第1章：はじめに
1.1.レポート概要
1.2.主要市場セグメント
1.3.ステークホルダーへの主な利点
1.4.調査方法論
1.4.1.二次調査
1.4.2.一次調査
1.4.3.アナリストツールとモデル
第2章：エグゼクティブサマリー
2.1.調査の主な結果
2.2.CXOの視点
第3章：市場概要
3.1.市場定義と範囲
3.2.主な調査結果
3.2.1.主要投資分野
3.3.ポーターの5つの力分析
3.4.市場動向
3.4.1.推進要因
3.4.1.1. 電気機器・機械への依存度増加
3.4.1.2. 省電力化の重要性増大
3.4.1.3. 高電圧動作装置の需要拡大
3.4.2.抑制要因
3.4.2.1. 運用上の制約と高コスト
3.4.3.機会
3.4.3.1. HVDCおよびスマートグリッド構築に向けた政府主導の取り組みの増加
3.5.市場に対するCOVID-19の影響分析
第4章：IGBTおよびスーパージャンクションMOSFET市場（タイプ別）
4.1 概要
4.1.1 市場規模と予測
4.2. IGBT
4.2.1 主要市場動向、成長要因および機会
4.2.2 地域別市場規模と予測
4.2.3 国別市場シェア分析
4.2.4 IGBT別IGBTおよびスーパージャンクションMOSFET市場
4.2.4.1 ディスクリートIGBTの市場規模と予測（地域別）
4.2.4.2 ディスクリートIGBTの市場規模と予測（国別）
4.2.4.3 IGBTモジュールの市場規模と予測（地域別）
4.2.4.4 IGBTモジュール市場規模と予測（国別）
4.3. スーパージャンクションMOSFET
4.3.1 主要市場動向、成長要因および機会
4.3.2 地域別市場規模と予測
4.3.3 国別市場シェア分析
第5章：IGBTおよびスーパージャンクションMOSFET市場、用途別
5.1 概要
5.1.1 市場規模と予測
5.2 エネルギー・電力
5.2.1 主要市場動向、成長要因および機会
5.2.2 地域別市場規模と予測
5.2.3 国別市場シェア分析
5.3. 民生用電子機器
5.3.1 主要市場動向、成長要因および機会
5.3.2 地域別市場規模と予測
5.3.3 国別市場シェア分析
5.4. インバーターおよびUPS
5.4.1 主要市場動向、成長要因および機会
5.4.2 地域別市場規模と予測
5.4.3 国別市場シェア分析
5.5. 電気自動車
5.5.1 主要市場動向、成長要因および機会
5.5.2 地域別市場規模と予測
5.5.3 国別市場シェア分析
5.6. 産業システム
5.6.1 主要市場動向、成長要因および機会
5.6.2 地域別市場規模と予測
5.6.3 国別市場シェア分析
5.7. その他
5.7.1 主要市場動向、成長要因および機会
5.7.2 地域別市場規模と予測
5.7.3 国別市場シェア分析
第6章：IGBTおよびスーパージャンクションMOSFET市場（地域別）
6.1 概要
6.1.1 市場規模と予測
6.2 北米
6.2.1 主要動向と機会
6.2.2 北米市場規模と予測（タイプ別）
6.2.2.1 北米IGBTおよびスーパージャンクションMOSFET市場（IGBT別）
6.2.3 北米市場規模と予測（用途別）
6.2.4 北米市場規模と予測（国別）
6.2.4.1 米国
6.2.4.1.1 主要市場動向、成長要因および機会
6.2.4.1.2 タイプ別市場規模と予測
6.2.4.1.2.1 米国IGBTおよびスーパージャンクションMOSFET市場（IGBT別）
6.2.4.1.3 用途別市場規模と予測
6.2.4.2 カナダ
6.2.4.2.1 主要市場動向、成長要因および機会
6.2.4.2.2 タイプ別市場規模と予測
6.2.4.2.2.1 カナダ IGBT およびスーパージャンクションMOSFET市場（IGBT別）
6.2.4.2.3 用途別市場規模と予測
6.2.4.3 メキシコ
6.2.4.3.1 主要市場動向、成長要因および機会
6.2.4.3.2 タイプ別市場規模と予測
6.2.4.3.2.1 メキシコIGBTおよびスーパージャンクションMOSFET市場（IGBT別）
6.2.4.3.3 用途別市場規模と予測
6.3 ヨーロッパ
6.3.1 主要動向と機会
6.3.2 ヨーロッパ市場規模と予測（タイプ別）
6.3.2.1 欧州IGBTおよびスーパージャンクションMOSFET市場（IGBT別）
6.3.3 欧州市場規模と予測（用途別）
6.3.4 欧州市場規模と予測（国別）
6.3.4.1 イギリス
6.3.4.1.1 主要市場動向、成長要因および機会
6.3.4.1.2 市場規模と予測（タイプ別）
6.3.4.1.2.1 イギリスにおけるIGBTおよびスーパージャンクションMOSFET市場（IGBT別）
6.3.4.1.3 用途別市場規模と予測
6.3.4.2 ドイツ
6.3.4.2.1 主要市場動向、成長要因および機会
6.3.4.2.2 タイプ別市場規模と予測
6.3.4.2.2.1 ドイツIGBT市場：IGBTおよびスーパージャンクションMOSFET別
6.3.4.2.3 用途別市場規模と予測
6.3.4.3 フランス
6.3.4.3.1 主要市場動向、成長要因および機会
6.3.4.3.2 タイプ別市場規模と予測
6.3.4.3.2.1 フランスにおけるIGBTおよびスーパージャンクションMOSFET市場（IGBT別）
6.3.4.3.3 用途別市場規模と予測
6.3.4.4 その他の欧州地域
6.3.4.4.1 主要市場動向、成長要因および機会
6.3.4.4.2 タイプ別市場規模と予測
6.3.4.4.2.1 その他の欧州地域におけるIGBTおよびスーパージャンクションMOSFET市場（IGBT別）
6.3.4.4.3 用途別市場規模と予測
6.4 アジア太平洋地域
6.4.1 主要動向と機会
6.4.2 アジア太平洋地域 タイプ別市場規模と予測
6.4.2.1 アジア太平洋地域におけるIGBTおよびスーパージャンクションMOSFET市場（IGBT別）
6.4.3 アジア太平洋地域における市場規模と予測（用途別）
6.4.4 アジア太平洋地域における市場規模と予測（国別）
6.4.4.1 中国
6.4.4.1.1 主要市場動向、成長要因および機会
6.4.4.1.2 タイプ別市場規模と予測
6.4.4.1.2.1 中国IGBTおよびスーパージャンクションMOSFET市場（IGBT別）
6.4.4.1.3 用途別市場規模と予測
6.4.4.2 日本
6.4.4.2.1 主要市場動向、成長要因および機会
6.4.4.2.2 タイプ別市場規模と予測
6.4.4.2.2.1 日本IGBTおよびスーパージャンクションMOSFET市場（IGBT別）
6.4.4.2.3 用途別市場規模と予測
6.4.4.3 インド
6.4.4.3.1 主要市場動向、成長要因および機会
6.4.4.3.2 タイプ別市場規模と予測
6.4.4.3.2.1 IGBT別インドIGBTおよびスーパージャンクションMOSFET市場
6.4.4.3.3 用途別市場規模と予測
6.4.4.4 韓国
6.4.4.4.1 主要市場動向、成長要因および機会
6.4.4.4.2 タイプ別市場規模と予測
6.4.4.4.2.1 韓国IGBT IGBTおよびスーパージャンクションMOSFET市場（IGBT別）
6.4.4.4.3 用途別市場規模と予測
6.4.4.5 アジア太平洋地域その他
6.4.4.5.1 主要市場動向、成長要因および機会
6.4.4.5.2 タイプ別市場規模と予測
6.4.4.5.2.1 アジア太平洋地域（その他）IGBTおよびスーパージャンクションMOSFET市場（IGBT別）
6.4.4.5.3 用途別市場規模と予測
6.5 LAMEA地域
6.5.1 主要動向と機会
6.5.2 LAMEA地域 タイプ別市場規模と予測
6.5.2.1 ラテンアメリカ・中東・アフリカ（LAMEA）IGBTおよびスーパージャンクションMOSFET市場（IGBT別）
6.5.3 ラテンアメリカ・中東・アフリカ（LAMEA）市場規模と予測（用途別）
6.5.4 ラテンアメリカ・中東・アフリカ（LAMEA）市場規模と予測（国別）
6.5.4.1 ラテンアメリカ
6.5.4.1.1 主要市場動向、成長要因および機会
6.5.4.1.2 タイプ別市場規模と予測
6.5.4.1.2.1 ラテンアメリカ IGBT IGBT およびスーパージャンクションMOSFET市場（IGBT別）
6.5.4.1.3 用途別市場規模と予測
6.5.4.2 中東
6.5.4.2.1 主要市場動向、成長要因および機会
6.5.4.2.2 タイプ別市場規模と予測
6.5.4.2.2.1 中東 IGBT およびスーパージャンクションMOSFET市場（IGBT別）
6.5.4.2.3 用途別市場規模と予測
6.5.4.3 アフリカ
6.5.4.3.1 主要市場動向、成長要因および機会
6.5.4.3.2 タイプ別市場規模と予測
6.5.4.3.2.1 アフリカにおけるIGBTおよびスーパージャンクションMOSFET市場
6.5.4.3.3 用途別市場規模と予測
第7章：競争環境
7.1. はじめに
7.2. 主要な勝者戦略
7.3. トップ10企業の製品マッピング
7.4. 競争ダッシュボード
7.5. 競争ヒートマップ
7.6. 2021年における主要企業のポジショニング
第8章：企業プロファイル
8.1 ABB Ltd.
8.1.1 会社概要
8.1.2 主要幹部
8.1.3 会社スナップショット
8.1.4 事業セグメント
8.1.5 製品ポートフォリオ
8.1.6 事業実績
8.1.7 主要な戦略的動向と発展
8.2 インフィニオン・テクノロジーズAG
8.2.1 会社概要
8.2.2 主要幹部
8.2.3 会社概要
8.2.4 事業セグメント
8.2.5 製品ポートフォリオ
8.2.6 業績動向
8.2.7 主要な戦略的動向と展開
8.3 東芝株式会社
8.3.1 会社概要
8.3.2 主要幹部
8.3.3 会社概要
8.3.4 事業セグメント
8.3.5 製品ポートフォリオ
8.3.6 業績動向
8.3.7 主要な戦略的動向と進展
8.4 富士電機株式会社
8.4.1 会社概要
8.4.2 主要幹部
8.4.3 会社概要
8.4.4 事業セグメント
8.4.5 製品ポートフォリオ
8.4.6 業績動向
8.4.7 主要な戦略的施策と動向
8.5 ルネサス エレクトロニクス
8.5.1 会社概要
8.5.2 主要幹部
8.5.3 会社概要
8.5.4 事業セグメント
8.5.5 製品ポートフォリオ
8.5.6 業績動向
8.5.7 主要な戦略的動向と展開
8.6 NXPセミコンダクターズ
8.6.1 会社概要
8.6.2 主要幹部
8.6.3 会社概要
8.6.4 事業セグメント
8.6.5 製品ポートフォリオ
8.6.6 業績動向
8.6.7 主要な戦略的動向と展開
8.7 アイクシス株式会社
8.7.1 会社概要
8.7.2 主要幹部
8.7.3 会社概要
8.7.4 事業セグメント
8.7.5 製品ポートフォリオ
8.7.6 業績動向
8.7.7 主要な戦略的動向と展開
8.8 STマイクロエレクトロニクス
8.8.1 会社概要
8.8.2 主要幹部
8.8.3 会社概要
8.8.4 事業セグメント
8.8.5 製品ポートフォリオ
8.8.6 業績動向
8.8.7 主要な戦略的動向と展開
8.9 三菱電機株式会社
8.9.1 会社概要
8.9.2 主要幹部
8.9.3 会社概要
8.9.4 事業セグメント
8.9.5 製品ポートフォリオ
8.9.6 業績動向
8.9.7 主要な戦略的動向と展開
8.10 セミクロン・ダンフォス
8.10.1 会社概要
8.10.2 主要幹部
8.10.3 会社概要
8.10.4 事業セグメント
8.10.5 製品ポートフォリオ
8.10.6 業績動向
8.10.7 主要な戦略的動向と進展
| ※参考情報 IGBT（絶縁ゲートバイポーラトランジスタ）とスーパージャンクションMOSFET（スーパージャンクション金属酸化膜半導体電界効果トランジスタ）は、パワーエレクトロニクスにおいて重要な役割を果たすデバイスです。これらのデバイスは、高効率で高電力のスイッチングが必要とされるアプリケーションにおいて使用されます。 IGBTは、バイポーラトランジスタの特性とMOSFETの特性を組み合わせたデバイスです。IGBTは、高い電流および高い電圧を処理できるため、主にパワーエレクトロニクス回路においてスイッチング素子として使われます。IGBTは、オフ状態では非常に小さなゲート電流で制御できるため、効率的に動作します。また、高電流運転においても熱的安定性があり、電力損失が少ないという特長があります。これらの特性により、IGBTは産業用モーター制御、交流ドライブ、電力変換装置など、広範な用途で利用されています。 スーパージャンクションMOSFETは、通常のMOSFETと比較して大高効率で動作するために設計されたデバイスです。スーパージャンクション技術は、内部構造によってオン抵抗を低く抑え、高電圧領域におけるスイッチング損失を大幅に削減します。特に、スーパージャンクションは、逆バイアス耐性が高く、高いスイッチング速度を持つため、パワーエレクトロニクスの分野で非常に重要な要素となっています。このデバイスは、トップオブザラインの効率を提供するため、電源供給装置や電気自動車の充電器、再生可能エネルギーシステムなどで使用されています。 両者の主な違いは、動作原理にあります。IGBTは、バイポーラ効果を利用して大電流を扱うことができ、一方でスーパージャンクションMOSFETは、MOSFET特有の電界効果に基づいて動作します。一般的に、IGBTは低周波数アプリケーションに最適であり、スーパージャンクションMOSFETは高周波数でのスイッチングにより適しています。 これらのデバイスが注目される背景には、エネルギー効率の向上と省エネ技術の進展があります。特に、再生可能エネルギー源の導入が進む中で、効率的な電力変換や制御技術が求められています。IGBTやスーパージャンクションMOSFETは、その高効率性から、太陽光発電システムや風力発電システムにおけるインバータやコンバータに広く使用されるようになっています。 また、これらのデバイスの関連技術としては、冷却技術や駆動回路の設計、システム統合技術が挙げられます。パワーエレクトロニクスにおいて熱管理は非常に重要であり、適切な冷却技術がデバイスの性能と長寿命を確保するのに寄与します。また、駆動回路の設計も、効果的なスイッチングを実現するために重要です。さらに、デバイスの特性を最大限に活かすためのシステム統合が進むことで、より高効率でコンパクトなパワーエレクトロニクスシステムが実現されています。 近年、これらの技術は進化を続けており、次世代のパワーエレクトロニクスデバイスとしてシリコンカーバイド（SiC）やガリウムナイトライド（GaN）などのワイドギャップ半導体も登場しています。これにより、更なる効率向上や高温動作、高電圧耐性の要求にも応えることが可能になっています。 IGBTやスーパージャンクションMOSFETは、今後もパワーエレクトロニクスの中心的な技術として、様々な産業でのエネルギー効率向上やデジタル化の進展を支える存在であり続けるでしょう。これらの技術の進化がもたらす未来に期待が寄せられています。 |
