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ストラティスティクスMRCの報告によると、2023年のグローバルSiCウェハ研磨市場は$0.40億ドルと推計され、2030年までに$3.35億ドルに達すると予測されています。この市場は、予測期間中に年平均成長率（CAGR）35.5%で成長すると見込まれています。このプロセスは、表面の不均一さや粗さを除去し、正確な厚さと高品質な滑らかで平坦な表面を実現することを目的としています。このプロセスでは、研磨材と研磨パッドを化学スラリーと組み合わせて使用し、表面の不規則性を徐々に除去し、ウェハの表面特性を向上させます。SiCウェハ研磨は、パワーエレクトロニクス、自動車、航空宇宙など多様なアプリケーションで使用される電子部品の性能最適化、収率向上、信頼性確保に不可欠です。
市場動向:
要因:
SiCベースのパワーデバイスの採用拡大
産業がよりエネルギー効率が高く高性能な電子システムへの移行を進める中、SiCベースのパワーデバイスは、高温、高電圧、高周波数下でも効率を維持しながら動作できる特性から注目されています。SiC ベースのパワーデバイスに対する需要の高まりにより、精密な表面仕上げを施した高品質の SiC ウェハーの需要が高まり、メーカーは先進的な研磨技術や設備への投資を迫られています。このように、SiC ベースのパワーデバイスの採用拡大は、研磨済み SiC ウェハーの需要を直接押し上げ、SiC ウェハー研磨市場の成長を促進しています。
抑制要因：
高い製造コスト
シリコンカーバイド（SiC）ウェハの研磨プロセスは、複数の複雑でリソース集約的な工程を含むため、製造コストが上昇します。SiCウェハ研磨に必要な研磨機や測定ツールなどの設備は高度で高価であり、調達と維持にコストがかかります。さらに、プロセスで使用される研磨スラリーや研磨パッドは、精密な表面仕上げを実現するために特殊な配合が施されており、材料コストを増加させます。設備の操作と研磨プロセスの正確な実施に必要な専門知識は、人件費をさらに増加させ、市場拡大を妨げています。
機会:
電気自動車の成長
二酸化炭素排出量の削減と化石燃料への依存度低下を目的とした世界的な電気移動手段への移行は、電気自動車におけるSiCベースのパワーエレクトロニクスの需要を後押ししています。SiCは、従来のシリコンベースのデバイスに比べて、高い電力効率、熱放散の低減、電力密度の向上といった利点を有し、電気自動車の電力変換システムやモーター駆動システムに最適な素材として、SiCウェハ研磨サービスの需要を刺激しています。
脅威:
表面欠陥と歩留まり損失
表面欠陥（傷、凹み、粒子など）は、デバイスの性能と信頼性を低下させ、歩留まり損失と製造コストの増加を引き起こします。これらの欠陥は、SiC材料の硬度と脆さ、研磨パラメータの変動、不純物の存在など、さまざまな要因により発生します。表面欠陥による歩留まり低下は、利益率に悪影響を及ぼすだけでなく、顧客満足度とブランドイメージにも影響を及ぼします。したがって、表面欠陥と歩留まり低下は、市場需要を阻害する要因です。
COVID-19の影響
COVID-19パンデミックは、SiCウェハ研磨市場に重大な影響を与えました。パンデミックの初期段階では、移動制限やロックダウン措置により製造施設の一時的な閉鎖や生産スケジュールの遅延が発生し、SiCウェハの供給と研磨サービスの供給に支障をきたしました。さらに、自動車や電子機器などの最終ユーザー業界における消費支出の減少やサプライチェーンの混乱も、SiCベースの半導体デバイスの需要を抑制し、市場成長全体に悪影響を及ぼしました。
化学機械研磨セグメントが予測期間中に最大のシェアを占めると予想されています
化学機械研磨セグメントが最大のシェアを占めると推定されています。このプロセスは、SiCウェハの表面に化学スラリーを塗布するところから始まります。スラリーには、表面材料と反応して材料の除去を助ける研磨粒子を含む溶液が懸濁されています。CMP は、材料の除去を正確に制御できる、優れた表面品質、高いスループットなど、SiC ウェハーの研磨にいくつかの利点があります。さらに、化学的力と機械的力を組み合わせることで、CMP は先進型 SiC 半導体デバイスに要求される厳しい表面仕様を満たし、デバイスの性能、歩留まり、信頼性を向上させることができます。
研磨パッドセグメントは、予測期間において最高の CAGR を記録すると予想されます
研磨パッドセグメントは、予測期間中に魅力的な成長が見込まれています。これらのパッドは、SiCウェハの研磨に広く使用されるCMPプロセスの重要な構成要素です。研磨パッドは、ポリウレタンや合成ポリマーなどの柔らかく弾性のある材料で製造され、研磨中にウェハ表面に均一に研磨スラリーを保持し分散させながら、制御された圧力を加えるように設計されています。研磨パッドの組成と構造は、ウェハ表面での均一な材料除去と欠陥の最小化を保証するために、慎重に設計されています。
最大のシェアを有する地域:
アジア太平洋地域は、自動車、パワーエレクトロニクス、通信、消費者電子機器など、さまざまな業界におけるSiCベースの半導体デバイスへの需要増加により、推計期間中に最大の市場シェアを占めました。日本や台湾などの国々に、確立された半導体メーカーや研究機関が存在することが、SiC ウェハー研磨技術の進歩に貢献しています。これらの機関は、SiC ベースのデバイスの性能と効率の向上を目的とした研究開発活動に積極的に取り組んでおり、それにより先進的なウェハー研磨技術の需要が促進されています。
CAGR が最も高い地域：
北米は、予測期間にわたって収益性の高い成長が見込まれています。北米は、エレクトロニクスおよび半導体分野において強い存在感を示しており、その先進的なインフラと熟練した労働力により、この地域における SiC ウェハー研磨市場の成長を推進しています。この地域の企業は、自動車、航空宇宙、再生可能エネルギー、通信など、さまざまな用途に使用される高品質の SiC ウェハーの需要増に対応するため、最先端の研磨技術と技術の開発の最前線に立っています。
市場の主要企業
SiC ウェハー研磨市場の主要企業には、DuPont Incorporated、Entegris、3M、Fujimi Corporation、Engis Corporation、JSR Corporation、Ferro Corporation、Kemet、Lapmaster Wolters、Advanced Abrasives Corporation、Logitech Ltd. などがあります。
主要な動向:
2023年9月、デュポンは、韓国の上場企業でプリント基板（PCB）材料メーカーのYMTと戦略的提携関係を締結したと発表しました。この提携は、デュポンの回路画像材料の専門知識とYMTの現地ネットワークを組み合わせることで、より迅速な対応、より良いサービス、総合的なソリューションを提供し、現地顧客のニーズに最適に対応できます。
2023年6月、デュポン社とJetCool Technologies Inc. は、半導体、データセンター、その他の高性能コンピューティングアプリケーションの熱管理を可能にする先進的な液体冷却技術の採用拡大に向けた提携を発表しました。
2023年3月、3M は、業界をリードするコネクテッド・セーフティ・ソフトウェア企業である Guardhat との提携を発表しました。安全プログラムにおける接続性の重要性を踏まえ、3MはSafety Inspection Management（SIM）ソフトウェアをGuardhatに移管します。
対象製品タイプ:
• 研磨パッド
• 研磨剤粉末
• ダイヤモンドスラリー
• コロイドシリカ懸濁液
• その他の製品タイプ
対象プロセス種類:
• 化学機械研磨
• プラズマ関連研磨
• 電解研磨
• その他のプロセス種類
対象アプリケーション:
• センサーおよび検出器
• マイクロ波デバイス
• 発光ダイオード
• その他のアプリケーション
対象エンドユーザー:
• 自動車
• 航空宇宙
• 消費者向け電子機器
• その他のエンドユーザー
対象地域:
• 北米
o 米国
o カナダ
o メキシコ
• ヨーロッパ
o ドイツ
o イギリス
o イタリア
o フランス
o スペイン
o その他のヨーロッパ
• アジア太平洋
o 日本
o 中国
o インド
o オーストラリア
o ニュージーランド
o 韓国
o その他のアジア太平洋
• 南アメリカ
o アルゼンチン
o ブラジル
o チリ
o その他の南アメリカ
• 中東・アフリカ
o サウジアラビア
o アラブ首長国連邦
o カタール
o 南アフリカ
o その他の中東・アフリカ
目次
1 執行要約
2 序文
2.1 要約
2.2 ステークホルダー
2.3 研究範囲
2.4 研究方法論
2.4.1 データマイニング
2.4.2 データ分析
2.4.3 データ検証
2.4.4 研究アプローチ
2.5 研究資料
2.5.1 一次研究資料
2.5.2 二次調査資料
2.5.3 仮定
3 市場動向分析
3.1 概要
3.2 成長要因
3.3 制約要因
3.4 機会
3.5 脅威
3.6 製品分析
3.7 応用分析
3.8 新興市場
3.9 COVID-19の影響
4 ポーターの5つの力分析
4.1 供給者の交渉力
4.2 購入者の交渉力
4.3 代替品の脅威
4.4 新規参入の脅威
4.5 競争の激化
5 グローバルSiCウェハ研磨市場（製品タイプ別）
5.1 概要
5.2 研磨パッド
5.3 研磨剤粉末
5.4 ダイヤモンドスラリー
5.5 コロイドシリカ懸濁液
5.6 その他の製品タイプ
6 グローバルSiCウェハ研磨市場（プロセス別）
6.1 概要
6.2 化学機械研磨
6.3 プラズマ関連研磨
6.4 電解研磨
6.5 その他のプロセスタイプ
7 グローバルSiCウェハ研磨市場（用途別）
7.1 概要
7.2 センサーおよび検出器
7.3 マイクロ波デバイス
7.4 発光ダイオード
7.5 その他の応用
8 グローバルSiCウェハ研磨市場、エンドユーザー別
8.1 概要
8.2 自動車
8.3 航空宇宙
8.4 消費者電子機器
8.5 その他のエンドユーザー
9 グローバルSiCウェハ研磨市場、地域別
9.1 概要
9.2 北米
9.2.1 米国
9.2.2 カナダ
9.2.3 メキシコ
9.3 欧州
9.3.1 ドイツ
9.3.2 イギリス
9.3.3 イタリア
9.3.4 フランス
9.3.5 スペイン
9.3.6 欧州その他
9.4 アジア太平洋
9.4.1 日本
9.4.2 中国
9.4.3 インド
9.4.4 オーストラリア
9.4.5 ニュージーランド
9.4.6 大韓民国
9.4.7 アジア太平洋地域その他
9.5 南アメリカ
9.5.1 アルゼンチン
9.5.2 ブラジル
9.5.3 チリ
9.5.4 南アメリカ地域その他
9.6 中東・アフリカ
9.6.1 サウジアラビア
9.6.2 アラブ首長国連邦
9.6.3 カタール
9.6.4 南アフリカ
9.6.5 中東・アフリカその他
10 主要な動向
10.1 協定、提携、協力関係、合弁事業
10.2 買収・合併
10.3 新製品発売
10.4 事業拡大
10.5 その他の主要戦略
11 企業プロファイル
11.1 デュポン社
11.2 エンテグリス
11.3 3M
11.4 富士美株式会社
11.5 エンギス社
11.6 JSR株式会社
11.7 フェロ社
11.8 ケメット
11.9 ラップマスター・ウォルターズ
11.10 アドバンスト・アブラシブズ社
11.11 ロジクール社
表一覧
1 グローバルSiCウェハ研磨市場動向（地域別）（2021-2030年）（$MN）
2 グローバルSiCウェハ研磨市場動向（製品タイプ別）（2021-2030年）（$MN）
3 グローバルSiCウェハ研磨市場動向（研磨パッド別）（2021-2030年） ($MN)
4 グローバルSiCウェハ研磨市場動向（研磨剤粉末別）（2021-2030年） ($MN)
5 グローバルSiCウェハ研磨市場動向（ダイヤモンドスラリー別）（2021-2030年） ($MN)
6 グローバルSiCウェハ研磨市場動向：コロイドシリカ懸濁液別（2021-2030年） ($MN)
7 グローバルSiCウェハ研磨市場動向：その他の製品タイプ別（2021-2030年） ($MN)
8 グローバルSiCウェハ研磨市場動向（プロセス種類別）（2021-2030年）（$MN）
9 グローバルSiCウェハ研磨市場動向（化学機械研磨別）（2021-2030年）（$MN）
10 グローバルSiCウェハ研磨市場動向（プラズマ関連研磨別）（2021-2030年） ($MN)
11 グローバルSiCウェハ研磨市場動向（電解研磨別）（2021-2030年）（$MN）
12 グローバルSiCウェハ研磨市場動向（その他のプロセス別）（2021-2030年）（$MN）
13 グローバルSiCウェハ研磨市場動向（用途別）（2021-2030年）（$MN）
14 グローバルSiCウェハ研磨市場動向（センサーおよび検出器別）（2021-2030年）（$MN）
15 グローバルSiCウェハ研磨市場動向（マイクロ波デバイス別）（2021-2030年）（$MN）
16 グローバルSiCウェハ研磨市場動向（発光ダイオード別）（2021-2030年）（$MN）
17 グローバルSiCウェハ研磨市場動向（その他の用途別）（2021-2030年）（$MN）
18 グローバルSiCウェハ研磨市場動向（最終用途別）（2021-2030年）（$MN）
19 グローバルSiCウェハ研磨市場動向（自動車用途別）（2021-2030年）（$MN）
20 グローバルSiCウェハ研磨市場動向（航空宇宙用途別）（2021-2030年）（$MN）
21 グローバルSiCウェハ研磨市場動向（消費者電子機器用途別）（2021-2030年）（$MN）
22 グローバルSiCウェハ研磨市場動向（その他の最終用途別）（2021-2030年）（$MN）
23 北米SiCウェハ研磨市場動向（国別）（2021-2030年）（$MN）
24 北米SiCウェハ研磨市場動向（製品タイプ別）（2021-2030年）（$MN）
25 北米SiCウェハ研磨市場動向（研磨パッド別）（2021-2030年）（$MN）
26 北米SiCウェハ研磨市場動向（研磨剤粉末別） (2021-2030) ($MN)
27 北米 SiC ウェハ研磨市場動向、ダイヤモンドスラリー別（2021-2030） ($MN)
28 北米 SiC ウェハ研磨市場動向、コロイドシリカ懸濁液別（2021-2030） ($MN)
29 北米 SiC ウェハ研磨市場動向（製品タイプ別）（2021-2030年）（$MN）
30 北米 SiC ウェハ研磨市場動向（プロセス種類別）（2021-2030年）（$MN）
31 北米 SiC ウェハ研磨市場動向（化学機械研磨別）（2021-2030年） ($MN)
32 北米SiCウェハ研磨市場動向、プラズマ関連研磨別（2021-2030年） ($MN)
33 北米SiCウェハ研磨市場動向、電気研磨別（2021-2030年） ($MN)
34 北米 SiC ウェハ研磨市場動向（その他のプロセス種類別）（2021-2030年）（$MN）
35 北米 SiC ウェハ研磨市場動向（用途別）（2021-2030年）（$MN）
36 北米 SiC ウェハ研磨市場動向（センサーおよび検出器別）（2021-2030年） ($MN)
37 北米 SiC ウェハ研磨市場動向、マイクロ波デバイス別（2021-2030年） ($MN)
38 北米 SiC ウェハ研磨市場動向、発光ダイオード別（2021-2030年） ($MN)
39 北米 SiC ウェハ研磨市場動向（その他の用途別）（2021-2030年）（$MN）
40 北米 SiC ウェハ研磨市場動向（最終用途別）（2021-2030年）（$MN）
41 北米 SiC ウェハ研磨市場動向（自動車用途別）（2021-2030年）（$MN）
42 北米 SiC ウェハ研磨市場動向（航空宇宙用途別）（2021-2030年）（$MN）
43 北米 SiC ウェハ研磨市場動向（消費者電子機器用途別）（2021-2030年）（$MN）
44 北米 SiC ウェハ研磨市場動向、その他の最終用途別（2021-2030年）（$MN）
45 欧州 SiC ウェハ研磨市場動向、国別（2021-2030年）（$MN）
46 欧州 SiC ウェハ研磨市場動向、製品タイプ別（2021-2030年） ($MN)
47 欧州 SiC ウェハ研磨市場動向（研磨パッド別）（2021-2030年） ($MN)
48 欧州 SiC ウェハ研磨市場動向（研磨剤粉末別）（2021-2030年） ($MN)
49 欧州SiCウェハ研磨市場動向（ダイヤモンドスラリー別）（2021-2030年）（$MN）
50 欧州SiCウェハ研磨市場動向（コロイドシリカ懸濁液別）（2021-2030年）（$MN）
51 欧州 SiC ウェハ研磨市場動向、製品タイプ別（2021-2030年）（$MN）
52 欧州 SiC ウェハ研磨市場動向、プロセス種類別（2021-2030年）（$MN）
53 欧州 SiC ウェハ研磨市場動向、化学機械研磨別（2021-2030年） ($MN)
54 欧州SiCウェハ研磨市場動向、プラズマ関連研磨別（2021-2030年） ($MN)
55 欧州SiCウェハ研磨市場動向、電気研磨別（2021-2030年） ($MN)
56 欧州SiCウェハ研磨市場動向（その他のプロセス種類別）（2021-2030年）（$MN）
57 欧州SiCウェハ研磨市場動向（用途別）（2021-2030年）（$MN）
58 欧州SiCウェハ研磨市場動向（センサーおよび検出器別）（2021-2030年） ($MN)
59 欧州SiCウェハ研磨市場動向、マイクロ波デバイス別（2021-2030年） ($MN)
60 欧州SiCウェハ研磨市場動向、発光ダイオード別（2021-2030年） ($MN)
61 欧州SiCウェハ研磨市場動向（その他の用途別）（2021-2030年）（$MN）
62 欧州SiCウェハ研磨市場動向（最終用途別）（2021-2030年）（$MN）
63 欧州SiCウェハ研磨市場動向（自動車産業別）（2021-2030年）（$MN）
64 欧州SiCウェハ研磨市場動向（航空宇宙分野別）（2021-2030年）（$MN）
65 欧州SiCウェハ研磨市場動向（消費者電子機器分野別）（2021-2030年）（$MN）
66 欧州SiCウェハ研磨市場動向（その他の最終用途別）（2021-2030年）（$MN）
67 アジア太平洋地域 SiC ウェハ研磨市場動向（国別）（2021-2030年）（$MN）
68 アジア太平洋地域 SiC ウェハ研磨市場動向（製品タイプ別）（2021-2030年）（$MN）
69 アジア太平洋地域 SiC ウェハ研磨市場動向（研磨パッド別）（2021-2030年） ($MN)
70 アジア太平洋地域 SiC ウェハ研磨市場動向、研磨剤粉末別（2021-2030年） ($MN)
71 アジア太平洋地域 SiC ウェハ研磨市場動向、ダイヤモンドスラリー別（2021-2030年） ($MN)
72 アジア太平洋地域 SiC ウェハ研磨市場動向（コロイドシリカ懸濁液別）（2021-2030年）（$MN）
73 アジア太平洋地域 SiC ウェハ研磨市場動向（その他の製品タイプ別）（2021-2030年）（$MN）
74 アジア太平洋地域 SiC ウェハ研磨市場動向、プロセス種類別（2021-2030年）（$MN）
75 アジア太平洋地域 SiC ウェハ研磨市場動向、化学機械研磨別（2021-2030年）（$MN）
76 アジア太平洋地域 SiC ウェハ研磨市場動向（プラズマ関連研磨別）（2021-2030年）（$MN）
77 アジア太平洋地域 SiC ウェハ研磨市場動向（電気研磨別）（2021-2030年）（$MN）
78 アジア太平洋地域 SiC ウェハ研磨市場動向（その他のプロセス種類別）（2021-2030年）（$MN）
79 アジア太平洋地域 SiC ウェハ研磨市場動向（用途別）（2021-2030年）（$MN）
80 アジア太平洋地域 SiC ウェハ研磨市場動向（センサーおよび検出器別）（2021-2030年）（$MN）
81 アジア太平洋地域 SiC ウェハ研磨市場動向（マイクロ波デバイス別）（2021-2030年）（$MN）
82 アジア太平洋地域 SiC ウェハ研磨市場動向（2021-2030年）（$MN）
83 アジア太平洋地域 SiC ウェハ研磨市場動向（その他の用途別）（2021-2030年）（$MN）
84 アジア太平洋地域 SiC ウェハ研磨市場動向（最終用途別）（2021-2030年） ($MN)
85 アジア太平洋地域 SiC ウェハ研磨市場動向（自動車用途別）（2021-2030年）（$MN）
86 アジア太平洋地域 SiC ウェハ研磨市場動向（航空宇宙用途別）（2021-2030年）（$MN）
87 アジア太平洋地域 SiC ウェハ研磨市場動向（消費者電子機器別）（2021-2030年）（$MN）
88 アジア太平洋地域 SiC ウェハ研磨市場動向（その他の最終用途別）（2021-2030年）（$MN）
89 南米 SiC ウェハ研磨市場動向（国別）（2021-2030年） ($MN)
90 南米 SiC ウェハ研磨市場動向、製品タイプ別（2021-2030年） ($MN)
91 南米 SiC ウェハ研磨市場動向、研磨パッド別（2021-2030年） ($MN)
92 南米 SiC ウェハ研磨市場動向（研磨剤粉末別）（2021-2030年）（$MN）
93 南米 SiC ウェハ研磨市場動向（ダイヤモンドスラリー別） (2021-2030) ($MN)
94 南米 SiC ウェハ研磨市場動向、コロイドシリカ懸濁液別（2021-2030） ($MN)
95 南米 SiC ウェハ研磨市場動向、その他の製品タイプ別（2021-2030） ($MN)
96 南米 SiC ウェハ研磨市場動向（プロセス種類別）（2021-2030年）（$MN）
97 南米 SiC ウェハ研磨市場動向（化学機械研磨別）（2021-2030年） ($MN)
98 南米 SiC ウェハ研磨市場動向、プラズマ関連研磨別（2021-2030年） ($MN)
99 南米 SiC ウェハ研磨市場動向、電気研磨別（2021-2030年） ($MN)
100 南米 SiC ウェハ研磨市場動向、その他のプロセス種類別（2021-2030年） ($MN)
101 南米 SiC ウェハ研磨市場動向、用途別（2021-2030年） ($MN)
102 南米 SiC ウェハ研磨市場動向、センサーおよび検出器別（2021-2030年） ($MN)
103 南米 SiC ウェハ研磨市場動向、マイクロ波デバイス別（2021-2030年） ($MN)
104 南米 SiC ウェハ研磨市場動向、発光ダイオード別（2021-2030年）（$MN）
105 南米 SiC ウェハ研磨市場動向、その他の用途別（2021-2030年）（$MN）
106 南米 SiC ウェハ研磨市場動向（最終用途別）（2021-2030年）（$MN）
107 南米 SiC ウェハ研磨市場動向（自動車産業別）（2021-2030年）（$MN）
108 南米 SiC ウェハ研磨市場動向（航空宇宙産業別）（2021-2030年） ($MN)
109 南米 SiC ウェハ研磨市場動向、消費者電子機器別（2021-2030年） ($MN)
110 南米 SiC ウェハ研磨市場動向、その他の最終用途別（2021-2030年） ($MN)
111 中東・アフリカ SiC ウェハ研磨市場動向、国別（2021-2030年） ($MN)
112 中東・アフリカ SiC ウェハ研磨市場動向、製品タイプ別（2021-2030年） ($MN)
113 中東・アフリカ SiC ウェハ研磨市場動向（研磨パッド別）（2021-2030年）（$MN）
114 中東・アフリカ SiC ウェハ研磨市場動向（研磨剤粉末別）（2021-2030年）（$MN）
115 中東・アフリカ SiC ウェハ研磨市場動向、ダイヤモンドスラリー別（2021-2030年）（$MN）
116 中東・アフリカ SiC ウェハ研磨市場動向、コロイドシリカ懸濁液別（2021-2030年） ($MN)
117 中東・アフリカ SiC ウェハ研磨市場動向、製品タイプ別（2021-2030年） ($MN)
118 中東・アフリカ SiC ウェハ研磨市場動向、プロセス種類別（2021-2030年） ($MN)
119 中東・アフリカ SiC ウェハ研磨市場動向（化学機械研磨別）（2021-2030年） ($MN)
120 中東・アフリカ SiC ウェハ研磨市場動向（プラズマ関連研磨別）（2021-2030年） ($MN)
121 中東・アフリカ SiC ウェハ研磨市場動向（電解研磨別）（2021-2030年）（$MN）
122 中東・アフリカ SiC ウェハ研磨市場動向（その他のプロセス別）（2021-2030年） ($MN)
123 中東・アフリカ SiC ウェハ研磨市場動向、用途別（2021-2030年） ($MN)
124 中東・アフリカ SiC ウェハ研磨市場動向、センサーおよび検出器別（2021-2030年） ($MN)
125 中東・アフリカ SiC ウェハ研磨市場動向、マイクロ波デバイス別（2021-2030） ($MN)
126 中東・アフリカ SiC ウェハ研磨市場動向、発光ダイオード別（2021-2030） ($MN)
127 中東・アフリカ SiCウェハ研磨市場動向、その他の用途別（2021-2030年） ($MN)
128 中東・アフリカ SiCウェハ研磨市場動向、最終用途別（2021-2030年）（$MN）
129 中東・アフリカ SiCウェハ研磨市場動向、自動車産業別（2021-2030年）（$MN）
130 中東・アフリカ SiC ウェハ研磨市場動向、航空宇宙分野別（2021-2030年）（$MN）
131 中東・アフリカ SiC ウェハ研磨市場動向、消費者電子機器分野別（2021-2030年） ($MN)
132 中東・アフリカ SiC ウェハ研磨市場動向、その他の最終用途別（2021-2030年） ($MN)
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