1 市場概要
1.1 SiC、GaN用エピタキシャル成長装置の定義
1.2 グローバルSiC、GaN用エピタキシャル成長装置の市場規模と予測
1.2.1 売上別のグローバルSiC、GaN用エピタキシャル成長装置の市場規模（2019-2030）
1.2.2 販売量別のグローバルSiC、GaN用エピタキシャル成長装置の市場規模（2019-2030）
1.2.3 グローバルSiC、GaN用エピタキシャル成長装置の平均販売価格（ASP）（2019-2030）
1.3 中国SiC、GaN用エピタキシャル成長装置の市場規模・予測
1.3.1 売上別の中国SiC、GaN用エピタキシャル成長装置市場規模（2019-2030）
1.3.2 販売量別の中国SiC、GaN用エピタキシャル成長装置市場規模（2019-2030）
1.3.3 中国SiC、GaN用エピタキシャル成長装置の平均販売価格（ASP）（2019-2030）
1.4 世界における中国SiC、GaN用エピタキシャル成長装置の市場シェア
1.4.1 世界における売上別の中国SiC、GaN用エピタキシャル成長装置市場シェア（2019～2030）
1.4.2 世界市場における販売量別の中国SiC、GaN用エピタキシャル成長装置市場シェア（2019～2030）
1.4.3 SiC、GaN用エピタキシャル成長装置の市場規模、中国VS世界（2019-2030）
1.5 SiC、GaN用エピタキシャル成長装置市場ダイナミックス
1.5.1 SiC、GaN用エピタキシャル成長装置の市場ドライバ
1.5.2 SiC、GaN用エピタキシャル成長装置市場の制約
1.5.3 SiC、GaN用エピタキシャル成長装置業界動向
1.5.4 SiC、GaN用エピタキシャル成長装置産業政策
2 世界主要会社市場シェアとランキング
2.1 会社別の世界SiC、GaN用エピタキシャル成長装置売上の市場シェア（2019～2024）
2.2 会社別の世界SiC、GaN用エピタキシャル成長装置販売量の市場シェア（2019～2024）
2.3 会社別のSiC、GaN用エピタキシャル成長装置の平均販売価格（ASP）、2019～2024
2.4 グローバルSiC、GaN用エピタキシャル成長装置のトップ会社、マーケットポジション（ティア1、ティア2、ティア3）
2.5 グローバルSiC、GaN用エピタキシャル成長装置の市場集中度
2.6 グローバルSiC、GaN用エピタキシャル成長装置の合併と買収、拡張計画
2.7 主要会社のSiC、GaN用エピタキシャル成長装置製品タイプ
2.8 主要会社の本社と生産拠点
2.9 主要会社の生産能力の推移と今後の計画
3 中国主要会社市場シェアとランキング
3.1 会社別の中国SiC、GaN用エピタキシャル成長装置売上の市場シェア（2019-2024年）
3.2 SiC、GaN用エピタキシャル成長装置の販売量における中国の主要会社市場シェア（2019～2024）
3.3 中国SiC、GaN用エピタキシャル成長装置のトップ会社、マーケットポジション（ティア1、ティア2、ティア3）
4 世界の生産地域
4.1 グローバルSiC、GaN用エピタキシャル成長装置の生産能力、生産量、稼働率（2019～2030）
4.2 地域別のグローバルSiC、GaN用エピタキシャル成長装置の生産能力
4.3 地域別のグローバルSiC、GaN用エピタキシャル成長装置の生産量と予測、2019年 VS 2023年 VS 2030年
4.4 地域別のグローバルSiC、GaN用エピタキシャル成長装置の生産量（2019～2030）
4.5 地域別のグローバルSiC、GaN用エピタキシャル成長装置の生産量市場シェアと予測（2019-2030）
5 産業チェーン分析
5.1 SiC、GaN用エピタキシャル成長装置産業チェーン
5.2 上流産業分析
5.2.1 SiC、GaN用エピタキシャル成長装置の主な原材料
5.2.2 主な原材料の主要サプライヤー
5.3 中流産業分析
5.4 下流産業分析
5.5 生産モード
5.6 SiC、GaN用エピタキシャル成長装置調達モデル
5.7 SiC、GaN用エピタキシャル成長装置業界の販売モデルと販売チャネル
5.7.1 SiC、GaN用エピタキシャル成長装置販売モデル
5.7.2 SiC、GaN用エピタキシャル成長装置代表的なディストリビューター
6 製品別のSiC、GaN用エピタキシャル成長装置一覧
6.1 SiC、GaN用エピタキシャル成長装置分類
6.1.1 CVD
6.1.2 MOCVD
6.1.3 Others
6.2 製品別のグローバルSiC、GaN用エピタキシャル成長装置の売上とCAGR、2019年 VS 2023年 VS 2030年
6.3 製品別のグローバルSiC、GaN用エピタキシャル成長装置の売上（2019～2030）
6.4 製品別のグローバルSiC、GaN用エピタキシャル成長装置の販売量（2019～2030）
6.5 製品別のグローバルSiC、GaN用エピタキシャル成長装置の平均販売価格（ASP）（2019～2030）
7 アプリケーション別のSiC、GaN用エピタキシャル成長装置一覧
7.1 SiC、GaN用エピタキシャル成長装置アプリケーション
7.1.1 SiC Epitaxy
7.1.2 GaN Epitaxy
7.2 アプリケーション別のグローバルSiC、GaN用エピタキシャル成長装置の売上とCAGR、2019 VS 2023 VS 2030
7.3 アプリケーション別のグローバルSiC、GaN用エピタキシャル成長装置の売上（2019～2030）
7.4 アプリケーション別のグローバルSiC、GaN用エピタキシャル成長装置販売量（2019～2030）
7.5 アプリケーション別のグローバルSiC、GaN用エピタキシャル成長装置価格（2019～2030）
8 地域別のSiC、GaN用エピタキシャル成長装置市場規模一覧
8.1 地域別のグローバルSiC、GaN用エピタキシャル成長装置の売上、2019 VS 2023 VS 2030
8.2 地域別のグローバルSiC、GaN用エピタキシャル成長装置の売上（2019～2030）
8.3 地域別のグローバルSiC、GaN用エピタキシャル成長装置の販売量（2019～2030）
8.4 北米
8.4.1 北米SiC、GaN用エピタキシャル成長装置の市場規模・予測（2019～2030）
8.4.2 国別の北米SiC、GaN用エピタキシャル成長装置市場規模シェア
8.5 ヨーロッパ
8.5.1 ヨーロッパSiC、GaN用エピタキシャル成長装置市場規模・予測（2019～2030）
8.5.2 国別のヨーロッパSiC、GaN用エピタキシャル成長装置市場規模シェア
8.6 アジア太平洋地域
8.6.1 アジア太平洋地域SiC、GaN用エピタキシャル成長装置市場規模・予測（2019～2030）
8.6.2 国・地域別のアジア太平洋地域SiC、GaN用エピタキシャル成長装置市場規模シェア
8.7 南米
8.7.1 南米SiC、GaN用エピタキシャル成長装置の市場規模・予測（2019～2030）
8.7.2 国別の南米SiC、GaN用エピタキシャル成長装置市場規模シェア
8.8 中東・アフリカ
9 国別のSiC、GaN用エピタキシャル成長装置市場規模一覧
9.1 国別のグローバルSiC、GaN用エピタキシャル成長装置の市場規模＆CAGR、2019年 VS 2023年 VS 2030年
9.2 国別のグローバルSiC、GaN用エピタキシャル成長装置の売上（2019～2030）
9.3 国別のグローバルSiC、GaN用エピタキシャル成長装置の販売量（2019～2030）
9.4 米国
9.4.1 米国SiC、GaN用エピタキシャル成長装置市場規模（2019～2030）
9.4.2 製品別の米国販売量の市場シェア、2023年 VS 2030年
9.4.3 “アプリケーション別の米国販売量市場のシェア、2023年 VS 2030年
9.5 ヨーロッパ
9.5.1 ヨーロッパSiC、GaN用エピタキシャル成長装置市場規模（2019～2030）
9.5.2 製品別のヨーロッパSiC、GaN用エピタキシャル成長装置販売量の市場シェア、2023年 VS 2030年
9.5.3 アプリケーション別のヨーロッパSiC、GaN用エピタキシャル成長装置販売量の市場シェア、2023年 VS 2030年
9.6 中国
9.6.1 中国SiC、GaN用エピタキシャル成長装置市場規模（2019～2030）
9.6.2 製品別の中国SiC、GaN用エピタキシャル成長装置販売量の市場シェア、2023年 VS 2030年
9.6.3 アプリケーション別の中国SiC、GaN用エピタキシャル成長装置販売量の市場シェア、2023年 VS 2030年
9.7 日本
9.7.1 日本SiC、GaN用エピタキシャル成長装置市場規模（2019～2030）
9.7.2 製品別の日本SiC、GaN用エピタキシャル成長装置販売量の市場シェア、2023年 VS 2030年
9.7.3 アプリケーション別の日本SiC、GaN用エピタキシャル成長装置販売量の市場シェア、2023年 VS 2030年
9.8 韓国
9.8.1 韓国SiC、GaN用エピタキシャル成長装置市場規模（2019～2030）
9.8.2 製品別の韓国SiC、GaN用エピタキシャル成長装置販売量の市場シェア、2023年 VS 2030年
9.8.3 アプリケーション別の韓国SiC、GaN用エピタキシャル成長装置販売量の市場シェア、2023年 VS 2030年
9.9 東南アジア
9.9.1 東南アジアSiC、GaN用エピタキシャル成長装置市場規模（2019～2030）
9.9.2 製品別の東南アジアSiC、GaN用エピタキシャル成長装置販売量の市場シェア、2023年 VS 2030年
9.9.3 アプリケーション別の東南アジアSiC、GaN用エピタキシャル成長装置販売量の市場シェア、2023年 VS 2030年
9.10 インド
9.10.1 インドSiC、GaN用エピタキシャル成長装置市場規模（2019～2030）
9.10.2 製品別のインドSiC、GaN用エピタキシャル成長装置販売量の市場シェア、2023 VS 2030年
9.10.3 アプリケーション別のインドSiC、GaN用エピタキシャル成長装置販売量の市場シェア、2023 VS 2030年
9.11 中東・アフリカ
9.11.1 中東・アフリカSiC、GaN用エピタキシャル成長装置市場規模（2019～2030）
9.11.2 製品別の中東・アフリカSiC、GaN用エピタキシャル成長装置販売量の市場シェア、2023年 VS 2030年
9.11.3 アプリケーション別の中東・アフリカSiC、GaN用エピタキシャル成長装置販売量の市場シェア、2023 VS 2030年
10 会社概要
10.1 NuFlare Technology Inc.
10.1.1 NuFlare Technology Inc. 企業情報、本社、販売地域、市場地位
10.1.2 NuFlare Technology Inc. SiC、GaN用エピタキシャル成長装置製品モデル、仕様、アプリケーション
10.1.3 NuFlare Technology Inc. SiC、GaN用エピタキシャル成長装置販売量、売上、価格、粗利益率、2019～2024
10.1.4 NuFlare Technology Inc. 会社紹介と事業概要
10.1.5 NuFlare Technology Inc. 最近の開発状況
10.2 Tokyo Electron Limited
10.2.1 Tokyo Electron Limited 企業情報、本社、販売地域、市場地位
10.2.2 Tokyo Electron Limited SiC、GaN用エピタキシャル成長装置製品モデル、仕様、アプリケーション
10.2.3 Tokyo Electron Limited SiC、GaN用エピタキシャル成長装置販売量、売上、価格、粗利益率、2019～2024
10.2.4 Tokyo Electron Limited 会社紹介と事業概要
10.2.5 Tokyo Electron Limited 最近の開発状況
10.3 NAURA
10.3.1 NAURA 企業情報、本社、販売地域、市場地位
10.3.2 NAURA SiC、GaN用エピタキシャル成長装置製品モデル、仕様、アプリケーション
10.3.3 NAURA SiC、GaN用エピタキシャル成長装置販売量、売上、価格、粗利益率、2019～2024
10.3.4 NAURA 会社紹介と事業概要
10.3.5 NAURA 最近の開発状況
10.4 VEECO
10.4.1 VEECO 企業情報、本社、販売地域、市場地位
10.4.2 VEECO SiC、GaN用エピタキシャル成長装置製品モデル、仕様、アプリケーション
10.4.3 VEECO SiC、GaN用エピタキシャル成長装置販売量、売上、価格、粗利益率、2019～2024
10.4.4 VEECO 会社紹介と事業概要
10.4.5 VEECO 最近の開発状況
10.5 Taiyo Nippon Sanso
10.5.1 Taiyo Nippon Sanso 企業情報、本社、販売地域、市場地位
10.5.2 Taiyo Nippon Sanso SiC、GaN用エピタキシャル成長装置製品モデル、仕様、アプリケーション
10.5.3 Taiyo Nippon Sanso SiC、GaN用エピタキシャル成長装置販売量、売上、価格、粗利益率、2019～2024
10.5.4 Taiyo Nippon Sanso 会社紹介と事業概要
10.5.5 Taiyo Nippon Sanso 最近の開発状況
10.6 Aixtron
10.6.1 Aixtron 企業情報、本社、販売地域、市場地位
10.6.2 Aixtron SiC、GaN用エピタキシャル成長装置製品モデル、仕様、アプリケーション
10.6.3 Aixtron SiC、GaN用エピタキシャル成長装置販売量、売上、価格、粗利益率、2019～2024
10.6.4 Aixtron 会社紹介と事業概要
10.6.5 Aixtron 最近の開発状況
10.7 Advanced Micro-Fabrication Equipment Inc. China (AMEC）
10.7.1 Advanced Micro-Fabrication Equipment Inc. China (AMEC） 企業情報、本社、販売地域、市場地位
10.7.2 Advanced Micro-Fabrication Equipment Inc. China (AMEC） SiC、GaN用エピタキシャル成長装置製品モデル、仕様、アプリケーション
10.7.3 Advanced Micro-Fabrication Equipment Inc. China (AMEC） SiC、GaN用エピタキシャル成長装置販売量、売上、価格、粗利益率、2019～2024
10.7.4 Advanced Micro-Fabrication Equipment Inc. China (AMEC） 会社紹介と事業概要
10.7.5 Advanced Micro-Fabrication Equipment Inc. China (AMEC） 最近の開発状況
10.8 ASM International
10.8.1 ASM International 企業情報、本社、販売地域、市場地位
10.8.2 ASM International SiC、GaN用エピタキシャル成長装置製品モデル、仕様、アプリケーション
10.8.3 ASM International SiC、GaN用エピタキシャル成長装置販売量、売上、価格、粗利益率、2019～2024
10.8.4 ASM International 会社紹介と事業概要
10.8.5 ASM International 最近の開発状況
11 結論
12 付録
12.1 研究方法論
12.2 データソース
12.2.1 二次資料
12.2.2 一次資料
12.3 データ クロスバリデーション
12.4 免責事項
| ※参考情報 SiC（シリコンカーバイド）とGaN（ガリウムナイトライド）は、次世代半導体材料として注目を集めており、それぞれの特性を活かしたエピタキシャル成長装置が重要な役割を果たしています。エピタキシャル成長とは、結晶構造を持つ基板上に薄膜を形成するプロセスを指し、特にシリコンカーバイドやガリウムナイトライドのようなワイドバンドギャップ半導体の特性を引き出すためには高度な技術が求められます。 SiCとGaNの特性として、まずSiCは高い耐熱性、耐圧性、そして優れた電気的特性を持つため、高電力デバイスや高温環境でのアプリケーションに適しています。一方、GaNは高効率な電力変換を可能にし、高周波数においても優れた性能を発揮します。これらの特性により、両者は電力エレクトロニクス、自動車、航空宇宙、通信機器など多様な分野で広く利用されています。 エピタキシャル成長装置自体は、基本的に一つの結晶基板上に新たな結晶層を形成するための設備であり、成長方法によっていくつかの種類に分類されます。代表的な成長技術としては、MOCVD（メタル有機化学気相成長）、HVPE（ホットバルブ気相成長）、およびCVD（化学気相成長）があります。MOCVDは、ガス状の precursor（前駆体）を利用して結晶を成長させる方法で、GaNの成長に特に広く使用されています。HVPEは、ガス中の物質を高温で反応させて成長する手法で、高品質なSiC層を形成する際に使用されます。CVDは、様々な材料に適用可能で、幅広い成長条件を設定できるため、柔軟性があります。 エピタキシャル成長装置の主な特徴の一つに、精密な温度制御機能や圧力制御機能が挙げられます。これにより、成長速度や薄膜の品質をコントロールすることが可能です。また、成長環境の清浄性も重要な要素であり、装置内部の不純物や異物の混入を防ぐための設計が求められます。さらに、リアルタイムでのモニタリング技術や制御システムも重要で、成長過程を監視し、必要に応じて条件を調整することで、より高品質なエピタキシャル層を得ることができます。 用途としては、SiCとGaNは高電力半導体デバイスの基礎材料として重要です。具体的には、SiCはパワーMOSFET（メタル酸化膜半導体電界効果トランジスタ）、IGBT（絶縁ゲートバイポーラトランジスタ）などに使用され、GaNはHEMT（高電子移動度トランジスタ）やパワーアンプに広く使用されます。これらのデバイスは、電力損失を抑え、高効率の電力変換を実現するため、次世代のエネルギー関連技術に不可欠です。 関連技術としては、エピタキシャル成長後のプロセスも重要です。たとえば、薄膜のエッチング技術や、パターン化技術を用いて、デバイス構造を形成する必要があります。さらに、各種分析手法（X線回折、電子顕微鏡、フォトルミネッセンス等）は、成長した薄膜の品質評価に役立ちます。 全体として、SiCおよびGaN用エピタキシャル成長装置は、次世代のエネルギー効率向上や高性能デバイスの実現に寄与する技術であり、今後もその進化が期待されます。半導体産業の発展は、これらの材料の特性を最大限に引き出すことによって、様々な分野での技術革新を促すことでしょう。 |
