第1章：はじめに
1.1. レポート概要
1.2. 主要市場セグメント
1.3. ステークホルダーへの主な利点
1.4. 調査方法論
1.4.1. 一次調査
1.4.2. 二次調査
1.4.3. アナリストツールとモデル
第2章：エグゼクティブサマリー
2.1. CXOの視点
第3章：市場概要
3.1. 市場定義と範囲
3.2. 主な調査結果
3.2.1. 主要な影響要因
3.2.2. 主要な投資分野
3.3. ポーターの5つの力分析
3.3.1. 供給者の交渉力は中程度
3.3.2. 新規参入の脅威は高い
3.3.3. 代替品の脅威は中程度
3.3.4. 競合の激しさは中程度
3.3.5. 購入者の交渉力は高い
3.4. 市場ダイナミクス
3.4.1. 推進要因
3.4.1.1. 発電用太陽光パネルの利用増加
3.4.1.2. 様々な産業分野におけるパワーエレクトロニクスモジュールの需要急増
3.4.2. 抑制要因
3.4.2.1. SiC半導体技術革新における生産ネットワークと計画サイクルの複雑さ
3.4.3. 機会
3.4.3.1. 政府によるHVDC（高電圧直流送電）およびスマートグリッド構想
3.5. 市場に対するCOVID-19の影響分析
第4章：材料別グローバルパワー半導体市場
4.1. 概要
4.1.1. 市場規模と予測
4.2. SiC
4.2.1. 主要市場動向、成長要因および機会
4.2.2. 地域別市場規模と予測
4.2.3. 国別市場シェア分析
4.3. GaN
4.3.1. 主要市場動向、成長要因および機会
4.3.2. 地域別市場規模と予測
4.3.3. 国別市場シェア分析
4.4. その他
4.4.1. 主要市場動向、成長要因および機会
4.4.2. 地域別市場規模と予測
4.4.3. 国別市場シェア分析
第5章：製品別グローバルパワー半導体市場
5.1. 概要
5.1.1. 市場規模と予測
5.2. パワーMOSFET
5.2.1. 主要市場動向、成長要因および機会
5.2.2. 地域別市場規模と予測
5.2.3. 国別市場シェア分析
5.3. IGBT
5.3.1. 主要市場動向、成長要因および機会
5.3.2. 地域別市場規模と予測
5.3.3. 国別市場シェア分析
5.4. サイリスタ
5.4.1. 主要市場動向、成長要因および機会
5.4.2. 地域別市場規模と予測
5.4.3. 国別市場シェア分析
5.5. パワーダイオード
5.5.1. 主要市場動向、成長要因および機会
5.5.2. 地域別市場規模と予測
5.5.3. 国別市場シェア分析
5.6. その他
5.6.1. 主要市場動向、成長要因および機会
5.6.2. 地域別市場規模と予測
5.6.3. 国別市場シェア分析
第6章：産業分野別グローバルパワー半導体市場
6.1. 概要
6.1.1. 市場規模と予測
6.2. IT・通信
6.2.1. 主要市場動向、成長要因および機会
6.2.2. 地域別市場規模と予測
6.2.3. 国別市場シェア分析
6.3. 航空宇宙・防衛
6.3.1. 主要市場動向、成長要因および機会
6.3.2. 地域別市場規模と予測
6.3.3. 国別市場シェア分析
6.4. 産業用
6.4.1. 主要市場動向、成長要因および機会
6.4.2. 地域別市場規模と予測
6.4.3. 国別市場シェア分析
6.5. エネルギー・電力
6.5.1. 主要市場動向、成長要因および機会
6.5.2. 地域別市場規模と予測
6.5.3. 国別市場シェア分析
6.6. エレクトロニクス
6.6.1. 主要市場動向、成長要因および機会
6.6.2. 地域別市場規模と予測
6.6.3. 国別市場シェア分析
6.7. 自動車
6.7.1. 主要市場動向、成長要因および機会
6.7.2. 地域別市場規模と予測
6.7.3. 国別市場シェア分析
6.8. ヘルスケア
6.8.1. 主要市場動向、成長要因および機会
6.8.2. 地域別市場規模と予測
6.8.3. 国別市場シェア分析
第7章：地域別グローバルパワー半導体市場
7.1. 概要
7.1.1. 地域別市場規模と予測
7.2. 北米
7.2.1. 主要動向と機会
7.2.2. 材料別市場規模と予測
7.2.3. 製品別市場規模と予測
7.2.4. 産業分野別市場規模と予測
7.2.5. 国別市場規模と予測
7.2.5.1. 米国
7.2.5.1.1. 主要市場動向、成長要因および機会
7.2.5.1.2. 材料別市場規模と予測
7.2.5.1.3. 製品別市場規模と予測
7.2.5.1.4. 産業分野別市場規模と予測
7.2.5.2. カナダ
7.2.5.2.1. 主要市場動向、成長要因および機会
7.2.5.2.2. 材料別市場規模と予測
7.2.5.2.3. 製品別市場規模と予測
7.2.5.2.4. 産業分野別市場規模と予測
7.2.5.3. メキシコ
7.2.5.3.1. 主要市場動向、成長要因および機会
7.2.5.3.2. 材料別市場規模と予測
7.2.5.3.3. 製品別市場規模と予測
7.2.5.3.4. 産業分野別市場規模と予測
7.3. ヨーロッパ
7.3.1. 主要トレンドと機会
7.3.2. 材料別市場規模と予測
7.3.3. 製品別市場規模と予測
7.3.4. 産業分野別市場規模と予測
7.3.5. 国別市場規模と予測
7.3.5.1. イギリス
7.3.5.1.1. 主要市場動向、成長要因および機会
7.3.5.1.2. 材料別市場規模と予測
7.3.5.1.3. 製品別市場規模と予測
7.3.5.1.4. 産業分野別市場規模と予測
7.3.5.2. ドイツ
7.3.5.2.1. 主要市場動向、成長要因および機会
7.3.5.2.2. 材料別市場規模と予測
7.3.5.2.3. 製品別市場規模と予測
7.3.5.2.4. 産業分野別市場規模と予測
7.3.5.3. フランス
7.3.5.3.1. 主要市場動向、成長要因および機会
7.3.5.3.2. 材料別市場規模と予測
7.3.5.3.3. 製品別市場規模と予測
7.3.5.3.4. 産業分野別市場規模と予測
7.3.5.4. その他の欧州諸国
7.3.5.4.1. 主要市場動向、成長要因および機会
7.3.5.4.2. 材料別市場規模と予測
7.3.5.4.3. 製品別市場規模と予測
7.3.5.4.4. 産業分野別市場規模と予測
7.4. アジア太平洋地域
7.4.1. 主要トレンドと機会
7.4.2. 材料別市場規模と予測
7.4.3. 製品別市場規模と予測
7.4.4. 産業分野別市場規模と予測
7.4.5. 国別市場規模と予測
7.4.5.1. 中国
7.4.5.1.1. 主要市場動向、成長要因および機会
7.4.5.1.2. 材料別市場規模と予測
7.4.5.1.3. 製品別市場規模と予測
7.4.5.1.4. 産業分野別市場規模と予測
7.4.5.2. 日本
7.4.5.2.1. 主要市場動向、成長要因および機会
7.4.5.2.2. 材料別市場規模と予測
7.4.5.2.3. 製品別市場規模と予測
7.4.5.2.4. 産業分野別市場規模と予測
7.4.5.3. インド
7.4.5.3.1. 主要市場動向、成長要因および機会
7.4.5.3.2. 材料別市場規模と予測
7.4.5.3.3. 製品別市場規模と予測
7.4.5.3.4. 産業分野別市場規模と予測
7.4.5.4. 韓国
7.4.5.4.1. 主要市場動向、成長要因および機会
7.4.5.4.2. 材料別市場規模と予測
7.4.5.4.3. 製品別市場規模と予測
7.4.5.4.4. 産業分野別市場規模と予測
7.4.5.5. アジア太平洋地域その他
7.4.5.5.1. 主要市場動向、成長要因および機会
7.4.5.5.2. 材料別市場規模と予測
7.4.5.5.3. 製品別市場規模と予測
7.4.5.5.4. 産業分野別市場規模と予測
7.5. LAMEA地域
7.5.1. 主要トレンドと機会
7.5.2. 材料別市場規模と予測
7.5.3. 製品別市場規模と予測
7.5.4. 市場規模と予測、産業分野別
7.5.5. 市場規模と予測、国別
7.5.5.1. ラテンアメリカ
7.5.5.1.1. 主要市場動向、成長要因と機会
7.5.5.1.2. 市場規模と予測、材料別
7.5.5.1.3. 市場規模と予測、製品別
7.5.5.1.4. 産業分野別市場規模と予測
7.5.5.2. 中東
7.5.5.2.1. 主要市場動向、成長要因および機会
7.5.5.2.2. 材料別市場規模と予測
7.5.5.2.3. 製品別市場規模と予測
7.5.5.2.4. 産業分野別市場規模と予測
7.5.5.3. アフリカ
7.5.5.3.1. 主要市場動向、成長要因および機会
7.5.5.3.2. 材料別市場規模と予測
7.5.5.3.3. 製品別市場規模と予測
7.5.5.3.4. 産業分野別市場規模と予測
第8章：競争環境
8.1. はじめに
8.2. 主な成功戦略
8.3. トップ10企業の製品マッピング
8.4. 競争ダッシュボード
8.5. 競争ヒートマップ
8.6. 2022年における主要企業のポジショニング
第9章：企業プロファイル
9.1. インフィニオン・テクノロジーズAG
9.1.1. 会社概要
9.1.2. 主要幹部
9.1.3. 会社概要
9.1.4. 事業セグメント
9.1.5. 製品ポートフォリオ
9.1.6. 業績
9.1.7. 主要な戦略的動向と展開
9.2. Texas Instruments Inc.
9.2.1. 会社概要
9.2.2. 主要幹部
9.2.3. 会社概要
9.2.4. 事業セグメント
9.2.5. 製品ポートフォリオ
9.2.6. 業績
9.2.7. 主要な戦略的動向と展開
9.3. STマイクロエレクトロニクス N.V.
9.3.1. 会社概要
9.3.2. 主要幹部
9.3.3. 会社概要
9.3.4. 事業セグメント
9.3.5. 製品ポートフォリオ
9.3.6. 業績
9.3.7. 主要な戦略的動向と展開
9.4. NXPセミコンダクターズN.V.
9.4.1. 会社概要
9.4.2. 主要幹部
9.4.3. 会社概要
9.4.4. 事業セグメント
9.4.5. 製品ポートフォリオ
9.4.6. 業績
9.4.7. 主要な戦略的動向と展開
9.5. オン・セミコンダクター・コーポレーション
9.5.1. 会社概要
9.5.2. 主要幹部
9.5.3. 会社概要
9.5.4. 事業セグメント
9.5.5. 製品ポートフォリオ
9.5.6. 業績
9.5.7. 主要な戦略的動向と展開
9.6. 三菱電機株式会社
9.6.1. 会社概要
9.6.2. 主要幹部
9.6.3. 会社概要
9.6.4. 事業セグメント
9.6.5. 製品ポートフォリオ
9.6.6. 業績
9.6.7. 主要な戦略的動向と展開
9.7. ルネサス エレクトロニクス
9.7.1. 会社概要
9.7.2. 主要幹部
9.7.3. 会社概要
9.7.4. 事業セグメント
9.7.5. 製品ポートフォリオ
9.7.6. 業績
9.7.7. 主要な戦略的動向と展開
9.8. 東芝株式会社
9.8.1. 会社概要
9.8.2. 主要幹部
9.8.3. 会社概要
9.8.4. 事業セグメント
9.8.5. 製品ポートフォリオ
9.8.6. 業績
9.8.7. 主要な戦略的動向と展開
9.9. 富士電機株式会社
9.9.1. 会社概要
9.9.2. 主要幹部
9.9.3. 会社概要
9.9.4. 事業セグメント
9.9.5. 製品ポートフォリオ
9.9.6. 業績
9.9.7. 主要な戦略的動向と展開
9.10. 株式会社日立製作所
9.10.1. 会社概要
9.10.2. 主要幹部
9.10.3. 会社概要
9.10.4. 事業セグメント
9.10.5. 製品ポートフォリオ
9.10.6. 業績
9.10.7. 主要な戦略的動向と展開
| ※参考情報 パワー半導体は、電力の制御や変換に特化した半導体素子です。一般的に、電力の出力や制御を行うため、通常の半導体よりも高い電圧や電流を扱うことが特徴です。このため、パワー半導体は電力変換や電力制御の分野で重要な役割を果たしています。 パワー半導体は主にトランジスタやダイオードなどの素子から構成され、これらの素子を組み合わせることで、さまざまな電力管理システムを実現します。パワー半導体の代表的な種類には、MOSFET、IGBT、バイポーラトランジスタ、SCR（サイリスタ）、およびパワーダイオードがあります。これらはそれぞれ異なる特性を持ち、用途に応じて選ばれます。 MOSFETは、特に高速スイッチングが必要なアプリケーションで利用されます。小型化が可能で、低いオン抵抗を持つため、効率良く電力を扱うことができます。IGBTは、MOSFETとバイポーラトランジスタの特性を組み合わせたもので、主に中・高出力の用途に利用されます。IGBTは、逆方向電流を持たないため、高い耐圧と高いスイッチング速度を必要とする電力変換装置に適しています。 バイポーラトランジスタは、電流の増幅に優れ、特に高電流応用に強い特性を持っています。一方で、スイッチング速度が遅いため、低周波数のアプリケーションに多く使われます。SCRは、スイッチングが一方向で、主に直流電力の制御に使用される素子です。高電圧・高電流を扱う際に特に有用です。 パワー半導体の用途は広範で、様々な業界で利用されています。例えば、電力変換装置であるインバーターやコンバーター、モーター制御、電気自動車（EV）用の充電器や駆動装置などが挙げられます。これらの分野では、エネルギーの効率的な変換や制御が求められ、パワー半導体の存在が不可欠です。 特に、再生可能エネルギーの台頭により、太陽光発電や風力発電のシステムにもパワー半導体が不可欠です。電力のインバーターを通じて直流から交流に変換し、家庭や電力網に電力を供給します。このようなシステムの信頼性と効率を向上させるために、より高性能なパワー半導体の開発が進められています。 近年では、パワー半導体の製造技術も進化しています。シリコンに加え、シリコンカーバイド（SiC）やガリウムナイトライド（GaN）などの新材料が注目されています。これらの材料は、高温環境や高電圧アプリケーションでの性能が優れており、小型化と効率向上に寄与しています。特に、SiCは、高周波数でのスイッチング損失を低減させる特性を持ち、EVや産業用機器における需要が高まっています。 関連技術においては、電力エレクトロニクスや制御技術が重要です。電力エレクトロニクスは、パワー半導体を用いた電力変換を最適化するための技術であり、制御技術は、これらの素子を効果的に動かすためのアルゴリズムやシステム設計に関連しています。また、センサ技術や通信技術の進化も、スマートグリッドや自動運転車の普及に伴い、パワー半導体の性能を引き出す要因となっています。 このように、パワー半導体は電力の効率的な管理や変換を実現するために不可欠な素子であり、今後の技術革新においてますます重要な役割を果たすことが予想されます。エネルギー効率の向上や持続可能な社会の実現に向けて、パワー半導体技術の進展は欠かせない要素となるでしょう。 |
