1.0MarketReport.jphttps://www.marketreport.jp/insightmarketresearchhttps://www.marketreport.jp/insight/author/marketresearch/rich600338<blockquote class="wp-embedded-content" data-secret="lh4Dvmw4lu"><a href="https://www.marketreport.jp/insight/compound-semiconductor-market-mam/">化合物半導体の市場規模：タイプ別（GaN、GaAs、SiC、InP）、製品別（LED、オプトエレクトロニクス、RFデバイス、パワーエレクトロニクス）、用途別（通信、一般照明、自動車、民生機器、電源）、地域別 – 2027年までの世界予測</a></blockquote><iframe sandbox="allow-scripts" security="restricted" src="https://www.marketreport.jp/insight/compound-semiconductor-market-mam/embed/#?secret=lh4Dvmw4lu" width="600" height="338" title="“化合物半導体の市場規模：タイプ別（GaN、GaAs、SiC、InP）、製品別（LED、オプトエレクトロニクス、RFデバイス、パワーエレクトロニクス）、用途別（通信、一般照明、自動車、民生機器、電源）、地域別 – 2027年までの世界予測” — MarketReport.jp" data-secret="lh4Dvmw4lu" frameborder="0" marginwidth="0" marginheight="0" scrolling="no" class="wp-embedded-content"></iframe><script type="text/javascript"> /* <![CDATA[ */ /*! This file is auto-generated */ !function(d,l){"use strict";l.querySelector&&d.addEventListener&&"undefined"!=typeof URL&&(d.wp=d.wp||{},d.wp.receiveEmbedMessage||(d.wp.receiveEmbedMessage=function(e){var t=e.data;if((t||t.secret||t.message||t.value)&&!/[^a-zA-Z0-9]/.test(t.secret)){for(var s,r,n,a=l.querySelectorAll('iframe[data-secret="'+t.secret+'"]'),o=l.querySelectorAll('blockquote[data-secret="'+t.secret+'"]'),c=new RegExp("^https?:$","i"),i=0;i<o.length;i++)o[i].style.display="none";for(i=0;i<a.length;i++)s=a[i],e.source===s.contentWindow&&(s.removeAttribute("style"),"height"===t.message?(1e3<(r=parseInt(t.value,10))?r=1e3:~~r<200&&(r=200),s.height=r):"link"===t.message&&(r=new URL(s.getAttribute("src")),n=new URL(t.value),c.test(n.protocol))&&n.host===r.host&&l.activeElement===s&&(d.top.location.href=t.value))}},d.addEventListener("message",d.wp.receiveEmbedMessage,!1),l.addEventListener("DOMContentLoaded",function(){for(var e,t,s=l.querySelectorAll("iframe.wp-embedded-content"),r=0;r<s.length;r++)(t=(e=s[r]).getAttribute("data-secret"))||(t=Math.random().toString(36).substring(2,12),e.src+="#?secret="+t,e.setAttribute("data-secret",t)),e.contentWindow.postMessage({message:"ready",secret:t},"*")},!1)))}(window,document); /* ]]> */ </script> 化合物半導体の市場規模は、予測期間中に年平均成長率6.6%で2027年までに558億ドルに達すると予測されている。 パワーエレクトロニクスにおけるSiCデバイスの需要拡大、GaNエコシステムにおける継続的な技術の出現は、化合物半導体産業の成長を促進する要因のひとつである。 化合物半導体の市場ダイナミクス： ドライバーパワーエレクトロニクスにおけるSiCデバイスの需要拡大 シリコンベースのデバイスに比べ、SiCデバイスは絶縁破壊電界強度が10倍、熱伝導率が3倍である。この特性により、デバイスの複雑さとコストが削減され、信頼性が向上し、ソーラー・インバーター、電源、風力タービンなど、さまざまな高電圧アプリケーションに適している。パワーエレクトロニクスへの需要の高まりが、SiCパワーデバイス市場の成長を牽引している。パワーエレクトロニクスは、電力の制御と変換を効果的かつ効率的に行う。航空宇宙、医療、防衛などの垂直分野におけるパワーエレクトロニクス需要の高まりは、SiCパワーデバイスの採用を増加させる上で極めて重要である。 制約：化合物半導体に関連する高い材料費と製造コスト 化合物半導体市場の成長を抑制する主な要因は、サプライチェーンの全工程に関わる支出が大きいことである。すべてのサプライチェーンプロセス（川上から川下までの支出を含む）を合計した化合物半導体デバイス1個当たりの平均支出は、純シリコン半導体デバイス1個当たりの平均支出をはるかに上回る。その主な理由は、すべての工程が複雑で新しく、先端技術を採用し、高価な最新設備を必要とするからである。また、化合物半導体業界の技術者や経営陣の間では、製造プロセスに関する知識や必要な専門知識が不足している。 化合物半導体は高温環境下で商業的に合成されるため、Si原料よりも高価である一方、Siは天然に存在するシリカから容易に抽出できる。デバイス製造中、ファウンドリやファブ施設の数が少ないなど、いくつかの要因がファウンドリやファブのコストを高くしている。さらに、組み立て、テスト、パッケージングなどの最終段階は、先端技術に基づく適切な設備がないため、コストが高くなる。上記の理由から、半導体業界のプレーヤーは化合物半導体業界への参入に懐疑的である。そのため、化合物半導体業界のバリューチェーンの成長と業界セグメントの発展が妨げられ、この市場におけるプレーヤー数の増加に影響を与えている。 チャンス：5Gインフラ開発におけるGaN利用の可能性 5G無線基地局は、効率、性能、価値を提供する技術を組み込むことが求められている。GaNソリューションは、これらの機能を実現するために不可欠なコンポーネントです。横拡散金属酸化膜半導体（LDMOS）と比較して、GaN-on-SiCは5G基地局の効率と性能を大幅に改善します。GaN-on-SiCが提供するその他の利点には、熱伝導性の向上、高い堅牢性と信頼性、高周波数での効率向上、小型MIMOアレイでの同様の性能などがある。ネットワーク内のすべての送信セル（マイクロ、マクロ、ピコ、フェムト/ホーム・ルーター）用の電力増幅器はGaNの恩恵を受けると予想され、したがって次世代5Gの展開に大きな影響を与える可能性がある。 チャレンジ化合物半導体の複雑な設計 化合物半導体デバイスの設計には、高いレベルの設計上の複雑さがある。設計者にとっての大きな課題は、コストを抑え、構造を複雑にすることなく、より優れた効率を達成することである。また、さまざまなアプリケーションのさまざまな要件が、パワーおよびRFデバイスの設計の複雑性をさらに高めている。効率の急上昇は、バッテリー駆動製品の動作時間を増加させ、無線基地局や同様のアプリケーションの電力消費を削減する。 タイプ別では、GaN化合物半導体が2027年の化合物半導体市場で大きなシェアを占める 2021 年には GaN が化合物半導体市場を支配する。予測期間中も同様の傾向が続くと予想される。GaNは、高速スイッチングとデバイスの小型化を可能にする高耐圧・低伝導抵抗特性を有している。オン抵抗を下げるためにチップ面積を大きくする必要がある従来のシリコン・デバイスとは異なり、GaNデバイスは小さい（寄生容量が小さい）ため、高速スイッチング、高電子移動度・高密度、小型化を容易に実現できる。 化合物半導体市場ではパワーエレクトロニクスが最大シェアを占める 2021年には、パワーエレクトロニクス分野が化合物半導体市場の最大規模を占めた。パワーエレクトロニクスモジュールは、スマート家電に使用されており、高度な民生用電子機器Powerの購入により成長が見込まれている。GaNはパワーエレクトロニクスの重要なビルディングブロックとなり、企業は顧客に効率的なソリューションを提供できるようになった：GaN ソリューションは、スマートフォン、タブレット、スマート・ウェアラブルなどのワイヤレス家電機器の効率を高めている。 化合物半導体の市場規模は通信が最大 通信は、GaAs、GaN、InP、SiGeなどの化合物半導体の使用増加により、化合物半導体市場の主要アプリケーション分野となっている。予測期間中、通信アプリケーション市場が最大のシェアを占めると予想される。5Gは、通信アプリケーション用の化合物半導体に大きな機会を提供している。 2027年までに、アジア太平洋地域は予測期間中に最も速いCAGRで成長すると予測されている。 2021年にはアジア太平洋地域の市場が最大のシェアを占め、予測期間中も同様の傾向が続くと予測されている。アジア太平洋地域の化合物半導体市場は、予測期間中に最も高いCAGRを記録すると予測されている。アジア太平洋地域では、急速な都市化と大規模な工業化が進んでおり、政府、産業界、機関が化合物半導体の研究開発活動に大規模な投資を行っている。 化合物半導体のトップ企業 - 主要市場プレイヤー： 日亜化学工業株式会社（日本）、Samsung Electronics Co.(韓国）、ams OSRAM AG（オーストリア）、Qorvo, Inc.（米国）、Skyworks Solutions, Inc.（米国）、Wolfspeed, Inc.（米国）、GaN Systems（日本）、Canon Inc.（カナダ）、Infineon Technologies AG（ドイツ）、三菱電機株式会社（日本）などが化合物半導体企業の主要プレーヤーである。 この調査レポートは、化合物半導体市場をタイプ、製品、用途、地域に基づいて分類しています。 最近の動向 Qorvo, Inc.は2022年8月、最高利得100ワットのLバンド（1.2-1.4GHz）小型ソリューション、商用および防衛レーダー・アプリケーション向けのGaN-on-SiC PAMを発表した。QPA2511 GaN-on-SiC PAMは、アナログの2段アンプ・ソリューションより70%低い回路面積で、60%の電力付加効率を持つ統合2段アンプ・ソリューションを提供します。この卓越した性能により、システムの総消費電力が大幅に削減されます。 2022年8月、GaN SystemsはUSB PD3.1とシングルポートType-C出力を備えた新しいターンキー140W AC/DC充電器リファレンスデザインをリリースしました。この設計は、GaN Systemsの民生用電子機器分野向けターンキー充電器ソリューション（65W、100W、140W、250W）の範囲を拡大し、より迅速な設計サイクルと、より小型軽量で強力かつ効率的な充電器の継続的な展開を可能にします。 2022年8月、Infineon Technologies AGとII-VI Incorporatedは、炭化ケイ素（SiC）ウェハーの複数年供給契約を締結した。前者は、この分野における顧客需要の大幅な増加に対応するため、この重要な半導体材料へのさらなるアクセスを獲得する。この契約はまた、インフィニオン・テクノロジーズAGのマルチソーシング戦略を支援し、サプライチェーンの弾力性を強化する。 2022年5月、amsオスラムAGは、最新のamsオスラム1mm2チップを搭載し、高効率、安定した性能、優れた価値を兼ね備えた園芸照明用LED OSLON Optimalシリーズを発表しました。