第1章：はじめに
1.1. レポート概要
1.2. 主要市場セグメント
1.3. ステークホルダーへの主な利点
1.4. 調査方法論
1.4.1. プライマリ調査
1.4.2. 二次調査
1.4.3. アナリストツールとモデル
第2章：エグゼクティブサマリー
2.1. CXOの視点
第3章：市場概要
3.1. 市場定義と範囲
3.2. 主要な調査結果
3.2.1. 主要な影響要因
3.2.2. 主要な投資分野
3.3. ポーターの5つの力分析
3.3.1. 供給者の交渉力は中程度
3.3.2. 買い手の交渉力が高い
3.3.3. 代替品の脅威が中程度
3.3.4. 新規参入の脅威が中程度
3.3.5. 競争の激しさが中程度
3.4. 市場動向
3.4.1. 推進要因
3.4.1.1. TFETデバイスの高投資・開発動向
3.4.1.2. 民生用電子機器におけるTFET需要の拡大
3.4.2. 抑制要因
3.4.2.1. TFETデバイスの製造・開発における標準技術の不足
3.4.3. 機会
3.4.3.1. 自動車産業における新たなTFET技術への高い需要
3.5. 市場へのCOVID-19影響分析
第4章：製品タイプ別トンネル電界効果トランジスタ市場
4.1. 概要
4.1.1. 市場規模と予測
4.2. 横方向トンネル型
4.2.1. 主要市場動向、成長要因および機会
4.2.2. 地域別市場規模と予測
4.2.3. 国別市場シェア分析
4.3. 垂直トンネル効果
4.3.1. 主要市場動向、成長要因および機会
4.3.2. 地域別市場規模と予測
4.3.3. 国別市場シェア分析
第5章：エンドユーザー別トンネル型電界効果トランジスタ市場
5.1. 概要
5.1.1. 市場規模と予測
5.2. 民生用電子機器
5.2.1. 主要市場動向、成長要因および機会
5.2.2. 地域別市場規模と予測
5.2.3. 国別市場シェア分析
5.3. 自動車
5.3.1. 主要市場動向、成長要因および機会
5.3.2. 地域別市場規模と予測
5.3.3. 国別市場シェア分析
5.4. 産業用
5.4.1. 主要市場動向、成長要因および機会
5.4.2. 地域別市場規模と予測
5.4.3. 国別市場シェア分析
5.5. 航空宇宙・防衛分野
5.5.1. 主要市場動向、成長要因および機会
5.5.2. 地域別市場規模と予測
5.5.3. 国別市場シェア分析
5.6. その他分野
5.6.1. 主要市場動向、成長要因および機会
5.6.2. 地域別市場規模と予測
5.6.3. 国別市場シェア分析
第6章：地域別トンネル型電界効果トランジスタ市場
6.1. 概要
6.1.1. 地域別市場規模と予測
6.2. 北米
6.2.1. 主要動向と機会
6.2.2. 製品タイプ別市場規模と予測
6.2.3. エンドユーザー別市場規模と予測
6.2.4. 国別市場規模と予測
6.2.4.1. 米国
6.2.4.1.1. 主要市場動向、成長要因および機会
6.2.4.1.2. 製品タイプ別市場規模と予測
6.2.4.1.3. エンドユーザー別市場規模と予測
6.2.4.2. カナダ
6.2.4.2.1. 主要市場動向、成長要因および機会
6.2.4.2.2. 製品タイプ別市場規模と予測
6.2.4.2.3. エンドユーザー別市場規模と予測
6.2.4.3. メキシコ
6.2.4.3.1. 主要市場動向、成長要因および機会
6.2.4.3.2. 製品タイプ別市場規模と予測
6.2.4.3.3. エンドユーザー別市場規模と予測
6.3. ヨーロッパ
6.3.1. 主要動向と機会
6.3.2. 製品タイプ別市場規模と予測
6.3.3. エンドユーザー別市場規模と予測
6.3.4. 国別市場規模と予測
6.3.4.1. イギリス
6.3.4.1.1. 主要市場動向、成長要因および機会
6.3.4.1.2. 製品タイプ別市場規模と予測
6.3.4.1.3. エンドユーザー別市場規模と予測
6.3.4.2. ドイツ
6.3.4.2.1. 主要市場動向、成長要因および機会
6.3.4.2.2. 製品タイプ別市場規模と予測
6.3.4.2.3. エンドユーザー別市場規模と予測
6.3.4.3. フランス
6.3.4.3.1. 主要市場動向、成長要因および機会
6.3.4.3.2. 製品タイプ別市場規模と予測
6.3.4.3.3. エンドユーザー別市場規模と予測
6.3.4.4. その他の欧州地域
6.3.4.4.1. 主要市場動向、成長要因および機会
6.3.4.4.2. 製品タイプ別市場規模と予測
6.3.4.4.3. エンドユーザー別市場規模と予測
6.4. アジア太平洋地域
6.4.1. 主要トレンドと機会
6.4.2. 製品タイプ別市場規模と予測
6.4.3. エンドユーザー別市場規模と予測
6.4.4. 国別市場規模と予測
6.4.4.1. 中国
6.4.4.1.1. 主要市場動向、成長要因および機会
6.4.4.1.2. 製品タイプ別市場規模と予測
6.4.4.1.3. エンドユーザー別市場規模と予測
6.4.4.2. 日本
6.4.4.2.1. 主要市場動向、成長要因および機会
6.4.4.2.2. 製品タイプ別市場規模と予測
6.4.4.2.3. エンドユーザー別市場規模と予測
6.4.4.3. インド
6.4.4.3.1. 主要市場動向、成長要因および機会
6.4.4.3.2. 製品タイプ別市場規模と予測
6.4.4.3.3. エンドユーザー別市場規模と予測
6.4.4.4. アジア太平洋地域その他
6.4.4.4.1. 主要市場動向、成長要因および機会
6.4.4.4.2. 製品タイプ別市場規模と予測
6.4.4.4.3. エンドユーザー別市場規模と予測
6.5. LAMEA地域
6.5.1. 主要トレンドと機会
6.5.2. 製品タイプ別市場規模と予測
6.5.3. エンドユーザー別市場規模と予測
6.5.4. 国別市場規模と予測
6.5.4.1. ラテンアメリカ
6.5.4.1.1. 主要市場動向、成長要因および機会
6.5.4.1.2. 製品タイプ別市場規模と予測
6.5.4.1.3. エンドユーザー別市場規模と予測
6.5.4.2. 中東
6.5.4.2.1. 主要市場動向、成長要因および機会
6.5.4.2.2. 製品タイプ別市場規模と予測
6.5.4.2.3. エンドユーザー別市場規模と予測
6.5.4.3. アフリカ
6.5.4.3.1. 主要市場動向、成長要因および機会
6.5.4.3.2. 製品タイプ別市場規模と予測
6.5.4.3.3. エンドユーザー別市場規模と予測
第7章：競争環境
7.1. はじめに
7.2. 主要な成功戦略
7.3. トップ10企業の製品マッピング
7.4. 競争ダッシュボード
7.5. 競争ヒートマップ
7.6. 主要プレイヤーのポジショニング（2021年）
第8章：企業プロファイル
8.1. STマイクロエレクトロニクス
8.1.1. 会社概要
8.1.2. 主要幹部
8.1.3. 企業概要
8.1.4. 事業セグメント
8.1.5. 製品ポートフォリオ
8.1.6. 業績動向
8.1.7. 主要戦略的動向と開発
8.2. インフィニオン・テクノロジーズ
8.2.1. 会社概要
8.2.2. 主要幹部
8.2.3. 会社概要
8.2.4. 事業セグメント
8.2.5. 製品ポートフォリオ
8.2.6. 業績動向
8.2.7. 主要な戦略的動向と展開
8.3. テキサス・インスツルメンツ社
8.3.1. 会社概要
8.3.2. 主要幹部
8.3.3. 会社概要
8.3.4. 事業セグメント
8.3.5. 製品ポートフォリオ
8.3.6. 業績動向
8.3.7. 主要な戦略的動向と展開
8.4. アバゴ・テクノロジーズ（ブロードコム社）
8.4.1. 会社概要
8.4.2. 主要幹部
8.4.3. 会社概要
8.4.4. 事業セグメント
8.4.5. 製品ポートフォリオ
8.4.6. 業績動向
8.4.7. 主要な戦略的動向と展開
8.5. フォーカス・マイクロウェーブズ
8.5.1. 会社概要
8.5.2. 主要幹部
8.5.3. 会社概要
8.5.4. 事業セグメント
8.5.5. 製品ポートフォリオ
8.6. アドバンスト・リニア・デバイス社
8.6.1. 会社概要
8.6.2. 主要幹部
8.6.3. 会社概要
8.6.4. 事業セグメント
8.6.5. 製品ポートフォリオ
8.7. Qorvo, Inc
8.7.1. 会社概要
8.7.2. 主要幹部
8.7.3. 会社概要
8.7.4. 事業セグメント
8.7.5. 製品ポートフォリオ
8.7.6. 業績
8.8. Axcera
8.8.1. 会社概要
8.8.2. 主要幹部
8.8.3. 会社概要
8.8.4. 事業セグメント
8.8.5. 製品ポートフォリオ
8.9. Deveo Oy
8.9.1. 会社概要
8.9.2. 主要幹部
8.9.3. 会社概要
8.9.4. 事業セグメント
8.9.5. 製品ポートフォリオ
8.10. フェアチャイルド・セミコンダクター・インターナショナル社
8.10.1. 会社概要
8.10.2. 主要幹部
8.10.3. 会社概要
8.10.4. 事業セグメント
8.10.5. 製品ポートフォリオ
8.10.6. 業績動向
8.10.7. 主要な戦略的動向と展開
| ※参考情報 トンネル電界効果トランジスタ（TFET）は、次世代のトランジスタ技術の一つであり、低消費電力を実現するために注目されています。従来のMOSFET（メタル-酸化物-半導体フィールド効果トランジスタ）とは異なる動作原理を持ち、主にトンネル効果を利用しています。トンネル効果とは、量子力学的な現象で、粒子がエネルギー障壁を越える際に、通常のクラシカルな物理法則に従わずに障壁を「トンネル」することを指します。この特性により、TFETは低いバイアスで動作し、高いスイッチング速度を持つことができます。 TFETの主な構成要素は、ソース、ドレイン、ゲートと呼ばれる三つの端子で構成されています。ソースからドレインへの電流の流れは、ゲート電圧によって制御されます。TFETでは、ゲート電圧がトンネル効果を促進するため、制御が非常に効率的で、従来のトランジスタに比べてより高いオンオフ比を実現することが可能です。 TFETにはいくつかの種類があります。最も一般的なものには、p型とn型と呼ばれる二つの基本的な типовがあります。p型TFETはp型半導体がソースに用いられ、n型半導体がドレインに使われます。逆に、n型TFETではn型半導体がソースに、p型半導体がドレインに使用されます。また、TFETは様々な構造が提案されており、例えば、バルクTFET、ナノワイヤTFET、薄膜TFETなどがあります。これらの構造は、異なる特性や性能を持ち、用途に応じて選択されます。 TFETの主な用途は、超低消費電力のデジタル回路やアナログ回路において威力を発揮します。特に、モバイルデバイスやウェアラブルデバイス、IoTデバイスなどの分野で、その低消費電力特性が求められています。また、量子コンピューティングや高度な計算を行うためのハードウェアにおいても、TFETの利用が期待されています。さらに、TFETは高周波回路やRF回路にも対応できる可能性があり、これにより通信技術の進化にも寄与するでしょう。 関連技術としては、フィルムトランジスタ、メモリデバイス、センサー技術などが挙げられます。特に、TFETはメモリ技術においても、データストレージソリューションに適用される可能性があります。例えば、次世代のフラッシュメモリやキャパシタ型メモリ技術と組み合わせることで、さらなる性能向上と省エネルギーを図ることができるでしょう。 TFETは、現在も活発な研究が行われている分野であり、将来的なトランジスタ技術の進化において重要な課題である製造プロセスや材料選定が鍵となります。シリコン以外の材料、例えばグラフェンや二次元材料を使用したTFETの研究も進行中で、これによりさらなる性能向上が期待されています。 このように、トンネル電界効果トランジスタは次世代の低消費電力デバイスとしての可能性を秘めており、様々な応用分野での活躍が期待されています。今後の技術進化により、より効率的な電子デバイスの実現が進むことでしょう。TFETは、新たな電子工学の挑戦として多くの研究者やエンジニアの関心を集めています。 |
