1 当調査分析レポートの紹介
・窒化ガリウム（GaN）半導体デバイス（ディスクリート＆IC）・基板ウェーハ市場の定義
・市場セグメント
タイプ別：ディスクリート＆IC、基板ウェーハ
用途別：工業＆電力、通信インフラ
・世界の窒化ガリウム（GaN）半導体デバイス（ディスクリート＆IC）・基板ウェーハ市場概観
・本レポートの特徴とメリット
・調査方法と情報源
調査方法
調査プロセス
基準年
レポートの前提条件と注意点
2 窒化ガリウム（GaN）半導体デバイス（ディスクリート＆IC）・基板ウェーハの世界市場規模
・窒化ガリウム（GaN）半導体デバイス（ディスクリート＆IC）・基板ウェーハの世界市場規模：2023年VS2030年
・窒化ガリウム（GaN）半導体デバイス（ディスクリート＆IC）・基板ウェーハのグローバル売上高、展望、予測：2019年～2030年
・窒化ガリウム（GaN）半導体デバイス（ディスクリート＆IC）・基板ウェーハのグローバル売上高：2019年～2030年
3 企業の概況
・グローバル市場における窒化ガリウム（GaN）半導体デバイス（ディスクリート＆IC）・基板ウェーハ上位企業
・グローバル市場における窒化ガリウム（GaN）半導体デバイス（ディスクリート＆IC）・基板ウェーハの売上高上位企業ランキング
・グローバル市場における窒化ガリウム（GaN）半導体デバイス（ディスクリート＆IC）・基板ウェーハの企業別売上高ランキング
・世界の企業別窒化ガリウム（GaN）半導体デバイス（ディスクリート＆IC）・基板ウェーハの売上高
・世界の窒化ガリウム（GaN）半導体デバイス（ディスクリート＆IC）・基板ウェーハのメーカー別価格（2019年～2024年）
・グローバル市場における窒化ガリウム（GaN）半導体デバイス（ディスクリート＆IC）・基板ウェーハの売上高上位3社および上位5社、2023年
・グローバル主要メーカーの窒化ガリウム（GaN）半導体デバイス（ディスクリート＆IC）・基板ウェーハの製品タイプ
・グローバル市場における窒化ガリウム（GaN）半導体デバイス（ディスクリート＆IC）・基板ウェーハのティア1、ティア2、ティア3メーカー
グローバル窒化ガリウム（GaN）半導体デバイス（ディスクリート＆IC）・基板ウェーハのティア1企業リスト
グローバル窒化ガリウム（GaN）半導体デバイス（ディスクリート＆IC）・基板ウェーハのティア2、ティア3企業リスト
4 製品タイプ別分析
・概要
タイプ別 – 窒化ガリウム（GaN）半導体デバイス（ディスクリート＆IC）・基板ウェーハの世界市場規模、2023年・2030年
ディスクリート＆IC、基板ウェーハ
・タイプ別 – 窒化ガリウム（GaN）半導体デバイス（ディスクリート＆IC）・基板ウェーハのグローバル売上高と予測
タイプ別 – 窒化ガリウム（GaN）半導体デバイス（ディスクリート＆IC）・基板ウェーハのグローバル売上高、2019年～2024年
タイプ別 – 窒化ガリウム（GaN）半導体デバイス（ディスクリート＆IC）・基板ウェーハのグローバル売上高、2025年～2030年
タイプ別-窒化ガリウム（GaN）半導体デバイス（ディスクリート＆IC）・基板ウェーハの売上高シェア、2019年～2030年
・タイプ別 – 窒化ガリウム（GaN）半導体デバイス（ディスクリート＆IC）・基板ウェーハの価格（メーカー販売価格）、2019年～2030年
5 用途別分析
・概要
用途別 – 窒化ガリウム（GaN）半導体デバイス（ディスクリート＆IC）・基板ウェーハの世界市場規模、2023年・2030年
工業＆電力、通信インフラ
・用途別 – 窒化ガリウム（GaN）半導体デバイス（ディスクリート＆IC）・基板ウェーハのグローバル売上高と予測
用途別 – 窒化ガリウム（GaN）半導体デバイス（ディスクリート＆IC）・基板ウェーハのグローバル売上高、2019年～2024年
用途別 – 窒化ガリウム（GaN）半導体デバイス（ディスクリート＆IC）・基板ウェーハのグローバル売上高、2025年～2030年
用途別 – 窒化ガリウム（GaN）半導体デバイス（ディスクリート＆IC）・基板ウェーハのグローバル売上高シェア、2019年～2030年
・用途別 – 窒化ガリウム（GaN）半導体デバイス（ディスクリート＆IC）・基板ウェーハの価格（メーカー販売価格）、2019年～2030年
6 地域別分析
・地域別 – 窒化ガリウム（GaN）半導体デバイス（ディスクリート＆IC）・基板ウェーハの市場規模、2023年・2030年
・地域別 – 窒化ガリウム（GaN）半導体デバイス（ディスクリート＆IC）・基板ウェーハの売上高と予測
地域別 – 窒化ガリウム（GaN）半導体デバイス（ディスクリート＆IC）・基板ウェーハの売上高、2019年～2024年
地域別 – 窒化ガリウム（GaN）半導体デバイス（ディスクリート＆IC）・基板ウェーハの売上高、2025年～2030年
地域別 – 窒化ガリウム（GaN）半導体デバイス（ディスクリート＆IC）・基板ウェーハの売上高シェア、2019年～2030年
・北米
北米の窒化ガリウム（GaN）半導体デバイス（ディスクリート＆IC）・基板ウェーハ売上高・販売量、2019年～2030年
米国の窒化ガリウム（GaN）半導体デバイス（ディスクリート＆IC）・基板ウェーハ市場規模、2019年～2030年
カナダの窒化ガリウム（GaN）半導体デバイス（ディスクリート＆IC）・基板ウェーハ市場規模、2019年～2030年
メキシコの窒化ガリウム（GaN）半導体デバイス（ディスクリート＆IC）・基板ウェーハ市場規模、2019年～2030年
・ヨーロッパ
ヨーロッパの窒化ガリウム（GaN）半導体デバイス（ディスクリート＆IC）・基板ウェーハ売上高・販売量、2019年〜2030年
ドイツの窒化ガリウム（GaN）半導体デバイス（ディスクリート＆IC）・基板ウェーハ市場規模、2019年～2030年
フランスの窒化ガリウム（GaN）半導体デバイス（ディスクリート＆IC）・基板ウェーハ市場規模、2019年～2030年
イギリスの窒化ガリウム（GaN）半導体デバイス（ディスクリート＆IC）・基板ウェーハ市場規模、2019年～2030年
イタリアの窒化ガリウム（GaN）半導体デバイス（ディスクリート＆IC）・基板ウェーハ市場規模、2019年～2030年
ロシアの窒化ガリウム（GaN）半導体デバイス（ディスクリート＆IC）・基板ウェーハ市場規模、2019年～2030年
・アジア
アジアの窒化ガリウム（GaN）半導体デバイス（ディスクリート＆IC）・基板ウェーハ売上高・販売量、2019年～2030年
中国の窒化ガリウム（GaN）半導体デバイス（ディスクリート＆IC）・基板ウェーハ市場規模、2019年～2030年
日本の窒化ガリウム（GaN）半導体デバイス（ディスクリート＆IC）・基板ウェーハ市場規模、2019年～2030年
韓国の窒化ガリウム（GaN）半導体デバイス（ディスクリート＆IC）・基板ウェーハ市場規模、2019年～2030年
東南アジアの窒化ガリウム（GaN）半導体デバイス（ディスクリート＆IC）・基板ウェーハ市場規模、2019年～2030年
インドの窒化ガリウム（GaN）半導体デバイス（ディスクリート＆IC）・基板ウェーハ市場規模、2019年～2030年
・南米
南米の窒化ガリウム（GaN）半導体デバイス（ディスクリート＆IC）・基板ウェーハ売上高・販売量、2019年～2030年
ブラジルの窒化ガリウム（GaN）半導体デバイス（ディスクリート＆IC）・基板ウェーハ市場規模、2019年～2030年
アルゼンチンの窒化ガリウム（GaN）半導体デバイス（ディスクリート＆IC）・基板ウェーハ市場規模、2019年～2030年
・中東・アフリカ
中東・アフリカの窒化ガリウム（GaN）半導体デバイス（ディスクリート＆IC）・基板ウェーハ売上高・販売量、2019年～2030年
トルコの窒化ガリウム（GaN）半導体デバイス（ディスクリート＆IC）・基板ウェーハ市場規模、2019年～2030年
イスラエルの窒化ガリウム（GaN）半導体デバイス（ディスクリート＆IC）・基板ウェーハ市場規模、2019年～2030年
サウジアラビアの窒化ガリウム（GaN）半導体デバイス（ディスクリート＆IC）・基板ウェーハ市場規模、2019年～2030年
UAE窒化ガリウム（GaN）半導体デバイス（ディスクリート＆IC）・基板ウェーハの市場規模、2019年～2030年
7 主要メーカーのプロフィール
※掲載企業：Aixtron、Azzurro Semiconductors、Cree、Epigan、Fujitsu、International Quantum Epitaxy (IQE)?、Koninklijke Philips、Mitsubishi Chemical、Nippon Telegraph & Telephone、RF Micro Devices、Texas Instruments、Toshiba
・Company A
Company Aの会社概要
Company Aの事業概要
Company Aの窒化ガリウム（GaN）半導体デバイス（ディスクリート＆IC）・基板ウェーハの主要製品
Company Aの窒化ガリウム（GaN）半導体デバイス（ディスクリート＆IC）・基板ウェーハのグローバル販売量・売上
Company Aの主要ニュース＆最新動向
・Company B
Company Bの会社概要
Company Bの事業概要
Company Bの窒化ガリウム（GaN）半導体デバイス（ディスクリート＆IC）・基板ウェーハの主要製品
Company Bの窒化ガリウム（GaN）半導体デバイス（ディスクリート＆IC）・基板ウェーハのグローバル販売量・売上
Company Bの主要ニュース＆最新動向
…
…
8 世界の窒化ガリウム（GaN）半導体デバイス（ディスクリート＆IC）・基板ウェーハ生産能力分析
・世界の窒化ガリウム（GaN）半導体デバイス（ディスクリート＆IC）・基板ウェーハ生産能力
・グローバルにおける主要メーカーの窒化ガリウム（GaN）半導体デバイス（ディスクリート＆IC）・基板ウェーハ生産能力
・グローバルにおける窒化ガリウム（GaN）半導体デバイス（ディスクリート＆IC）・基板ウェーハの地域別生産量
9 主な市場動向、機会、促進要因、抑制要因
・市場の機会と動向
・市場の促進要因
・市場の抑制要因
10 窒化ガリウム（GaN）半導体デバイス（ディスクリート＆IC）・基板ウェーハのサプライチェーン分析
・窒化ガリウム（GaN）半導体デバイス（ディスクリート＆IC）・基板ウェーハ産業のバリューチェーン
・窒化ガリウム（GaN）半導体デバイス（ディスクリート＆IC）・基板ウェーハの上流市場
・窒化ガリウム（GaN）半導体デバイス（ディスクリート＆IC）・基板ウェーハの下流市場と顧客リスト
・マーケティングチャネル分析
マーケティングチャネル
世界の窒化ガリウム（GaN）半導体デバイス（ディスクリート＆IC）・基板ウェーハの販売業者と販売代理店
11 まとめ
12 付録
・注記
・クライアントの例
・免責事項
・窒化ガリウム（GaN）半導体デバイス（ディスクリート＆IC）・基板ウェーハのタイプ別セグメント
・窒化ガリウム（GaN）半導体デバイス（ディスクリート＆IC）・基板ウェーハの用途別セグメント
・窒化ガリウム（GaN）半導体デバイス（ディスクリート＆IC）・基板ウェーハの世界市場概要、2023年
・主な注意点
・窒化ガリウム（GaN）半導体デバイス（ディスクリート＆IC）・基板ウェーハの世界市場規模：2023年VS2030年
・窒化ガリウム（GaN）半導体デバイス（ディスクリート＆IC）・基板ウェーハのグローバル売上高：2019年～2030年
・窒化ガリウム（GaN）半導体デバイス（ディスクリート＆IC）・基板ウェーハのグローバル販売量：2019年～2030年
・窒化ガリウム（GaN）半導体デバイス（ディスクリート＆IC）・基板ウェーハの売上高上位3社および5社の市場シェア、2023年
・タイプ別-窒化ガリウム（GaN）半導体デバイス（ディスクリート＆IC）・基板ウェーハのグローバル売上高
・タイプ別-窒化ガリウム（GaN）半導体デバイス（ディスクリート＆IC）・基板ウェーハのグローバル売上高シェア、2019年～2030年
・タイプ別-窒化ガリウム（GaN）半導体デバイス（ディスクリート＆IC）・基板ウェーハのグローバル売上高シェア、2019年～2030年
・タイプ別-窒化ガリウム（GaN）半導体デバイス（ディスクリート＆IC）・基板ウェーハのグローバル価格
・用途別-窒化ガリウム（GaN）半導体デバイス（ディスクリート＆IC）・基板ウェーハのグローバル売上高
・用途別-窒化ガリウム（GaN）半導体デバイス（ディスクリート＆IC）・基板ウェーハのグローバル売上高シェア、2019年～2030年
・用途別-窒化ガリウム（GaN）半導体デバイス（ディスクリート＆IC）・基板ウェーハのグローバル売上高シェア、2019年～2030年
・用途別-窒化ガリウム（GaN）半導体デバイス（ディスクリート＆IC）・基板ウェーハのグローバル価格
・地域別-窒化ガリウム（GaN）半導体デバイス（ディスクリート＆IC）・基板ウェーハのグローバル売上高、2023年・2030年
・地域別-窒化ガリウム（GaN）半導体デバイス（ディスクリート＆IC）・基板ウェーハのグローバル売上高シェア、2019年 VS 2023年 VS 2030年
・地域別-窒化ガリウム（GaN）半導体デバイス（ディスクリート＆IC）・基板ウェーハのグローバル売上高シェア、2019年～2030年
・国別-北米の窒化ガリウム（GaN）半導体デバイス（ディスクリート＆IC）・基板ウェーハ市場シェア、2019年～2030年
・米国の窒化ガリウム（GaN）半導体デバイス（ディスクリート＆IC）・基板ウェーハの売上高
・カナダの窒化ガリウム（GaN）半導体デバイス（ディスクリート＆IC）・基板ウェーハの売上高
・メキシコの窒化ガリウム（GaN）半導体デバイス（ディスクリート＆IC）・基板ウェーハの売上高
・国別-ヨーロッパの窒化ガリウム（GaN）半導体デバイス（ディスクリート＆IC）・基板ウェーハ市場シェア、2019年～2030年
・ドイツの窒化ガリウム（GaN）半導体デバイス（ディスクリート＆IC）・基板ウェーハの売上高
・フランスの窒化ガリウム（GaN）半導体デバイス（ディスクリート＆IC）・基板ウェーハの売上高
・英国の窒化ガリウム（GaN）半導体デバイス（ディスクリート＆IC）・基板ウェーハの売上高
・イタリアの窒化ガリウム（GaN）半導体デバイス（ディスクリート＆IC）・基板ウェーハの売上高
・ロシアの窒化ガリウム（GaN）半導体デバイス（ディスクリート＆IC）・基板ウェーハの売上高
・地域別-アジアの窒化ガリウム（GaN）半導体デバイス（ディスクリート＆IC）・基板ウェーハ市場シェア、2019年～2030年
・中国の窒化ガリウム（GaN）半導体デバイス（ディスクリート＆IC）・基板ウェーハの売上高
・日本の窒化ガリウム（GaN）半導体デバイス（ディスクリート＆IC）・基板ウェーハの売上高
・韓国の窒化ガリウム（GaN）半導体デバイス（ディスクリート＆IC）・基板ウェーハの売上高
・東南アジアの窒化ガリウム（GaN）半導体デバイス（ディスクリート＆IC）・基板ウェーハの売上高
・インドの窒化ガリウム（GaN）半導体デバイス（ディスクリート＆IC）・基板ウェーハの売上高
・国別-南米の窒化ガリウム（GaN）半導体デバイス（ディスクリート＆IC）・基板ウェーハ市場シェア、2019年～2030年
・ブラジルの窒化ガリウム（GaN）半導体デバイス（ディスクリート＆IC）・基板ウェーハの売上高
・アルゼンチンの窒化ガリウム（GaN）半導体デバイス（ディスクリート＆IC）・基板ウェーハの売上高
・国別-中東・アフリカ窒化ガリウム（GaN）半導体デバイス（ディスクリート＆IC）・基板ウェーハ市場シェア、2019年～2030年
・トルコの窒化ガリウム（GaN）半導体デバイス（ディスクリート＆IC）・基板ウェーハの売上高
・イスラエルの窒化ガリウム（GaN）半導体デバイス（ディスクリート＆IC）・基板ウェーハの売上高
・サウジアラビアの窒化ガリウム（GaN）半導体デバイス（ディスクリート＆IC）・基板ウェーハの売上高
・UAEの窒化ガリウム（GaN）半導体デバイス（ディスクリート＆IC）・基板ウェーハの売上高
・世界の窒化ガリウム（GaN）半導体デバイス（ディスクリート＆IC）・基板ウェーハの生産能力
・地域別窒化ガリウム（GaN）半導体デバイス（ディスクリート＆IC）・基板ウェーハの生産割合（2023年対2030年）
・窒化ガリウム（GaN）半導体デバイス（ディスクリート＆IC）・基板ウェーハ産業のバリューチェーン
・マーケティングチャネル
| ※参考情報 窒化ガリウム（GaN）半導体デバイスは、電子工学の分野において非常に注目されている材料の一つです。GaNは、広帯域ギャップ半導体として知られ、その特性により高効率な電子デバイスの実現が可能となります。まず、GaNの基本的な概念から始め、その特徴、種類、用途、関連技術について詳しく解説いたします。 GaNは、化学式GaNで表される化合物半導体であり、ガリウムと窒素から構成されています。この材料は、砒化ガリウム（GaAs）やシリコン（Si）などの他の半導体材料に比べてより高いエネルギーバンドギャップを持つため、高温、高電圧、高周波特性に優れています。このため、GaNはパワーエレクトロニクスやRF（無線周波数）アプリケーションにおいて非常に有望な材料として位置づけられています。 GaNの主な特徴には、高効率、高出力密度、優れた熱伝導性、及び広いバンドギャップなどが挙げられます。これらの特性は、高周波デバイスやパワーエレクトロニクスの性能を大幅に向上させる要因となります。また、GaNデバイスは、特に電力変換や無線通信の分野で、その小型化と軽量化が求められる現代の技術ニーズに応えるための重要な選択肢です。 GaN半導体デバイスは、ディスクリートデバイスとIC（集積回路）の2つの主要なタイプに分けられます。ディスクリートデバイスは、単体で機能する半導体素子であり、トランジスタやダイオードといった形態があります。これらは特に高電圧・高電流のアプリケーションで使用され、電源供給装置やモーターコントロールに広く利用されています。例えば、GaNトランジスタは、スイッチング速度が速く、効率的な電力変換を実現するため、家庭用電化製品や工業用機器において、その重要な役割を果たしています。 一方、GaN ICは、複数の機能を集積したデバイスであり、通常はデジタル信号処理や無線通信に利用されます。これらのICは、特に通信システムにおいて、信号の送信や受信において重要な役割を果たすため、GaNの特性を活かして高出力、高効率の動作を実現することが期待されています。例えば、GaNベースのパワーアンプは、4Gや5G通信システムで用いられ、より高い通信速度と容量を実現するための鍵となっています。 GaNデバイスの用途は非常に広範囲にわたります。パワーエレクトロニクス分野では、電源供給装置、変換器、インバータなど、エネルギー効率を向上させる装置において利用されます。特に、電気自動車や再生可能エネルギーシステム（太陽光発電や風力発電など）の普及に伴い、GaNデバイスの需要は急速に増加しています。また、通信分野では、移動体通信や衛星通信、レーダーシステムにおいて、高出力のトランシーバーやアンプとして利用され、無線技術の進化に寄与しています。 GaN基板ウェーハも重要な要素です。GaN基板は、その高性能特性を活かすために必要不可欠です。従来、GaNデバイスはサファイア基板やシリコン基板上に成長されてきましたが、最近では自由結晶GaN基板やSiC（シリコンカーバイド）基板の開発も進んでいます。これにより、デバイスの性能向上や製造コストの削減が期待されます。基板の選択は、デバイスの効率や発熱特性に大きく影響するため、研究開発が盛んに行われています。 更に、GaN技術に関連する技術分野も注目されています。例えば、フィルム成長技術やエピタキシャル成長技術は、GaNデバイスの性能を向上させるために不可欠な技術です。また、製造プロセスの最適化やデバイス設計の進化も、GaN技術の進展に寄与しています。このような技術的な進展により、GaNデバイスはますます高性能化し、幅広いアプリケーションにおいて利用されるようになるでしょう。 今後の展望として、GaN半導体デバイスは、より高度なエネルギー管理を求める中でその重要性が増していくと考えられます。特に、持続可能なエネルギーの取得や効率的な電力管理において、GaN技術は中心的な役割を果たす幸い得るでしょう。また、通信技術の進化、特に5Gや将来の6G通信システムにおいて、GaNデバイスはその高速データ伝送能力を活かし、あらゆる分野での応用が期待されます。 総じて、窒化ガリウム（GaN）半導体デバイスは、優れた特性と幅広い応用範囲を持つ材料であり、未来の技術革新に不可欠な要素となっています。これからも研究と開発が進む中で、GaNデバイスはますます多様な分野での利用が進むことでしょう。 |
