目次

第1章 方法論と範囲
1.1. 方法論の区分と範囲
1.2. 情報収集
1.2.1. 購入データベース
1.2.2. GVR社内データベース
1.2.3. 二次情報源と第三者視点
1.2.4. プライマリ調査
1.3. 情報分析
1.3.1. データ分析モデル
1.4. 市場形成とデータ可視化
1.5. データ検証と公開
第2章 エグゼクティブサマリー
2.1. ハイkおよびCVD ALD金属前駆体市場 – 業界概況、2018年～2030年
第3章 高誘電率（High-k）およびCVD ALD金属前駆体市場の変数、動向、範囲
3.1. 市場規模と成長見通し、2018年～2030年
3.2. 産業バリューチェーン分析
3.3. 市場ダイナミクス
3.3.1. 市場推進要因分析
3.3.2. 市場抑制要因/課題分析
3.3.3. 市場機会分析
3.4. 浸透率と成長見通しのマッピング（主要機会を優先順位付け）
3.5. ビジネス環境分析ツール
3.5.1. 業界分析 – ポーターの5つの力分析
3.5.2. PEST分析
3.5.3. COVID-19影響分析
第4章. 高誘電率（High-k）およびCVD ALD金属前駆体市場：技術展望
4.1. 市場規模推定・予測およびトレンド分析（2018年～2030年、収益、百万米ドル）
4.2. インターコネクト
4.2.1. 地域別市場規模推定値と予測、2018年～2030年（収益、百万米ドル）
4.3. コンデンサ
4.3.1. 地域別市場規模推定値と予測、2018年～2030年（収益、百万米ドル）
4.4. ゲート
4.4.1. 地域別市場規模予測（2018年～2030年、収益、百万米ドル）
第5章 ハイ-kおよびCVD ALD金属前駆体市場：地域別展望
5.1. ハイ-kおよびCVD ALD金属前駆体市場、地域別、2020年および2030年
5.2. 北米
5.2.1. 技術別市場規模推計と予測、2018年～2030年（収益、百万米ドル）
5.2.2. 米国
5.2.2.1. 技術別市場規模推計と予測、2018年～2030年（収益、百万米ドル）
5.2.3. カナダ
5.2.3.1. 技術別市場規模推計と予測、2018年～2030年（収益、百万米ドル）
5.3. 欧州
5.3.1. 技術別市場規模推計と予測、2018年～2030年（収益、百万米ドル）
5.3.2. 英国
5.3.2.1. 技術別市場規模予測（2018年～2030年、収益、百万米ドル）
5.3.3. ドイツ
5.3.3.1. 技術別市場規模推計と予測、2018年～2030年（収益、百万米ドル）
5.3.4. その他の欧州地域
5.3.4.1. 技術別市場規模推計と予測、2018年～2030年（収益、百万米ドル）
5.4. アジア太平洋地域
5.4.1. 技術別市場規模推計と予測、2018年～2030年（収益、百万米ドル）
5.4.2. 中国
5.4.2.1. 技術別市場規模推計と予測、2018年～2030年（収益、百万米ドル）
5.4.3. インド
5.4.3.1. 技術別市場規模推計と予測、2018年～2030年（収益、百万米ドル）
5.4.4. 日本
5.4.4.1. 技術別市場規模推計と予測、2018年～2030年（収益、百万米ドル）
5.4.5. アジア太平洋地域その他
5.4.5.1. 技術別市場規模推計と予測、2018年～2030年（収益、百万米ドル）
5.5. ラテンアメリカ
5.5.1. 技術別市場規模推計と予測、2018年～2030年（収益、百万米ドル）
5.5.2. ブラジル
5.5.2.1. 技術別市場規模推計と予測、2018年～2030年（収益、百万米ドル）
5.5.3. メキシコ
5.5.3.1. 技術別市場規模推計と予測、2018年～2030年（収益、百万米ドル）
5.5.4. ラテンアメリカその他地域
5.5.4.1. 技術別市場規模推計と予測、2018年～2030年（収益、百万米ドル）
5.6. 中東・アフリカ地域
5.6.1. 技術別市場規模推計と予測（2018年～2030年、収益、百万米ドル）
第6章 競争環境
6.1. エア・リキード
6.1.1. 会社概要
6.1.2. 財務実績
6.1.3. 製品ベンチマーキング
6.1.4. 最近の動向
6.2. アデカ株式会社
6.2.1. 会社概要
6.2.2. 製品ベンチマーキング
6.2.3. 最近の動向
6.3. エア・プロダクツ・アンド・ケミカルズ社
6.3.1. 会社概要
6.3.2. 財務実績
6.3.3. 製品ベンチマーキング
6.3.4. 最近の動向
6.4. コルナテック
6.4.1. 会社概要
6.4.2. 財務実績
6.4.3. 製品ベンチマーキング
6.4.4. 最近の動向
6.5. ダウ・ケミカル
6.5.1. 会社概要
6.5.2. 財務実績
6.5.3. 製品ベンチマーク
6.5.4. 最近の動向
6.6. リンデ
6.6.1. 会社概要
6.6.2. 財務実績
6.6.3. 製品ベンチマーキング
6.6.4. 最近の動向
6.7. メルクKGAA
6.7.1. 会社概要
6.7.2. 財務実績
6.7.3. 製品ベンチマーキング
6.7.4. 最近の動向
6.8. ナンマット・テクノロジー株式会社
6.8.1. 会社概要
6.8.2. 財務実績
6.8.3. 製品ベンチマーキング
6.8.4. 最近の動向
6.9. プラクサイア
6.9.1. 会社概要
6.9.2. 財務実績
6.9.3. 製品ベンチマーキング
6.9.4. 最近の動向
6.10. サムスン
6.10.1. 会社概要
6.10.2. 財務実績
6.10.3. 製品ベンチマーキング
6.10.4. 最近の動向
6.11. ストリーム・ケミカルズ社
6.11.1. 会社概要
6.11.2. 財務実績
6.11.3. 製品ベンチマーキング
6.11.4. 最近の動向
6.12. トライ・ケミカル・ラボラトリーズ社
6.12.1. 会社概要
6.12.2. 財務実績
6.12.3. 製品ベンチマーキング
6.12.4. 最近の動向

Table of Contents

Chapter 1. Methodology and Scope
1.1. Methodology Segmentation & Scope
1.2. Information Procurement
1.2.1. Purchased database
1.2.2. GVR’s internal database
1.2.3. Secondary sources & third-party perspectives
1.2.4. Primary research
1.3. Information Analysis
1.3.1. Data analysis models
1.4. Market Formulation & Data Visualization
1.5. Data Validation & Publishing
Chapter 2. Executive Summary
2.1. High-k And CVD ALD Metal Precursors Market - Industry Snapshot, 2018 - 2030
Chapter 3. High-k And CVD ALD Metal Precursors Market Variables, Trends & Scope
3.1. Market Size and Growth Prospects, 2018 - 2030
3.2. Industry Value Chain Analysis
3.3. Market Dynamics
3.3.1. Market Driver Analysis
3.3.2. Market Restraint/Challenge Analysis
3.3.3. Market Opportunity Analysis
3.4. Penetration & Growth Prospect Mapping (Key Opportunities Prioritized)
3.5. Business Environment Analysis Tools
3.5.1. Industry Analysis - Porter's Five Forces Analysis
3.5.2. PEST Analysis
3.5.3. COVID-19 Impact Analysis
Chapter 4. High-k and CVD ALD Metal Precursors Market: Technology Outlook
4.1. Market Size Estimates & Forecasts and Trend Analysis, 2018 - 2030 (Revenue, USD Million)
4.2. Interconnect
4.2.1. Market estimates and forecasts by region, 2018 - 2030 (Revenue, USD Million)
4.3. Capacitors
4.3.1. Market estimates and forecasts by region, 2018 - 2030 (Revenue, USD Million)
4.4. Gates
4.4.1. Market estimates and forecasts by region, 2018 - 2030 (Revenue, USD Million)
Chapter 5. High-k and CVD ALD Metal Precursors Market: Regional Outlook
5.1. High-k and CVD ALD Metal Precursors Market, By Region, 2020 & 2030
5.2. North America
5.2.1. Market estimates and forecasts by technology, 2018 - 2030 (Revenue, USD Million)
5.2.2. U.S.
5.2.2.1. Market estimates and forecasts by technology, 2018 - 2030 (Revenue, USD Million)
5.2.3. Canada
5.2.3.1. Market estimates and forecasts by technology, 2018 - 2030 (Revenue, USD Million)
5.3. Europe
5.3.1. Market estimates and forecasts by technology, 2018 - 2030 (Revenue, USD Million)
5.3.2. U.K.
5.3.2.1. Market estimates and forecasts by technology, 2018 - 2030 (Revenue, USD Million)
5.3.3. Germany
5.3.3.1. Market estimates and forecasts by technology, 2018 - 2030 (Revenue, USD Million)
5.3.4. Rest of Europe
5.3.4.1. Market estimates and forecasts by technology, 2018 - 2030 (Revenue, USD Million)
5.4. Asia Pacific
5.4.1. Market estimates and forecasts by technology, 2018 - 2030 (Revenue, USD Million)
5.4.2. China
5.4.2.1. Market estimates and forecasts by technology, 2018 - 2030 (Revenue, USD Million)
5.4.3. India
5.4.3.1. Market estimates and forecasts by technology, 2018 - 2030 (Revenue, USD Million)
5.4.4. Japan
5.4.4.1. Market estimates and forecasts by technology, 2018 - 2030 (Revenue, USD Million)
5.4.5. Rest of Asia Pacific
5.4.5.1. Market estimates and forecasts by technology, 2018 - 2030 (Revenue, USD Million)
5.5. Latin America
5.5.1. Market estimates and forecasts by technology, 2018 - 2030 (Revenue, USD Million)
5.5.2. Brazil
5.5.2.1. Market estimates and forecasts by technology, 2018 - 2030 (Revenue, USD Million)
5.5.3. Mexico
5.5.3.1. Market estimates and forecasts by technology, 2018 - 2030 (Revenue, USD Million)
5.5.4. Rest of Latin America
5.5.4.1. Market estimates and forecasts by technology, 2018 - 2030 (Revenue, USD Million)
5.6. Middle East & Africa
5.6.1. Market estimates and forecasts by technology, 2018 - 2030 (Revenue, USD Million)
Chapter 6. Competitive Landscape
6.1. Air Liquide
6.1.1. Company overview
6.1.2. Financial performance
6.1.3. Product benchmarking
6.1.4. Recent developments
6.2. Adeka Corporation
6.2.1. Company overview
6.2.2. Product benchmarking
6.2.3. Recent developments
6.3. Air Product & Chemicals, Inc.
6.3.1. Company overview
6.3.2. Financial performance
6.3.3. Product benchmarking
6.3.4. Recent developments
6.4. Colnatec
6.4.1. Company overview
6.4.2. Financial performance
6.4.3. Product benchmarking
6.4.4. Recent developments
6.5. Dow Chemical
6.5.1. Company overview
6.5.2. Financial performance
6.5.3. Product benchmarking
6.5.4. Recent developments
6.6. Linde
6.6.1. Company overview
6.6.2. Financial performance
6.6.3. Product benchmarking
6.6.4. Recent developments
6.7. Merck KGAA
6.7.1. Company overview
6.7.2. Financial performance
6.7.3. Product benchmarking
6.7.4. Recent developments
6.8. Nanmat Technology Co. Ltd.
6.8.1. Company overview
6.8.2. Financial performance
6.8.3. Product benchmarking
6.8.4. Recent developments
6.9. Praxair
6.9.1. Company overview
6.9.2. Financial performance
6.9.3. Product benchmarking
6.9.4. Recent developments
6.10. Samsung
6.10.1. Company overview
6.10.2. Financial performance
6.10.3. Product benchmarking
6.10.4. Recent developments
6.11. Strem Chemicals, Inc.
6.11.1. Company overview
6.11.2. Financial performance
6.11.3. Product benchmarking
6.11.4. Recent developments
6.12. Tri Chemical Laboratories Inc.
6.12.1. Company overview
6.12.2. Financial performance
6.12.3. Product benchmarking
6.12.4. Recent developments

※参考情報 High-k材料とは、誘電体として高い誘電率を持つ材料のことで、特に半導体デバイスにおいて重要な役割を果たします。従来のシリコン酸化物の代替として用いられることが多く、特にMOSFETやメモリデバイスにおけるゲート絶縁膜として利用されています。これにより、デバイスのスケーリングを実現し、性能を向上させることが可能になります。 CVD（Chemical Vapor Deposition）とALD（Atomic Layer Deposition）は、薄膜を形成するための代表的な技術です。CVDは、気相中の化学反応を利用して物質を基板上に堆積させるプロセスで、比較的厚い膜を均一に形成するのに適しています。一方、ALDは原子層ごとに薄膜を成長させる方法で、ナノスケールの精密な厚さ制御が可能です。ALDは特に高い均一性と良好な界面特性が求められる場面で使われます。 High-k材料を用いたデバイス製造において、CVDとALDは重要な役割を果たします。これらの技術により、特定の材料を高精度で堆積でき、微細構造を持つデバイスにおいても優れた性能を発揮します。特にALDは、表面反応を利用して非常に薄い膜を積層的に形成するため、複雑な形状の基板や高アスペクト比の構造に対しても均一に膜を堆積できることが大きな利点です。 金属前駆体は、CVDやALDプロセスで使用される出発材料で、特定の金属成分を含んでいます。これらの前駆体は、気相中で分解されて金属として堆積する特性を持つため、非常に重要です。金属前駆体には、金属-オーガニック化合物や金属ハロゲン化物、金属アルコキシドなどがあり、それぞれ異なる特性や反応性を持っています。 High-kおよびCVD/ALD金属前駆体の代表的な種類には、例えばHfO2（ハフニウム酸化物）、ZrO2（ジルコニウム酸化物）、並びに各種金属の前駆体が含まれます。HfO2は特に良好な誘電特性を持ち、MOSFETのゲート絶縁膜として広く使用されています。一方、ZrO2やLa2O3（ランタンオキシド）などの材料も使用されることがあり、デバイス特性の向上に寄与しています。 これらの材料は、記憶装置（NAND型やDRAM）や集積回路、さらにはセンサー技術に至るまで、様々な半導体デバイスに応用されています。特に、記憶装置においては、高速動作や低消費電力が求められ、高い誘電率のHigh-k材料の利用は不可欠です。また、これらの技術により、さらなる集積度の向上やデバイス性能の改善が期待されています。 関連技術としては、材料科学におけるナノ構造技術や、表面処理技術、さらにはプロセス制御技術などがあります。特にナノ構造技術は、デバイスの性能向上に直結するため、重要な研究分野となっています。また、前駆体の化学設計や合成技術も進化しており、より効率的で安定した材料が開発され続けています。 今後、新しいHigh-k材料や金属前駆体の開発は、デバイスの性能向上や次世代の半導体技術においてますます重要になってくるでしょう。これにより、さらなる高性能化や低消費電力化が進むことが期待され、半導体業界の革新につながると見られています。