【英語タイトル】Semiconductor Equipment Market Size & Share Analysis - Growth Trends and Forecast (2026 - 2031)
	・商品コード：MOR23AL094 ・発行会社（調査会社）：Mordor Intelligence ・発行日：2026年2月 ・ページ数：146 ・レポート言語：英語 ・レポート形式：PDF ・納品方法：Eメール（受注後2-3営業日） ・調査対象地域：中国、日本、台湾、韓国 ・産業分野：半導体

半導体装置市場の規模とシェア

## 市場概要

### 調査期間
2020年 – 2031年

### 市場規模（2026年）
1148.2億米ドル

### 市場規模（2031年）
1627.0億米ドル

### 成長率（2026年 – 2031年）
年平均成長率（CAGR）7.22%

### 最も成長が早い市場
アジア太平洋地域

### 最大市場
アジア太平洋地域

### 市場集中度
中程度

### 主要プレーヤー
*免責事項：主要プレーヤーは特に順不同で整理されています。

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### モルドールインテリジェンスによる半導体装置市場分析
半導体装置市場の規模は2026年に1148.2億米ドルと推定され、2031年には1627.0億米ドルに達すると予想されています。この期間の年平均成長率（CAGR）は7.22%です。この成長は、消費者向け大量生産からインフラストラクチャーグレードの精密製造への移行を反映しており、ゲートオールアラウンド（GAA）トランジスタや高数値開口（高NA）極紫外線（EUV）リソグラフィーが資本計画の中心となっています。0.55-NA EUVツールのプレミアム価格、2nmノードを可能にするフロントエンド装置のアップグレード、補助金によるファブ建設が、半導体装置市場の拡大を支えています。一方で、特殊な3D異種統合ラインはチップレットアーキテクチャから価値を引き出し、持続可能性の指令がエネルギー効率の良いチャンバーの改修需要を促進しています。競争戦略は、希少なフォトレジスト、フッ素ガス、フィールドサービスの人材の供給を確保することにますます依存しており、これらの要素がコスト構造や出荷タイミングを形作っています。

## 重要なレポートの要点

– **装置タイプ別**: フロントエンドツールは2025年に半導体装置市場シェアの70.33%を占めており、2031年まで8.16%のCAGRで成長すると予測されています。
– **サプライチェーン参加者別**: ファウンドリーは2025年に52.92%の収益シェアを保持し、アウトソーシング半導体アセンブリおよびテスト（OSAT）プロバイダーは2031年までに最高の7.84%のCAGRを記録すると予測されています。
– **ウエハサイズ別**: 300mm基板は2025年に半導体装置市場の63.42%を占め、2026年から2031年にかけて8.02%のCAGRで拡大する見込みです。
– **最終用途産業別**: コンピューティングアプリケーションは2025年に半導体装置市場の32.12%を占めており、自動車およびモビリティ装置の需要は2031年までに8.44%のCAGRで成長しています。
– **地理別**: アジア太平洋地域は2025年に52.97%の収益シェアを占め、全地域で最も早い9.07%のCAGRで進展しています。

注: 本レポートの市場規模および予測数値は、モルドールインテリジェンスの独自の推定フレームワークを使用して生成されており、2026年1月時点での最新のデータと洞察を反映しています。

## グローバル半導体装置市場のトレンドと洞察

### ドライバーの影響分析

– **ドライバー**:
– **急増する先進的な消費者電子機器およびスマートフォンの需要**: +0.9%（アジア太平洋地域に集中）
– **急速なAI、IoT、エッジデバイスノードへの投資**: +1.8%（北米とアジア太平洋地域が主導）
– **政府の補助金波（CHIPS法、EUチップ法など）によるツールCAPEXの増加**: +1.5%（北米とヨーロッパ）
– **GAAおよび高NA EUVへの移行に伴う新しいツールセットの必要性**: +1.3%（台湾、韓国、アメリカに集中）
– **持続可能性の義務が促進するグリーンファブ改修ツールの需要**: +0.6%（ヨーロッパと北米）
– **3D異種統合パッケージング需要の急増**: +1.1%（台湾、韓国、アメリカでの早期採用）

### 主要なトレンドの理解

#### 急速なAI、IoT、エッジデバイスノードへの投資
人工知能の推論ワークロードと分散型エッジコンピューティングは、プロセスノードを5nm未満に押し下げており、ウエハあたりの装置の強度が急激に上昇しています。OpenAIは2025年に台湾積体電路製造（TSMC）での先進ノード容量を確保するために5億米ドルを投資しました。また、MicrosoftとAmazon Web Servicesはそれぞれ3nmカスタムシリコンのために数十億ドルの予約を行いました。ASMLは2025年の最初の3四半期でEUVツールの出荷が前年同期比40%増加したと報告しています。対照的に、IoTデバイスは成熟した28nmおよび40nmラインに留まっていますが、新興のエッジAIアクセラレーターは22nmの無線周波数層と7nmのデジタルロジックを組み合わせており、ファブは異種パッケージングラインを設置する必要があります。国際半導体技術ロードマップは、2028年までに高性能チップの半数以上がチップレットアーキテクチャを採用し、それぞれが新しい組立、テスト、先進的なパッケージング装置を必要とすると予測しています。

#### 政府の補助金波によるツールCAPEXの増加
米国のCHIPS法やEUチップ法などの立法は、以前は2年かかっていた調達サイクルを圧縮しています。Intelはオハイオ州とアリゾナ州の新しいファブのために85億米ドルの助成金と110億米ドルの融資保証を確保し、2028年までに200以上の先進的なツールを購入することを約束しました。Micron、Samsung、Rapidusはそれぞれニューヨーク、韓国、日本で同様の州の支援を受けました。インドの電子情報技術省はMicronのグジャラートアセンブリ施設のために27.5億米ドルを承認し、バックエンドプラットフォームの注文を促進しました。これらのインセンティブは2026年から2028年のウィンドウに需要を前倒しし、半導体装置市場を押し上げる一方で、補助金が減少すると利用率の問題が浮上します。

#### GAAおよび高NA EUVツールセットへの移行
ゲートオールアラウンドデバイスは2nmノード以下でfinFETを置き換え、サブオングストローム制御と隣接ナノシートを保護する選択的エッチング化学物質を備えた原子層堆積（ALD）ツールを必要とします。TSMCの最初の2nm生産ラインは2025年末に50以上の新しいALDチャンバーを展開しました。Samsungは2nmパイロットウエハーで95%の歩留まりを報告し、2026年の生産拡大を支えるために30台の追加の堆積およびエッチングツールを注文しました。0.55数値開口で動作する高NA EUVは、2025年12月にIntelに初のシステムを出荷し、4億米ドルの価格と振動および熱安定性のための施設改修を伴いました。GAAはfinFETよりも約30%多くの堆積およびエッチングステップを追加し、2031年まで半導体装置市場を支える持続的な置き換えサイクルを生み出します。

#### 3D異種統合パッケージング需要の急増
チップレットアーキテクチャは、モノリシックダイの縮小からバックエンドパッケージングへのパフォーマンススケーリングを移行しています。TSMCは2025年にチップオンウエハーオン基板の能力を倍増し、BesiおよびEVGから40以上のハイブリッドボンディングツールを設置しました。IntelのFoveros Direct技術は、入力出力ダイ上にコンピュートタイルを25µmのバンプピッチで積み重ね、Kulicke and SoffaおよびASM Pacific Technologyからの精密アライナーと熱圧縮ボンダを必要とします。2025年8月に承認されたユニバーサルチップレットインターコネクトエクスプレス標準は、マルチベンダーエコシステムを加速させ、OSATの資本集約度を拡大しています。

### 制約の影響分析

– **制約**:
– **極めて高いCAPEXと長い回収サイクル**: -0.8%（特に新興ファブ地域で深刻）
– **特殊材料供給のボトルネックによるツール出荷の遅延**: -1.2%（アジア太平洋地域とヨーロッパに集中）
– **中国向けツールに対する輸出管理制限**: -1.4%（中国、そしてグローバルな装置サプライヤーに波及）
– **熟練したフィールドサービスエンジニアの深刻な不足**: -0.9%（北米とヨーロッパからアジア太平洋地域に拡大）

#### 中国向けツールに対する輸出管理制限
2025年9月から、オランダ、米国、日本は14nm未満のパターン形成が可能なリソグラフィー、堆積、エッチングプラットフォームのライセンスを厳格化し、中国のファブへの出荷を阻止しました。中国の装置輸入は2025年上半期に前年同期比28%減少し、地元の供給業者であるAdvanced Micro-Fabrication EquipmentとNaura Technology Groupは42%成長しました。これは、ファブが古い世代の国内ツールを受け入れることを強いられた結果です。この分裂は、西側のベンダーが台湾、韓国、北米での高級販売に集中する一方で、中国の生産者が技術ギャップを埋めるリスクを伴います。

#### 特殊材料供給のボトルネックによるツール出荷の遅延
高NA EUVフォトレジスト、窒素トリフルオリドエッチングガス、希土類研磨スラリーの供給不足は、ハードウェアが予定通り到着しても、委託開始のタイムラインを延長します。JSRは2025年6月に高NAレジストの出力が2026年中頃まで厳しい状況が続くと警告しました。台湾のNF₃工場での火災により、2025年にガス価格が22%上昇し、堆積チャンバーの受け入れが遅れました。セリウム酸化物の輸出割当がスラリーコストを18%引き上げ、ファブは欠陥密度を高める代償としてパッドを長く運転することを余儀なくされています。

## セグメント分析

### 装置タイプ別: リソグラフィーの強度に支えられたフロントエンドの優位性
フロントエンドプラットフォームは2025年に70.33%の半導体装置市場シェアを占め、2031年まで8.16%のCAGRで追跡されています。リソグラフィー単独で2025年の総支出の35%を占め、ファブは0.33-NAから0.55-NA EUVシステムに移行し、それぞれ400百万米ドル以上の価格がついています。エッチング収益は同年に9.2%増加しました。これは、GAA構造が選択的に犠牲シリコンゲルマニウムを除去する必要があるためです。堆積ツール、特にALDおよびCVDは、2nmの採用により8.7%成長しました。メトロロジーおよび検査は、10nm未満でのインライン欠陥検出が必須となるため、10.1%拡大しました。

バックエンドツールは2025年に29.67%の半導体装置市場を占め、6.8%のCAGRで成長します。チップレットアセンブリ用のハイブリッドボンディング装置は2025年に11%増加し、高帯域幅メモリテスターは12ダイスタックの採用に伴い14%進展しました。クリーニングおよびフォトレジスト処理ユニットはそれぞれ7.4%改善しました。パッケージングの重要性が増す一方で、先進的なリソグラフィーの資本集約度が高いため、フロントエンドプラットフォームは2031年まで収益リーダーシップを維持します。

### サプライチェーン参加者別: ファウンドリーがリード、OSATが加速
ファウンドリーは2025年の装置購入の52.92%を吸収し、TSMCの320億米ドルおよびSamsungの220億米ドルのCAPEXプログラムに支えられています。統合デバイスメーカー（IDM）は28.24%で、Intelの18オングストロームおよび20オングストロームプロジェクトが主導しています。OSATは18.84%を占めていますが、チップレット設計がパッケージングの複雑さをシフトさせるため、7.84%のCAGRを見込んでいます。この構造はサプライの優先順位を再形成しています。ファウンドリーはEUV、ALD、選択的エッチングに焦点を当てているのに対し、OSATはハイブリッドボンディング、スルーシリコンビア、ウエハーレベルファンアウトラインを展開しています。OSATの資本集約度は2020年の収益の12%から2025年には16%に上昇しており、半導体装置市場全体での価値捕捉の再バランスを示しています。

### ウエハサイズ別: 300mmの優位性が先端経済学によって強化
300mmセグメントは2025年の収益の63.42%を占め、8.02%のCAGRで拡大し、2nmロジックおよび高帯域幅メモリはこの直径に完全に依存しています。2027年に稼働予定のIntelのオハイオファブは、300mmウエハーに最適化された200台のツールを設置し、フォーマットの固定を強調しています。対照的に、200mmラインは24.16%のシェアを持ち、アナログおよびパワー需要の継続により5.9%成長しています。150mm未満のウエハはニッチなMEMSおよび化合物デバイスにサービスを提供し、12.42%のシェアを持っています。

経済学がこの分割を推進しており、300mm基板は2nmで200mmに対して35%のダイコスト削減を実現していますが、欠陥密度は上昇しています。一方で、パワーモジュールは材料品質の限界により200mmに留まっています。したがって、サプライヤーは300mmと200mmのポートフォリオを並行して維持し、スケールエコノミーを分断しています。

### 最終用途産業別: コンピューティングがリード、自動車が急成長
コンピューティングは2025年に装置需要の32.12%を占め、Nvidiaの2080億トランジスタのBlackwell GPUが毎週500ウエハースタート以上を消費しています。自動車およびモビリティは19.8%を占め、8.44%のCAGRで最も急成長しており、シリコンカーバイドインバーターや高度な運転支援センサーによって推進されています。通信は22.4%で5G基地局の展開に伴い、消費者電子機器はスマートフォンのサイクルが長引く中で15.6%に減少しました。産業およびIoTはドイツや日本の工場自動化によって10.08%の需要を占めています。

その結果、消費者からインフラ用途へのシフトが見られます。自動車顧客はより長いツールライフサイクルを要求し、ハイパースケーラーは積極的なスループット保証を必要とし、サプライヤーは資本販売に予測保守ソフトウェアをバンドルすることを余儀なくされています。

### 地理分析
アジア太平洋地域は2025年に52.97%のシェアを持ち、2031年までに9.07%のCAGRを記録すると見込まれています。台湾は2025年に280億米ドルのツールを輸入し、TSMCは3つのファブで100以上のEUVシステムを設置しました。韓国は190億米ドルの支出を記録し、ファウンドリーとメモリに分かれています。中国の輸入は2024年の330億米ドルから2025年には240億米ドルに減少しましたが、国内ベンダーは600台以上を地元ファブに出荷し、輸出管理の影響を部分的に相殺しました。

北米は2025年の収益の24.8%を占め、CHIPS法の資金によりIntel、Micron、Texas Instrumentsの拡張がリスクを軽減し、8.3%のCAGRで成長します。ヨーロッパは18.6%を保持し、7.1%の成長を進めており、欧州半導体製造会社が自動車ノードに焦点を当てた100億ユーロのドレスデンファブを建設しています。中東とアフリカは合計で2.1%を占め、主に主権の多様化プログラムによって推進されています。一方、南アメリカの1.53%のシェアは主にブラジルのアセンブリラインから来ています。

補助金構造の違いや地政学的リスクがツールの地域的配分を形成しています。提携地域は高NA EUVを進めている一方で、中国は28nmおよび14nmの能力を優先しており、広範な半導体装置市場内で二分化されたグローバルな風景を強化しています。

## 競争環境
ASML、Applied Materials、東京エレクトロン、Lam Research、KLA Corporationの5社がフロントエンド収益の重要なシェアを保持しており、これは半導体装置業界に典型的な中程度の集中構造を反映しています。ASMLはEUVリソグラフィーで高いシェアを維持し、2025年には90台のシステムを提供し、6000以上の特許でその地位を守っています。Applied Materialsと東京エレクトロンは堆積セグメントの半分以上を共同で支配しており、Lam Researchはエッチングセグメントでかなりのシェアを持っています。

しかし、ホワイトスペースの機会は依然として存在します。BesiとEVGはチップレット用のハイブリッドボンディングで早期のリーダーシップを握っており、持続可能性の指標が厳しくなる中でグリーンファブ改修ツールが注目を集めています。中国のベンダーであるAMECとNauraは、2025年に28nm対応のエッチャーを30%の割引で供給することで42%成長し、成熟ノードファブでの多国籍シェアを侵食しています。輸出管理体制はこの分岐を加速させています。西側のサプライヤーは高NAの採用に向けて提携地域に焦点を当てる一方で、中国企業は国内エコシステムを強化し、半導体装置市場を並行する技術層に分断しています。

サプライヤーの戦略は、能力の拡大とサービスライフサイクルの差別化を強調しています。Applied Materialsはシンガポールで120のALDチャンバーラインを追加し、Lam Researchはサブオングストローム選択性でシリコンゲルマニウムを除去するGAA最適化の誘電体エッチシステムを導入しました。KLAはサブ10nmの欠陥捕捉が可能な電子ビーム検査プラットフォームを立ち上げ、高NAプロセスウィンドウに合わせたメトロロジー提供を調整しています。

### 半導体装置業界のリーダー
– ASMLホールディングNV
– アプライドマテリアルズ株式会社
– ラムリサーチ株式会社
– 東京エレクトロン株式会社
– KLA株式会社

*免責事項：主要プレーヤーは特に順不同で整理されています。

## 最近の業界動向
– **2025年12月**: ASMLはIntelのオレゴン開発ファブに初の高NA EUVシステムを出荷し、400百万米ドル以上の価格の0.55-NAツールの商業デビューを果たしました。
– **2025年11月**: Samsung Foundryは2nm GAAウエハーで95%の歩留まりを確認し、2026年下半期のボリューム拡大を支えるために30台の追加ALDおよび選択的エッチツールを注文しました。
– **2025年10月**: アプライドマテリアルズはシンガポールでの堆積ツール工場の拡張を完了し、年間ALDチャンバーの能力を120台に引き上げました。
– **2025年9月**: オランダは14nm未満のパターン形成が可能な深紫外線浸漬リソグラフィーシステムを対象に輸出管理を拡大し、ASMLの2026年の中国収益見通しを25%削減しました。
– **2025年8月**: TSMCは新竹で2nmの量産を開始し、GAAトランジスタ用に50以上のALDチャンバーと選択的エッチングツールを設置しました。