1.0MarketReport.jphttps://www.marketreport.jp/insightglobalresearchhttps://www.marketreport.jp/insight/author/globalresearch/rich600338<blockquote class="wp-embedded-content" data-secret="8fXDocQgek"><a href="https://www.marketreport.jp/insight/imarc23oc363/">スーパージャンクションMOSFET市場：世界の産業動向、シェア、規模、成長、機会、2023-2028年予測</a></blockquote><iframe sandbox="allow-scripts" security="restricted" src="https://www.marketreport.jp/insight/imarc23oc363/embed/#?secret=8fXDocQgek" width="600" height="338" title="“スーパージャンクションMOSFET市場：世界の産業動向、シェア、規模、成長、機会、2023-2028年予測” — MarketReport.jp" data-secret="8fXDocQgek" frameborder="0" marginwidth="0" marginheight="0" scrolling="no" class="wp-embedded-content"></iframe><script type="text/javascript"> /* <![CDATA[ */ /*! This file is auto-generated */ !function(d,l){"use strict";l.querySelector&&d.addEventListener&&"undefined"!=typeof URL&&(d.wp=d.wp||{},d.wp.receiveEmbedMessage||(d.wp.receiveEmbedMessage=function(e){var t=e.data;if((t||t.secret||t.message||t.value)&&!/[^a-zA-Z0-9]/.test(t.secret)){for(var s,r,n,a=l.querySelectorAll('iframe[data-secret="'+t.secret+'"]'),o=l.querySelectorAll('blockquote[data-secret="'+t.secret+'"]'),c=new RegExp("^https?:$","i"),i=0;i<o.length;i++)o[i].style.display="none";for(i=0;i<a.length;i++)s=a[i],e.source===s.contentWindow&&(s.removeAttribute("style"),"height"===t.message?(1e3<(r=parseInt(t.value,10))?r=1e3:~~r<200&&(r=200),s.height=r):"link"===t.message&&(r=new URL(s.getAttribute("src")),n=new URL(t.value),c.test(n.protocol))&&n.host===r.host&&l.activeElement===s&&(d.top.location.href=t.value))}},d.addEventListener("message",d.wp.receiveEmbedMessage,!1),l.addEventListener("DOMContentLoaded",function(){for(var e,t,s=l.querySelectorAll("iframe.wp-embedded-content"),r=0;r<s.length;r++)(t=(e=s[r]).getAttribute("data-secret"))||(t=Math.random().toString(36).substring(2,12),e.src+="#?secret="+t,e.setAttribute("data-secret",t)),e.contentWindow.postMessage({message:"ready",secret:t},"*")},!1)))}(window,document); /* ]]> */ </script> 市場の概要 スーパージャンクションMOSFETの世界市場規模は2022年に29億米ドルに達した。今後、IMARC Groupは、2023～2028年の成長率（CAGR）は13%で、2028年には60億米ドルに達すると予測している。 超接合金属酸化膜半導体電界効果トランジスタ（MOSFET）は、さまざまなパワー半導体部品であり、高電圧・高周波アプリケーション向けの新技術である。MOSFETは、マルチエピタキシャル成長技術とディープトレンチ技術を用いて製造され、高い電力密度とシステムの信頼性・効率を必要とする電子機器の製造に広く使用されている。こうした電子機器には、サーバー、コンピューティング・デバイス、産業用電源部品、ソーラー・インバーター、照明、家電製品などが含まれる。従来から使用されているプレーナー・シリコンMOSFETに比べ、スーパージャンクションMOSFETは伝導損失とスイッチング損失が著しく低い。また、住宅や商業施設のグリーン電力管理システムの開発にも利用され、電力損失を抑制している。 エネルギー効率の高い電気システムに対する需要の高まりは、市場の成長を促す主な要因のひとつである。さらに、自動車用電子部品の製造に製品が広く採用されていることも、市場の成長を後押ししている。自動車用バッテリーにはスーパージャンクションMOSFETが搭載され、燃費の向上、車内空間の拡大、乗員の快適性の向上が図られている。これに伴い、電源アダプターや電源の小型化も製品需要にプラスの影響を与えている。これに加えて、導通損失を最小限に抑え、軽負荷時のワット損失を抑制し、逆回復を改善した第2世代スーパージャンクションMOSFETの開発など、さまざまな技術進歩も市場に明るい見通しをもたらしている。このほか、再生可能エネルギー資源を利用した電源の利用が増加していることや、広範な研究開発（R&D）活動なども、市場をさらに牽引すると予測される。 主な市場セグメンテーション IMARC Groupは、スーパージャンクションMOSFETの世界市場レポートの各サブセグメントにおける主要動向の分析と、2023年から2028年までの世界、地域、国レベルでの予測を提供しています。当レポートでは、市場をタイプ、技術、材料、用途に基づいて分類しています。 タイプ別内訳 高電圧スーパージャンクションMOSFET 低電圧スーパージャンクションMOSFET 技術別構成比 従来型パワーMOSFET マルチプルエピタキシー技術 ディープトレンチ技術 材料別の内訳 基板材料 遷移/酸化物層 電極材料 その他 用途別内訳 照明用 電源 ディスプレイ機器 その他 地域別内訳 北米 米国 カナダ アジア太平洋 中国 日本 インド 韓国 オーストラリア インドネシア その他 ヨーロッパ ドイツ フランス イギリス イタリア スペイン ロシア その他 ラテンアメリカ ブラジル メキシコ その他 中東・アフリカ 競争状況 本レポートでは、市場の競争環境についても分析しており、主要企業として、Alpha and Omega Semiconductor社、富士電機株式会社、IceMOS Technology Ltd.、Infineon Technologies AG社、NXP Semiconductors社、On Semiconductor Corporation社、Rohm Co.Ltd., IceMOS Technology Ltd., Infineon Technologies AG, NXP Semiconductors, On Semiconductor Corporation, Rohm Co Ltd., STMicroelectronics, Toshiba Corporation, Vishay Intertechnology Inc.などである。 本レポートで扱う主な質問 スーパージャンクションMOSFETの世界市場はこれまでどのように推移してきたか？ 主要な地域市場は？ COVID-19が世界の超接合MOSFET市場に与えた影響は？ 市場のタイプ別内訳は？ 技術別の内訳は？ 材料別の内訳は？ 用途別の市場構成は？ 業界のバリューチェーンにおける様々な段階とは？ 業界の主要な推進要因と課題は何か？ スーパージャンクションMOSFETの世界市場構造と主要プレーヤーは？ 業界における競争の度合いは？