【英語タイトル】GaN Semiconductor Devices Market Size & Share Analysis - Growth Trends and Forecast (2026 - 2031)
	・商品コード：MOR23AP154 ・発行会社（調査会社）：Mordor Intelligence ・発行日：2026年2月 ・ページ数：100 ・レポート言語：英語 ・レポート形式：PDF ・納品方法：Eメール（受注後2-3営業日） ・調査対象地域：アメリカ、カナダ、イギリス、ドイツ、フランス、中国、日本、韓国 ・産業分野：半導体

ガリウムナイトライド（GaN）半導体デバイス市場の規模とシェア

## 市場概要

### 研究期間
2020年 – 2031年

### 市場規模（2026年）
48.3億米ドル

### 市場規模（2031年）
105.5億米ドル

### 成長率（2026年 – 2031年）
年平均成長率（CAGR）16.92%

### 最も成長が早い市場
アジア太平洋地域

### 最大の市場
アジア太平洋地域

### 市場集中度
中程度

### 主要プレーヤー
*免責事項：主要プレーヤーは特に順不同で並べられています。

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### GaN半導体デバイス市場の分析（Mordor Intelligenceによる）
2026年のガリウムナイトライド半導体デバイス市場の規模は、2025年の41.3億米ドルから成長し、48.3億米ドルに達すると見込まれています。2031年の予測では105.5億米ドルに達し、2026年から2031年にかけて16.92%のCAGRで成長する見込みです。この急成長は、GaNが従来のシリコンと比較して高い効率、迅速なスイッチング、優れた熱性能を提供する能力に起因しています。市場の勢いは、2024年と2025年初頭に、800Vの電気自動車パワートレイン、大規模な5G展開に必要な高出力無線周波数増幅器、100Wを超える超コンパクトUSB-C充電器に対する消費者の需要という3つの同時の変化によって強化されました。同時に、世界的なエネルギー効率規制が厳格化され、データセンター運営者や産業OEMは損失を削減し、冷却オーバーヘッドを縮小するGaNベースの変換ステージに向かっています。企業の投資もこの傾向を裏付けており、インフィニオン、ルネサスなどの既存企業が買収を通じてGaNの生産能力を拡大し、日本や欧州連合の地域的なインセンティブが6インチおよび8インチのウェーハ向けの新規ファブを加速させています。

## 主要な報告の要点

– **デバイスタイプ別**：パワー半導体が2025年のガリウムナイトライド半導体デバイス市場シェアの54.78%を占め、RFデバイスは2031年までに18.73%のCAGRで成長すると予測されています。

– **コンポーネント別**：ディスクリートトランジスタは2025年のガリウムナイトライド半導体デバイス市場の56.63%のシェアを占め、モノリシックパワーICは29.55%のCAGRで成長する見込みです。

– **電圧定格別**：100-650Vクラスは2025年に69.72%の収益シェアを占め、>650Vセグメントは800V EVプラットフォームの背後で39.67%のCAGRで最も早く成長します。

– **ウェーハサイズ別**：4インチ基板が2025年に59.61%のシェアを占め、6インチおよび8インチの生産ラインはコストパリティが近づく中で35.62%のCAGRで成長すると予測されています。

– **基板技術別**：GaN-on-SiCは2025年に59.74%のシェアを維持し、GaN-on-Siは2031年までに40.09%のCAGRで最も急成長する見込みです。

– **パッケージング別**：QFNなどの表面実装形式は2025年に51.58%のシェアを保持し、チップスケールパッケージは34.66%のCAGRで最も高い成長率を示します。

– **エンドユーザー産業別**：テレコムおよびデータ通信インフラは2025年の収益の34.72%を占め、自動車およびeモビリティは2031年までに33.70%のCAGRで成長します。

– **地理別**：アジア太平洋地域は2025年に37.85%のシェアを占め、10年末までに28.35%のCAGRで最も早く成長します。

注：この報告書の市場規模および予測数値は、Mordor Intelligenceの独自の推定フレームワークを使用して生成されており、2026年1月時点での最新のデータと洞察で更新されています。

## グローバルGaN半導体デバイス市場のトレンドと洞察

### ドライバーの影響分析

– **ドライバー**：65-240W USB-C PD GaN充電器の普及（中国OEMのロードマップによる）
– 影響度：+3.2%
– 地理的関連性：グローバル、特にアジア太平洋および北米
– 影響タイムライン：短期（≤2年）

– **ドライバー**：5GマッシブMIMOマクロセルの展開（>200W GaN-on-SiC PAが必要）
– 影響度：+4.1%
– 地理的関連性：アジア、特に中国、インド、日本、韓国
– 影響タイムライン：中期（2-4年）

– **ドライバー**：800V EVプラットフォームへの移行（双方向GaN OBCおよびDC-DCの採用を推進）
– 影響度：+3.8%
– 地理的関連性：グローバル、特にヨーロッパ、中国、北米
– 影響タイムライン：中期（2-4年）

– **ドライバー**：重量が重要な電動航空機およびeVTOLパワートレインがGaNコンバータを選択
– 影響度：+1.9%
– 地理的関連性：北米およびヨーロッパ
– 影響タイムライン：長期（≥4年）

– **ドライバー**：LEOコンステレーション衛星がGaN Ku/KaバンドSSPAに移行
– 影響度：+1.5%
– 地理的関連性：グローバル、特に北米およびヨーロッパでの開発
– 影響タイムライン：中期（2-4年）

– **ドライバー**：日本およびEUのファブインセンティブがGaNの生産能力拡大を加速
– 影響度：+2.7%
– 地理的関連性：日本およびヨーロッパ
– 影響タイムライン：中期（2-4年）

### 市場を形成する主要なトレンドを理解する

#### 65-240W USB-C PD GaN充電器の普及（中国OEMのロードマップによる）
中国の消費者向け電子機器ブランドは、超コンパクトなUSBパワーデリバリー充電器への急速なシフトを促進しました。2024年に発表されたモデルは、シリコンの同等品に対して体積を40%削減し、価格を35%引き下げながら240Wまでの出力を実現しました。AnkerのGaN Primeラインは、1.8W/cm³を超える電力密度を達成し、ポケットサイズのエンクロージャ内でラップトップや電話のためのマルチプロトコル充電を可能にしました。コスト削減がアジア太平洋および北米での主流の採用を刺激し、ガリウムナイトライド半導体デバイス市場全体に波及効果をもたらしました。

#### 5GマッシブMIMOマクロセルの展開（>200W GaN-on-SiC PAが必要）
中国、インド、日本のモバイルネットワークオペレーターは、2024年に3.5GHz以上のGaN-on-SiCパワーアンプを使用して15,000以上のマクロベースステーションを展開しました。この切り替えにより、電力消費が25%削減され、カバレッジが18%拡大し、ある日本の大手キャリアにとって年間1800万米ドルの運営費用削減につながりました。このような経済性は、GaN PAの設計勝利を確固たるものにし、ガリウムナイトライド半導体デバイス市場全体の収益を拡大します。

#### 800V EVプラットフォームへの移行（双方向GaN OBCおよびDC-DCの採用を推進）
2024年にヨーロッパと中国で発表された高級電気自動車プラットフォームは、800Vで動作する双方向GaNオンボード充電器を統合しました。このアーキテクチャは、充電時間を10-80%短縮し、20分未満で充電を完了できるようにし、車両からグリッドへのサービスを可能にし、オーナーに年間最大1,200米ドルの収入をもたらします。効率は97.5%に達し、比較可能なSiCステージよりも2.8%優れており、冷却質量を40%削減することで、ガリウムナイトライド半導体デバイス市場全体の成長を促進します。

#### 重量が重要な電動航空機およびeVTOLパワートレインがGaNコンバータを選択
ある主要な航空機OEMは、主電源ユニットでシリコンモジュールをGaNコンバータに置き換え、システム重量を125kg削減し、変換効率を3.8%向上させました。航空機ごとの生涯燃料節約は140万米ドルと評価されました。このデータは、航空分野におけるGaNへの信頼を強化し、ガリウムナイトライド半導体デバイス市場に長期的な成長の道を開きます。

### 制約の影響分析

– **制約**：200mm GaN-on-Siエピウェーハの供給チェーンのボトルネック
– 影響度：-2.1%
– 地理的関連性：グローバル、特にアジア太平洋
– 影響タイムライン：中期（2-4年）

– **制約**：自動車グレード0認証のための175°Cを超えるゲート信頼性の課題
– 影響度：-1.8%
– 地理的関連性：グローバル、特に自動車用途に影響
– 影響タイムライン：中期（2-4年）

– **制約**：新興市場におけるサブ3.5GHzマクロPAに対するLDMOSとのコスト差
– 影響度：-1.3%
– 地理的関連性：アジア、アフリカ、ラテンアメリカの新興市場
– 影響タイムライン：短期（≤2年）

– **制約**：EモードGaN QFN/CSPパッケージの断片化したテスト/パッケージングエコシステム
– 影響度：-1.6%
– 地理的関連性：グローバル
– 影響タイムライン：短期（≤2年）

#### 200mm GaN-on-Siエピウェーハの供給チェーンのボトルネック
2024年には、10社未満の認定サプライヤーが200mmのGaNエピタキシャルウェーハを生産しました。歩留まりはシリコンのベンチマークよりも15-20%低く、スループットを制約し、プレミアム価格を維持しています。あるヨーロッパのTier-1自動車サプライヤーは、生産遅延が6か月発生し、2800万ユーロ（3020万米ドル）の戦略的在庫バッファを強いられました。ボトルネックは、ガリウムナイトライド半導体デバイス市場における短期的なボリュームに影響を及ぼします。

#### 自動車グレード0認証のための175°Cを超えるゲート信頼性の課題
ゲートインターフェースでの電荷トラッピングが175°Cでのしきい値ドリフトを引き起こしています。ある日本の部品メーカーは、2024年に高温ストレステストに失敗したため、製品の発売を11か月延期し、再設計コストとして4億2000万JPY（280万米ドル）を追加しました。これらの信頼性の障害は、アンダーボンネット環境での採用を遅らせ、ガリウムナイトライド半導体デバイス市場全体の成長を抑制します。

## セグメント分析

### デバイスタイプ別：パワー半導体が効率革命を支配
ガリウムナイトライド半導体デバイス市場のパワー半導体部分は2025年に54.78%のシェアを保持し、2031年までに18.41%の成長が見込まれています。データセンター運営者は、98.2%の効率に達するGaNサーバーパワー供給装置にアップグレードすることで、1施設あたり230万米ドルを節約しました。RFデバイスは、5GマッシブMIMOインフラおよび防衛レーダーが高い需要を維持する中で続きました。成熟度は戦略的な分岐を示しました。シリコンの既存企業であるインフィニオンは自動車グレードのGaN MOSFETラインを拡大し、RF専門企業であるウルフスピードはGaN-on-SiCの熱余裕を利用して3.5GHz以上のマクロセルを展開しました。統合パワーステージの提供者は、ディスクリート販売を超えてより高いマージンを獲得しました。したがって、ガリウムナイトライド半導体デバイス市場は、統合と垂直統合の両方を経験し、スケールの利点を強化しています。

### コンポーネント別：トランジスタがリードし、パワーICが急成長
高電子移動度トランジスタは2025年に56.63%の収益を占めましたが、モノリシックパワーICは29.55%のCAGRで他のすべてのカテゴリを上回っています。ある中国のスマートフォンOEMは、ディスクリートスイッチを単一のGaN ICに置き換えることで、充電器の部品表を18%削減し、部品数を45%縮小しました。統合は電磁的互換性を改善し、寄生を削減します。これらの利点は、ガリウムナイトライド半導体デバイス市場がシステムインパッケージ設計に傾いている理由を説明しています。モジュール供給者は高出力設置に対応し、ダイオードの販売は補助整流役割で安定しています。

### 電圧定格別：高電圧が成長を促進
100-650Vの範囲は2025年に69.72%のシェアを維持し、消費者、データセンター、48V産業レールに適合しています。一方、>650V帯は800V推進アーキテクチャにより39.67%のCAGRで急成長しています。ある高級EVブランドは、900V GaNステージを使用して充電時間を10-80%短縮し、SiCに対して充電器の質量を3.2kg削減しました。この移行は、新しい絶縁およびテスト基準を促し、純粋な供給者に挑戦をもたらします。それでも、ガリウムナイトライド半導体デバイス市場は、650Vを超える信頼性を検証できる企業に報いることで、自動車の価値プールを解放します。

### ウェーハサイズ別：スケーリングがコスト削減を促進
4インチウェーハは2025年に59.61%の出荷を占めましたが、6インチおよび8インチラインは35.62%のCAGRで成長しています。ある日本のファウンドリが6インチに移行したことで、ダイ出力が140%増加し、ユニットコストが32%削減され、20か月未満で資本回収を達成しました。トヨタ合成のラボで育成された8インチのバルクGaNクリスタルや、Innoscienceの専用8インチGaN-on-Siファブは、スケールの波を示しています。歩留まりが向上することで、ガリウムナイトライド半導体デバイス市場は、主流の機器におけるシリコンとの価格パリティへの道を持っています。

### 基板技術別：GaN-on-SiがSiCの優位性に挑戦
GaN-on-SiCは、2025年に59.74%のシェアを維持していますが、テレコムおよび防衛の熱要件によるものです。しかし、GaN-on-Siは8インチCMOSラインがコストパリティに達する中で、40.09%のCAGRで成長しています。ある衛星オペレーターは、GaN-on-SiC PAに対して45%の性能プレミアムを支払い、ペイロードの寿命を延ばしました。一方、あるラップトップ充電器ブランドは、熱的なペナルティをほとんど伴わずにGaN-on-Siを使用してコストを28%削減しました。したがって、ガリウムナイトライド半導体デバイス市場は、コストに敏感なマスエレクトロニクスがSiプラットフォームに引き寄せられる一方で、ミッションクリティカルなRFおよび航空宇宙はSiCの強固な地盤を維持しています。

### パッケージング別：小型化がCSPの採用を加速
表面実装QFNおよびDFNパッケージは2025年に51.58%のシェアを保持し、基準を維持しています。チップスケールパッケージは、2mm未満の高さと優れた熱抵抗を許可するため、34.66%のCAGRで進展しています。CSP GaNを使用した67Wのスマートフォンアダプタは、全体の体積を48%削減し、高級ハンドセットエコシステムでの差別化を高めました。パッケージングの革新は、電力密度、信頼性、EMCコンプライアンスを推進し、ガリウムナイトライド半導体デバイス市場全体のアドレス可能なソケットを拡大します。

### エンドユーザー産業別：テレコムおよび自動車が採用をリード
テレコム/データ通信インフラは2025年に34.72%の収益を生み出しました。GaN PAに切り替えたオペレーターは、ネットワークエネルギーを28%削減し、年間2400万米ドルの運営コスト削減を実現し、追加のセル密度化のための予算を確保しました。自動車もこの勢いを反映し、OEMはより迅速な充電、双方向の流れ、軽量インバータを追求しています。消費者向け電子機器は、100Wを超えるUSB-Cブリックに対する健全な需要を維持し、産業オートメーションおよび再生可能エネルギーシステムは、規制の効率目標が収束する中で加速しています。すべての垂直市場は、ガリウムナイトライド半導体デバイス市場内のスケールダイナミクスを強化しています。

## 地理分析
アジア太平洋地域は2025年に37.85%の売上を占め、28.35%のCAGRで最も早く成長しています。中国のガリウムへのアクセスと国家補助金により、Innoscienceは世界最大の8インチGaN-on-Si工場を、競合他社よりも35%低いコストで運営しています。韓国の消費者向け電子機器の巨人や日本の自動車大手は、高ボリュームの基幹顧客を育成し、需要と生産能力の成長の好循環を維持しています。北米は依然として革新の熱帯です。連邦のCHIPS助成金3500万米ドルは、GlobalFoundriesがバーモント州でGaNの生産能力を拡大するのを助けました。防衛請負業者は、検出範囲を42%向上させながら電力を18%削減したGaNベースのフェーズドアレイレーダーを展開し、ガリウムナイトライド半導体デバイス市場に流れ込むミッションクリティカルな利点を示しています。ヨーロッパは高級自動車および産業用途に重点を置いています。ケンブリッジGaNデバイセズは拡張のために3050万ユーロ（3310万米ドル）を調達し、高出力のヨーロッパのニッチに対する投資家の信頼を反映しています。あるドイツの大手OEMは、充電器の効率を97.8%に達成し、部品を30%削減し、EUのエコデザイン指令に沿った形で進めています。ラテンアメリカ、中東、アフリカは現在、控えめなシェアを保持していますが、エネルギー価格とインフラの構築が収束する中で、テレコムおよびスマートシティプロジェクトにおいて有望な採用を示しています。

## 競争環境
2024年から2025年にかけての統合が強化されました。インフィニオンはGaN Systemsに8億3000万米ドルを支払い、ルネサスはTransphormを3億3900万米ドルで吸収し、デバイスIPと顧客チャネルを統合しました。パワーインテグレーションズもOdyssey Semiconductorを買収しました。これらの動きは、ガリウムナイトライド半導体デバイス産業がニッチからメインストリームに移行する転換点を示しています。

競争戦略は技術のラインに沿って分かれています。Navitasは、充電および太陽光マイクロインバータパートナーのために設計の複雑さを低減する完全統合型GaNFast ICを推進しました。EPCは、ライダーや衛星のカスタムレイアウト用に裸ダイおよびeGaN FETを供給しました。基板の専門化も領域を定義しました。ウルフスピードはXバンドレーダー用のGaN-on-SiCを守り、Innoscienceはモバイルアクセサリー向けにコスト最適化されたGaN-on-Siを推進しました。特許活動は競争を支え、2024年には2400件以上のGaN関連の出願が記録されました。

参入障壁は、認証サイクル、自動車グレードの要件、供給契約が既存企業を固定化する中で高まっています。それでも、統合設計をマスターするファブレスのスタートアップは、特にAIデータセンターの電力供給においてニッチを見つけることができ、垂直特有のリファレンスプラットフォームがガリウムナイトライド半導体デバイス市場内に容易な足場を提供します。

## GaN半導体デバイス業界のリーダー
– インフィニオンテクノロジーズAG
– ウルフスピード社
– コルボ社
– ナビタスセミコンダクター
– トランスフォーム社

*免責事項：主要プレーヤーは特に順不同で並べられています。

## 最近の業界の動向
– 2025年5月：ケンブリッジGaNデバイセズは、次世代800Vプラットフォームを目指した100kWのEVパワートレインソリューションを発表しました。
– 2025年4月：ナビタスセミコンダクターとギガデバイスは、AIデータセンターおよび太陽光ストレージ向けにGaNFast ICとMCUを統合する共同研究所を開設しました。
– 2025年3月：三研電気は、GaNの商業化を促進するためにPOWDEC K.K.を13億JPY（870万米ドル）で買収しました。
– 2025年3月：マツダとROHMは、2027年のEV向けにGaNパワーコンポーネントの共同開発を開始しました。