1 序文
2 調査範囲と方法論
2.1 調査目的
2.2 関係者
2.3 データソース
2.3.1 一次情報源
2.3.2 二次情報源
2.4 市場推定手法
2.4.1 ボトムアップアプローチ
2.4.2 トップダウンアプローチ
2.5 予測方法論
3 エグゼクティブサマリー
4 導入
4.1 概要
4.2 主要な業界動向
5 世界のシリコン・オン・インシュレータ市場
5.1 市場概要
5.2 市場パフォーマンス
5.3 COVID-19の影響
5.4 市場予測
6 ウェーハサイズ別市場分析
6.1 300 mm
6.1.1 市場動向
6.1.2 市場予測
6.2 200 mm
6.2.1 市場動向
6.2.2 市場予測
7 ウェーハタイプ別市場分析
7.1 FD-SOI
7.1.1 市場動向
7.1.2 市場予測
7.2 RF-SOI
7.2.1 市場動向
7.2.2 市場予測
7.3 PD-SOI
7.3.1 市場動向
7.3.2 市場予測
7.4 その他
7.4.1 市場動向
7.4.2 市場予測
8 技術別市場分析
8.1 スマートカット
8.1.1 市場動向
8.1.2 市場予測
8.2 BESOI
8.2.1 市場動向
8.2.2 市場予測
8.3 SiMOX
8.3.1 市場動向
8.3.2 市場予測
8.4 ELTRAN
8.4.1 市場動向
8.4.2 市場予測
8.5 SoS
8.5.1 市場動向
8.5.2 市場予測
9 製品別市場分析
9.1 RF FEM製品
9.1.1 市場動向
9.1.2 市場予測
9.2 MEMSデバイス
9.2.1 市場動向
9.2.2 市場予測
9.3 パワー製品
9.3.1 市場動向
9.3.2 市場予測
9.4 光通信
9.4.1 市場動向
9.4.2 市場予測
9.5 イメージセンシング
9.5.1 市場動向
9.5.2 市場予測
10 用途別市場分析
10.1 民生用電子機器
10.1.1 市場動向
10.1.2 市場予測
10.2 自動車
10.2.1 市場動向
10.2.2 市場予測
10.3 データ通信・電気通信
10.3.1 市場動向
10.3.2 市場予測
10.4 産業用
10.4.1 市場動向
10.4.2 市場予測
10.5 フォトニクス
10.5.1 市場動向
10.5.2 市場予測
10.6 その他
10.6.1 市場動向
10.6.2 市場予測
11 地域別市場分析
11.1 北米
11.1.1 アメリカ合衆国
11.1.1.1 市場動向
11.1.1.2 市場予測
11.1.2 カナダ
11.1.2.1 市場動向
11.1.2.2 市場予測
11.2 アジア太平洋地域
11.2.1 中国
11.2.1.1 市場動向
11.2.1.2 市場予測
11.2.2 日本
11.2.2.1 市場動向
11.2.2.2 市場予測
11.2.3 インド
11.2.3.1 市場動向
11.2.3.2 市場予測
11.2.4 韓国
11.2.4.1 市場動向
11.2.4.2 市場予測
11.2.5 オーストラリア
11.2.5.1 市場動向
11.2.5.2 市場予測
11.2.6 インドネシア
11.2.6.1 市場動向
11.2.6.2 市場予測
11.2.7 その他
11.2.7.1 市場動向
11.2.7.2 市場予測
11.3 欧州
11.3.1 ドイツ
11.3.1.1 市場動向
11.3.1.2 市場予測
11.3.2 フランス
11.3.2.1 市場動向
11.3.2.2 市場予測
11.3.3 イギリス
11.3.3.1 市場動向
11.3.3.2 市場予測
11.3.4 イタリア
11.3.4.1 市場動向
11.3.4.2 市場予測
11.3.5 スペイン
11.3.5.1 市場動向
11.3.5.2 市場予測
11.3.6 ロシア
11.3.6.1 市場動向
11.3.6.2 市場予測
11.3.7 その他
11.3.7.1 市場動向
11.3.7.2 市場予測
11.4 ラテンアメリカ
11.4.1 ブラジル
11.4.1.1 市場動向
11.4.1.2 市場予測
11.4.2 メキシコ
11.4.2.1 市場動向
11.4.2.2 市場予測
11.4.3 その他
11.4.3.1 市場動向
11.4.3.2 市場予測
11.5 中東・アフリカ
11.5.1 市場動向
11.5.2 国別市場分析
11.5.3 市場予測
12 SWOT分析
12.1 概要
12.2 強み
12.3 弱み
12.4 機会
12.5 脅威
13 バリューチェーン分析
14 ポーターの5つの力分析
14.1 概要
14.2 買い手の交渉力
14.3 供給者の交渉力
14.4 競争の激しさ
14.5 新規参入の脅威
14.6 代替品の脅威
15 価格分析
16 競争環境
16.1 市場構造
16.2 主要プレイヤー
16.3 主要プレイヤーのプロファイル
16.3.1 グローバルウェーハーズ株式会社（中米シリコンプロダクツ株式会社）
16.3.1.1 会社概要
16.3.1.2 製品ポートフォリオ
16.3.1.3 財務状況
16.3.2 グローバルファウンドリーズ社
16.3.2.1 会社概要
16.3.2.2 製品ポートフォリオ
16.3.2.3 財務状況
16.3.3 村田製作所
16.3.3.1 会社概要
16.3.3.2 製品ポートフォリオ
16.3.3.3 財務状況
16.3.3.4 SWOT分析
16.3.4 NXPセミコンダクターズN.V.
16.3.4.1 会社概要
16.3.4.2 製品ポートフォリオ
16.3.4.3 財務状況
16.3.4.4 SWOT分析
16.3.5 上海シングイテクノロジー株式会社
16.3.5.1 会社概要
16.3.5.2 製品ポートフォリオ
16.3.6 信越化学工業株式会社
16.3.6.1 会社概要
16.3.6.2 製品ポートフォリオ
16.3.6.3 財務状況
16.3.6.4 SWOT分析
16.3.7 シリコンバレー・マイクロエレクトロニクス株式会社
16.3.7.1 会社概要
16.3.7.2 製品ポートフォリオ
16.3.8 ソイテック
16.3.8.1 会社概要
16.3.8.2 製品ポートフォリオ
16.3.8.3 財務状況
16.3.8.4 SWOT分析
16.3.9 STマイクロエレクトロニクス
16.3.9.1 会社概要
16.3.9.2 製品ポートフォリオ
16.3.10 SUMCO株式会社
16.3.10.1 会社概要
16.3.10.2 製品ポートフォリオ
16.3.10.3 財務状況
16.3.10.4 SWOT分析
16.3.11 タワーセミコンダクター株式会社
16.3.11.1 会社概要
16.3.11.2 製品ポートフォリオ
16.3.11.3 財務状況
16.3.12 ユナイテッド・マイクロエレクトロニクス・コーポレーション
16.3.12.1 会社概要
16.3.12.2 製品ポートフォリオ
16.3.12.3 財務状況
16.3.12.4 SWOT分析

1 Preface
2 Scope and Methodology
2.1 Objectives of the Study
2.2 Stakeholders
2.3 Data Sources
2.3.1 Primary Sources
2.3.2 Secondary Sources
2.4 Market Estimation
2.4.1 Bottom-Up Approach
2.4.2 Top-Down Approach
2.5 Forecasting Methodology
3 Executive Summary
4 Introduction
4.1 Overview
4.2 Key Industry Trends
5 Global Silicon on Insulator Market
5.1 Market Overview
5.2 Market Performance
5.3 Impact of COVID-19
5.4 Market Forecast
6 Market Breakup by Wafer Size
6.1 300 mm
6.1.1 Market Trends
6.1.2 Market Forecast
6.2 200 mm
6.2.1 Market Trends
6.2.2 Market Forecast
7 Market Breakup by Wafer Type
7.1 FD-SOI
7.1.1 Market Trends
7.1.2 Market Forecast
7.2 RF-SOI
7.2.1 Market Trends
7.2.2 Market Forecast
7.3 PD-SOI
7.3.1 Market Trends
7.3.2 Market Forecast
7.4 Others
7.4.1 Market Trends
7.4.2 Market Forecast
8 Market Breakup by Technology
8.1 Smart Cut
8.1.1 Market Trends
8.1.2 Market Forecast
8.2 BESOI
8.2.1 Market Trends
8.2.2 Market Forecast
8.3 SiMOX
8.3.1 Market Trends
8.3.2 Market Forecast
8.4 ELTRAN
8.4.1 Market Trends
8.4.2 Market Forecast
8.5 SoS
8.5.1 Market Trends
8.5.2 Market Forecast
9 Market Breakup by Product
9.1 RF FEM Products
9.1.1 Market Trends
9.1.2 Market Forecast
9.2 MEMS Devices
9.2.1 Market Trends
9.2.2 Market Forecast
9.3 Power Products
9.3.1 Market Trends
9.3.2 Market Forecast
9.4 Optical Communication
9.4.1 Market Trends
9.4.2 Market Forecast
9.5 Image Sensing
9.5.1 Market Trends
9.5.2 Market Forecast
10 Market Breakup by Application
10.1 Consumer Electronics
10.1.1 Market Trends
10.1.2 Market Forecast
10.2 Automotive
10.2.1 Market Trends
10.2.2 Market Forecast
10.3 Datacom and Telecom
10.3.1 Market Trends
10.3.2 Market Forecast
10.4 Industrial
10.4.1 Market Trends
10.4.2 Market Forecast
10.5 Photonics
10.5.1 Market Trends
10.5.2 Market Forecast
10.6 Others
10.6.1 Market Trends
10.6.2 Market Forecast
11 Market Breakup by Region
11.1 North America
11.1.1 United States
11.1.1.1 Market Trends
11.1.1.2 Market Forecast
11.1.2 Canada
11.1.2.1 Market Trends
11.1.2.2 Market Forecast
11.2 Asia-Pacific
11.2.1 China
11.2.1.1 Market Trends
11.2.1.2 Market Forecast
11.2.2 Japan
11.2.2.1 Market Trends
11.2.2.2 Market Forecast
11.2.3 India
11.2.3.1 Market Trends
11.2.3.2 Market Forecast
11.2.4 South Korea
11.2.4.1 Market Trends
11.2.4.2 Market Forecast
11.2.5 Australia
11.2.5.1 Market Trends
11.2.5.2 Market Forecast
11.2.6 Indonesia
11.2.6.1 Market Trends
11.2.6.2 Market Forecast
11.2.7 Others
11.2.7.1 Market Trends
11.2.7.2 Market Forecast
11.3 Europe
11.3.1 Germany
11.3.1.1 Market Trends
11.3.1.2 Market Forecast
11.3.2 France
11.3.2.1 Market Trends
11.3.2.2 Market Forecast
11.3.3 United Kingdom
11.3.3.1 Market Trends
11.3.3.2 Market Forecast
11.3.4 Italy
11.3.4.1 Market Trends
11.3.4.2 Market Forecast
11.3.5 Spain
11.3.5.1 Market Trends
11.3.5.2 Market Forecast
11.3.6 Russia
11.3.6.1 Market Trends
11.3.6.2 Market Forecast
11.3.7 Others
11.3.7.1 Market Trends
11.3.7.2 Market Forecast
11.4 Latin America
11.4.1 Brazil
11.4.1.1 Market Trends
11.4.1.2 Market Forecast
11.4.2 Mexico
11.4.2.1 Market Trends
11.4.2.2 Market Forecast
11.4.3 Others
11.4.3.1 Market Trends
11.4.3.2 Market Forecast
11.5 Middle East and Africa
11.5.1 Market Trends
11.5.2 Market Breakup by Country
11.5.3 Market Forecast
12 SWOT Analysis
12.1 Overview
12.2 Strengths
12.3 Weaknesses
12.4 Opportunities
12.5 Threats
13 Value Chain Analysis
14 Porters Five Forces Analysis
14.1 Overview
14.2 Bargaining Power of Buyers
14.3 Bargaining Power of Suppliers
14.4 Degree of Competition
14.5 Threat of New Entrants
14.6 Threat of Substitutes
15 Price Analysis
16 Competitive Landscape
16.1 Market Structure
16.2 Key Players
16.3 Profiles of Key Players
16.3.1 GlobalWafers Co. Ltd. (Sino-American Silicon Products Inc.)
16.3.1.1 Company Overview
16.3.1.2 Product Portfolio
16.3.1.3 Financials
16.3.2 GlobalFoundries Inc.
16.3.2.1 Company Overview
16.3.2.2 Product Portfolio
16.3.2.3 Financials
16.3.3 Murata Manufacturing Co. Ltd.
16.3.3.1 Company Overview
16.3.3.2 Product Portfolio
16.3.3.3 Financials
16.3.3.4 SWOT Analysis
16.3.4 NXP Semiconductors N.V.
16.3.4.1 Company Overview
16.3.4.2 Product Portfolio
16.3.4.3 Financials
16.3.4.4 SWOT Analysis
16.3.5 Shanghai Simgui Technology Co. Ltd.
16.3.5.1 Company Overview
16.3.5.2 Product Portfolio
16.3.6 Shin-Etsu Chemical Co. Ltd.
16.3.6.1 Company Overview
16.3.6.2 Product Portfolio
16.3.6.3 Financials
16.3.6.4 SWOT Analysis
16.3.7 Silicon Valley Microelectronics Inc.
16.3.7.1 Company Overview
16.3.7.2 Product Portfolio
16.3.8 Soitec
16.3.8.1 Company Overview
16.3.8.2 Product Portfolio
16.3.8.3 Financials
16.3.8.4 SWOT Analysis
16.3.9 STMicroelectronics
16.3.9.1 Company Overview
16.3.9.2 Product Portfolio
16.3.10 SUMCO Corporation
16.3.10.1 Company Overview
16.3.10.2 Product Portfolio
16.3.10.3 Financials
16.3.10.4 SWOT Analysis
16.3.11 Tower Semiconductor Ltd.
16.3.11.1 Company Overview
16.3.11.2 Product Portfolio
16.3.11.3 Financials
16.3.12 United Microelectronics Corporation
16.3.12.1 Company Overview
16.3.12.2 Product Portfolio
16.3.12.3 Financials
16.3.12.4 SWOT Analysis

※参考情報 シリコン・オン・インシュレータ（SOI）は、半導体デバイスを製造するための技術であり、シリコン基板の上に薄いシリコン層を設け、その下に絶縁層を持つ構造を持っています。この技術は、従来のシリコン基板に比べて電力消費を抑え、高速動作を実現するための重要な手法として広く利用されています。 SOIの基本的な概念は、絶縁層を備えたシリコン層上にトランジスタを配置することによって、デバイスの特性を向上させることです。これにより、ショートホール効果やパラジックランなどの問題が緩和され、デバイスの性能が向上します。SOI構造は、通常、酸化シリコンや窒化シリコンなどの絶縁材料を基盤として使用します。 SOIには主に3つの種類があります。一つ目は、フルSOI（Fully Depleted SOI、FD-SOI）で、シリコン層が非常に薄く、全領域がデバイスの動作に寄与します。このタイプのSOIは、省電力で高性能なデバイスに適しています。二つ目は、パーツルート（Partially Depleted SOI、PD-SOI）で、シリコン層が比較的厚く、完全には枯渇しません。このため、電圧スケーリングが可能であり、特定のアプリケーションに受け入れられる場合があります。三つ目は、ストラクチャー・オン・インシュレータ（Structure on Insulator、SOI）で、特定の構造体が基板上に成長している状態を指します。これは特に集積回路の製造において用いられます。 SOIの用途は、多岐にわたります。主な用途としては、高性能プロセッサやメモリデバイス、RFIC（無線周波数集積回路）、パワーエレクトロニクス、さらにはフォトニクスデバイスなどがあります。また、SOIは、低電力を必要とするデバイスに特に有用です。たとえば、モバイル機器やIoTデバイスなどでは、バッテリー寿命を延ばすために低消費電力が要求されます。 SOI技術が注目される理由は、その高い集積度や優れた電気的特性、さらには製造コストの低減にも寄与する点です。伝統的なバルクシリコンデバイスと比較して、SOIデバイスは、減少したリーク電流、高速スイッチング、低電力消費が実現できるため、デジタル回路やアナログ回路の両方で利点があります。これにより、さまざまな分野での応用が促進されています。 関連技術としては、フォトリソグラフィーやエッチング技術、成膜技術などの半導体製造プロセスが挙げられます。これら技術の進化がSOI技術の性能向上に寄与しています。また、シリコンフォトニクスや量子コンピュータにおいてもSOI技術は重要な役割を果たすと期待されており、研究が進行中です。 さまざまなアプリケーションにおいて、SOI技術は進化を続けています。新しい材料や製造方法の開発により、さらなる高性能・低消費電力のデバイスが期待されており、業界全体での技術革新が進む中、SOIは今後も重要な位置を占めることでしょう。環境に配慮したエコデバイスの開発や、高性能コンピュータの要望に応じた技術進化の中で、SOI技術の役割はますます重要になっていくと考えられています。