参入の脅威
11.6 代替品の脅威
12 価格分析
13 競争環境
13.1 市場構造
13.2 主要プレイヤー
13.3 主要プレイヤーのプロファイル
13.3.1 アバランチ・テクノロジー
13.3.1.1 会社概要
13.3.1.2 製品ポートフォリオ
13.3.2 CrossBar Inc.
13.3.2.1 会社概要
13.3.2.2 製品ポートフォリオ
13.3.3 ダイアログ・セミコンダクタ社(ルネサスエレクトロニクス株式会社)
13.3.3.1 会社概要
13.3.3.2 製品ポートフォリオ
13.3.3.3 財務
13.3.4 富士通株式会社
13.3.4.1 会社概要
13.3.4.2 製品ポートフォリオ
13.3.4.3 財務
13.3.4.4 SWOT 分析
13.3.5 ハネウェル・インターナショナル社
13.3.5.1 会社概要
13.3.5.2 製品ポートフォリオ
13.3.5.3 財務
13.3.5.4 SWOT 分析
13.3.6 インフィニオン・テクノロジーズ AG
13.3.6.1 会社概要
13.3.6.2 製品ポートフォリオ
13.3.6.3 財務
13.3.6.4 SWOT分析
13.3.7 インテル・コーポレーション
13.3.7.1 会社概要
13.3.7.2 製品ポートフォリオ
13.3.7.3 財務
13.3.7.4 SWOT分析
13.3.8 マイクロチップ・テクノロジー社
13.3.8.1 会社概要
13.3.8.2 製品ポートフォリオ
13.3.8.3 財務
13.3.8.4 SWOT 分析
13.3.9 マイクロン・テクノロジー社
13.3.9.1 会社概要
13.3.9.2 製品ポートフォリオ
13.3.9.3 財務
13.3.9.4 SWOT 分析
13.3.10 サムスン電子株式会社
13.3.10.1 会社概要
13.3.10.2 製品ポートフォリオ
13.3.10.3 財務
13.3.10.4 SWOT 分析
13.3.11 STマイクロエレクトロニクス
13.3.11.1 会社概要
13.3.11.2 製品ポートフォリオ
13.3.11.3 財務
13.3.11.4 SWOT 分析
13.3.12 テキサス・インスツルメンツ
13.3.12.1 会社概要
13.3.12.2 製品ポートフォリオ
13.3.12.3 財務
13.3.12.4 SWOT 分析
13.3.13 東芝株式会社
13.3.13.1 会社概要
13.3.13.2 製品ポートフォリオ
13.3.13.3 財務
13.3.13.4 SWOT 分析
13.3.14 ウエスタンデジタル社
13.3.14.1 会社概要
13.3.14.2 製品ポートフォリオ
13.3.14.3 財務
13.3.14.4 SWOT分析

表1:グローバル:不揮発性メモリ市場:主要産業ハイライト、2024年および2033年
表2:グローバル:不揮発性メモリ市場予測:タイプ別内訳(百万米ドル)、2025-2033年
表3:グローバル:不揮発性メモリ市場予測:産業分野別内訳(百万米ドル)、2025-2033年
表4:グローバル:不揮発性メモリ市場予測:地域別内訳(百万米ドル)、2025-2033年
表5:グローバル:不揮発性メモリ市場:競争構造
表6:グローバル:不揮発性メモリ市場:主要プレイヤー

1 Preface
2 Scope and Methodology
2.1 Objectives of the Study
2.2 Stakeholders
2.3 Data Sources
2.3.1 Primary Sources
2.3.2 Secondary Sources
2.4 Market Estimation
2.4.1 Bottom-Up Approach
2.4.2 Top-Down Approach
2.5 Forecasting Methodology
3 Executive Summary
4 Introduction
4.1 Overview
4.2 Key Industry Trends
5 Global Non-Volatile Memory Market
5.1 Market Overview
5.2 Market Performance
5.3 Impact of COVID-19
5.4 Market Forecast
6 Market Breakup by Type
6.1 Electrically Addressed
6.1.1 Market Trends
6.1.2 Market Forecast
6.2 Mechanically Addressed
6.2.1 Market Trends
6.2.2 Market Forecast
6.3 Others
6.3.1 Market Trends
6.3.2 Market Forecast
7 Market Breakup by Industry Vertical
7.1 Telecom and IT
7.1.1 Market Trends
7.1.2 Market Forecast
7.2 Healthcare
7.2.1 Market Trends
7.2.2 Market Forecast
7.3 Automotive
7.3.1 Market Trends
7.3.2 Market Forecast
7.4 Consumer Electronics
7.4.1 Market Trends
7.4.2 Market Forecast
7.5 Energy and Power
7.5.1 Market Trends
7.5.2 Market Forecast
7.6 Others
7.6.1 Market Trends
7.6.2 Market Forecast
8 Market Breakup by Region
8.1 North America
8.1.1 United States
8.1.1.1 Market Trends
8.1.1.2 Market Forecast
8.1.2 Canada
8.1.2.1 Market Trends
8.1.2.2 Market Forecast
8.2 Asia-Pacific
8.2.1 China
8.2.1.1 Market Trends
8.2.1.2 Market Forecast
8.2.2 Japan
8.2.2.1 Market Trends
8.2.2.2 Market Forecast
8.2.3 India
8.2.3.1 Market Trends
8.2.3.2 Market Forecast
8.2.4 South Korea
8.2.4.1 Market Trends
8.2.4.2 Market Forecast
8.2.5 Australia
8.2.5.1 Market Trends
8.2.5.2 Market Forecast
8.2.6 Indonesia
8.2.6.1 Market Trends
8.2.6.2 Market Forecast
8.2.7 Others
8.2.7.1 Market Trends
8.2.7.2 Market Forecast
8.3 Europe
8.3.1 Germany
8.3.1.1 Market Trends
8.3.1.2 Market Forecast
8.3.2 France
8.3.2.1 Market Trends
8.3.2.2 Market Forecast
8.3.3 United Kingdom
8.3.3.1 Market Trends
8.3.3.2 Market Forecast
8.3.4 Italy
8.3.4.1 Market Trends
8.3.4.2 Market Forecast
8.3.5 Spain
8.3.5.1 Market Trends
8.3.5.2 Market Forecast
8.3.6 Russia
8.3.6.1 Market Trends
8.3.6.2 Market Forecast
8.3.7 Others
8.3.7.1 Market Trends
8.3.7.2 Market Forecast
8.4 Latin America
8.4.1 Brazil
8.4.1.1 Market Trends
8.4.1.2 Market Forecast
8.4.2 Mexico
8.4.2.1 Market Trends
8.4.2.2 Market Forecast
8.4.3 Others
8.4.3.1 Market Trends
8.4.3.2 Market Forecast
8.5 Middle East and Africa
8.5.1 Market Trends
8.5.2 Market Breakup by Country
8.5.3 Market Forecast
9 SWOT Analysis
9.1 Overview
9.2 Strengths
9.3 Weaknesses
9.4 Opportunities
9.5 Threats
10 Value Chain Analysis
11 Porters Five Forces Analysis
11.1 Overview
11.2 Bargaining Power of Buyers
11.3 Bargaining Power of Suppliers
11.4 Degree of Competition
11.5 Threat of New Entrants
11.6 Threat of Substitutes
12 Price Analysis
13 Competitive Landscape
13.1 Market Structure
13.2 Key Players
13.3 Profiles of Key Players
13.3.1 Avalanche Technology
13.3.1.1 Company Overview
13.3.1.2 Product Portfolio
13.3.2 CrossBar Inc.
13.3.2.1 Company Overview
13.3.2.2 Product Portfolio
13.3.3 Dialog Semiconductor PLC (Renesas Electronics Corporation)
13.3.3.1 Company Overview
13.3.3.2 Product Portfolio
13.3.3.3 Financials
13.3.4 Fujitsu Limited
13.3.4.1 Company Overview
13.3.4.2 Product Portfolio
13.3.4.3 Financials
13.3.4.4 SWOT Analysis
13.3.5 Honeywell International Inc.
13.3.5.1 Company Overview
13.3.5.2 Product Portfolio
13.3.5.3 Financials
13.3.5.4 SWOT Analysis
13.3.6 Infineon Technologies AG
13.3.6.1 Company Overview
13.3.6.2 Product Portfolio
13.3.6.3 Financials
13.3.6.4 SWOT Analysis
13.3.7 Intel Corporation
13.3.7.1 Company Overview
13.3.7.2 Product Portfolio
13.3.7.3 Financials
13.3.7.4 SWOT Analysis
13.3.8 Microchip Technology Inc.
13.3.8.1 Company Overview
13.3.8.2 Product Portfolio
13.3.8.3 Financials
13.3.8.4 SWOT Analysis
13.3.9 Micron Technology Inc.
13.3.9.1 Company Overview
13.3.9.2 Product Portfolio
13.3.9.3 Financials
13.3.9.4 SWOT Analysis
13.3.10 Samsung Electronics Co. Ltd.
13.3.10.1 Company Overview
13.3.10.2 Product Portfolio
13.3.10.3 Financials
13.3.10.4 SWOT Analysis
13.3.11 STMicroelectronics
13.3.11.1 Company Overview
13.3.11.2 Product Portfolio
13.3.11.3 Financials
13.3.11.4 SWOT Analysis
13.3.12 Texas Instruments Incorporated
13.3.12.1 Company Overview
13.3.12.2 Product Portfolio
13.3.12.3 Financials
13.3.12.4 SWOT Analysis
13.3.13 Toshiba Corporation
13.3.13.1 Company Overview
13.3.13.2 Product Portfolio
13.3.13.3 Financials
13.3.13.4 SWOT Analysis
13.3.14 Western Digital Corporation
13.3.14.1 Company Overview
13.3.14.2 Product Portfolio
13.3.14.3 Financials
13.3.14.4 SWOT Analysis


※参考情報

不揮発性メモリ(Non-Volatile Memory、NVM)は、電源を切ったときでもデータが保持される特性を持つメモリの一種です。コンピュータや電子機器において、データを長期間保存するための重要な役割を果たしています。これは、主に読み出し専用メモリ(ROM)やフラッシュメモリなど、さまざまな技術で実現されています。
不揮発性メモリは、データの保存に電力を必要としないため、エネルギー効率が高いという特徴があります。例えば、フラッシュメモリは広く使用されており、USBメモリやSSD(ソリッドステートドライブ)などに使用されています。これらのデバイスは、迅速な読み書きが可能であり、コンパクトなサイズで大量のデータを保存できるため、さまざまな分野で重宝されています。

不揮発性メモリの利点は、運用時の信頼性です。電源が失われてもデータが消えないため、メモリの情報を失うリスクが大幅に低下します。これに対して、揮発性メモリ、例えばDRAM(ダイナミックランダムアクセスメモリ)は、電源が切れると保存されていたデータが消失してしまいます。このため、揮発性メモリは主に一時的なデータ処理に用いられることが多く、不揮発性メモリとは明確に役割が分かれています。

不揮発性メモリには複数の種類があり、それぞれ異なる技術や用途があります。例えば、EEPROM(Electrically Erasable Programmable Read-Only Memory)は、電気的に書き換え可能な不揮発性メモリです。EEPROMはプログラムの保存や設定情報の保持に使用されます。さらに、Flashメモリは、EEPROMの進化版ともいえるもので、一度に複数のビットを同時に書き換えることができるため、高速なデータアクセスが可能です。

最近では、3D NANDフラッシュメモリなどの新しい技術も登場しています。これは、メモリセルを垂直に積み重ねることによって、データ密度を高め、性能を向上させる手法です。この技術により、ストレージの容量が劇的に増加し、データセンターやスマートフォンなど、多様なデバイスでの利用が進んでいます。

さらに、新型の不揮発性メモリ技術としては、相変化メモリ(PCM)、磁気抵抗メモリ(MRAM)、フラッシュメモリよりも高速に読み書き可能な新しいメモリが研究されています。これらの新しい技術は、より高い耐久性や低消費電力を実現し、次世代のコンピュータアーキテクチャでも重要な役割を果たすと期待されています。

不揮発性メモリは、データストレージの信頼性だけでなく、デバイスの起動時間や性能向上にも寄与しています。例えば、SSDを使用することによって、従来のHDD(ハードディスクドライブ)に比べて起動時間が短縮され、アプリケーションの起動が迅速になります。このことは、パソコンやサーバーのパフォーマンス向上に直結し、多くのユーザーや企業にとって重要な要素となっています。

不揮発性メモリは、IoT(モノのインターネット)やAI(人工知能)など、近年の技術革新とも深く関連しています。IoTデバイスは、多くのデータをリアルタイムで処理し、保存する必要があります。このような環境では、高速でかつ信頼性の高い不揮発性メモリが不可欠です。また、AI技術の進化に伴い、膨大なデータを効率的に扱うためのストレージの需要が高まっています。

総じて、不揮発性メモリは、データの保存とアクセスにおける重要な要素であり、今後のテクノロジーの発展においても中心的な役割を担うことが予想されます。様々な分野での応用が進む中で、さらに新しい技術の発展が期待されており、これによりより高性能で効率的なデータストレージソリューションが提供されるでしょう。


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